一种超结MOS管的抑制电路的制作方法

本技术涉及抑制电路，具体的说是涉及一种超结mos管的抑制电路。

背景技术：

1、超结mos管是mos管的一种，超结mos管的超结结构打破了硅限，相对于传统技术，在相同的芯片面积上，导通电阻降低了80%-90%，并且具有高开关速度。

2、超结mos管的优势是效率高，成本低，但劣势是辐射难度大，在这种情况下90w以上大家在为了解决温升，多选择超结mos管。

3、目前氮化镓的价格还没有优势。超结mos管能解决平面mos不能解决的温升问题，但是也带来了比平面mos难度更大的辐射问题。正常大家会在整流桥后，主电解电容之间加上一个10nf左右的瓷片电容，这个电容主要用来滤掉一部分的高频干扰，这个对于平面mos会有一定的效果，但使用超结mos管时，这样的抑制已经不能更好的解决辐射问题了。

4、有鉴于此，有必要对现有的超结mos管的抑制电路作出改进。

技术实现思路

1、针对现有技术中的不足，本实用新型要解决的技术问题在于提供了一种超结mos管的抑制电路，设计该抑制电路的目的是提高抑制效果。

2、为解决上述技术问题，本实用新型通过以下方案来实现：本实用新型的一种超结mos管的抑制电路，该抑制电路接至一桥式整流电路bd1的输出端，其分别并联有电容c15、有极性电容c5、有极性电容c7，有极性电容c5、有极性电容c7的负极端均接地pgnd，该抑制电路靠近变压器的主绕组t1a设置，其包括电容c6和电阻r7，所述电容c6的第一端接至所述主绕组t1a的初级线圈第一端，所述电容c6的第二端和所述电阻r7的第一端连接，所述电阻r7的第二端接地pgnd。

3、进一步地，所述电容c6为能够滤除高频干扰的高压瓷片电容。

4、进一步地，所述电容c6选用规格为1nf-50nf 1kv的电容。

5、进一步地，所述电阻r7选用阻值范围是5ω-100ω的贴片电阻。

6、进一步地，所述桥式整流电路bd1的输出端接至主绕组t1a的初级线圈第一端、电阻r15的第一端，所述电阻r15分别并联有电阻r16、电阻r17、电容c8；

7、所述电阻r15的第二端连接电阻r3的第一端，所述电阻r3分别并联有电阻r33、电阻r18；

8、所述电阻r3的第二端连接二极管d6的负极端，所述二极管d6的正极端接至所述主绕组t1a的初级线圈第二端。

9、进一步地，所述桥式整流电路bd1的输入端连接有第二电感电路lf2，所述第二电感电路lf2的输入端连接第一电感电路lf1，所述第一电感电路lf1接入电源。

10、更进一步地，所述桥式整流电路bd1的两个ac端均接有光敏电阻，其负极接地pgnd，两个光敏电阻的另一端一对一的接至第二电感电路lf2的两个输出脚，所述第二电感电路lf2的两个输出脚与两个二极管的正极端一对一连接，两个二极管的负极互接后连接电阻r9的第一端，所述电阻r9的第二端连接电阻r10的第一端，电阻r10的第二端接pwm电路。

11、相对于现有技术，本实用新型的有益效果是：

12、1.本实用新型抑制电路对辐射抑制效果好，成本低。

13、2.本实用新型抑制电路器件供应简单，易采购。

技术特征：

1.在一种超结mos管的抑制电路，该抑制电路接至一桥式整流电路bd1的输出端，其分别并联有电容c15、有极性电容c5、有极性电容c7，有极性电容c5、有极性电容c7的负极端均接地pgnd，其特征在于，该抑制电路靠近变压器的主绕组t1a设置，其包括电容c6和电阻r7，所述电容c6的第一端接至所述主绕组t1a的初级线圈第一端，所述电容c6的第二端和所述电阻r7的第一端连接，所述电阻r7的第二端接地pgnd。

2.根据权利要求1所述的一种超结mos管的抑制电路，其特征在于，所述电容c6为能够滤除高频干扰的高压瓷片电容。

3.根据权利要求1所述的一种超结mos管的抑制电路，其特征在于，所述电容c6选用规格为1nf-50nf 1kv的电容。

4.根据权利要求1所述的一种超结mos管的抑制电路，其特征在于，所述电阻r7选用阻值范围是5ω-100ω的贴片电阻。

5.根据权利要求1所述的一种超结mos管的抑制电路，其特征在于，所述桥式整流电路bd1的输出端接至主绕组t1a的初级线圈第一端、电阻r15的第一端，所述电阻r15分别并联有电阻r16、电阻r17、电容c8；

6.根据权利要求1所述的一种超结mos管的抑制电路，其特征在于，所述桥式整流电路bd1的输入端连接有第二电感电路lf2，所述第二电感电路lf2的输入端连接第一电感电路lf1，所述第一电感电路lf1接入电源。

7.根据权利要求6所述的一种超结mos管的抑制电路，其特征在于，所述桥式整流电路bd1的两个ac端均接有光敏电阻，其负极接地pgnd，两个光敏电阻的另一端一对一的接至第二电感电路lf2的两个输出脚，所述第二电感电路lf2的两个输出脚与两个二极管的正极端一对一连接，两个二极管的负极互接后连接电阻r9的第一端，所述电阻r9的第二端连接电阻r10的第一端，电阻r10的第二端接pwm电路。

技术总结
本技术公开了一种超结MOS管的抑制电路，该抑制电路接至一桥式整流电路BD1的输出端，其分别并联有电容C15、有极性电容C5、有极性电容C7，有极性电容C5、有极性电容C7的负极端均接地PGND，该抑制电路靠近变压器的主绕组T1A设置，其包括电容C6和电阻R7，所述电容C6的第一端接至所述主绕组T1A的初级线圈第一端，所述电容C6的第二端和所述电阻R7的第一端连接，所述电阻R7的第二端接地PGND。本技术抑制电路是对现有的工业供电电路进行优化，在高压瓷片电容上再串联一个5‑100欧的电阻，提高抑制效果。本技术抑制电路一定要靠近变压器的主绕组，这样的抑制效果会更好。

技术研发人员：胥海东,杜戈阳,曾斌强
受保护的技术使用者：深圳创芯技术股份有限公司
技术研发日：20240410
技术公布日：2024/12/23