一种自供电p-sshi电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型属于能量、电源技术领域，涉及一种能量收集电路。该实用新型可以用 压电元件在振动环境中收集能量，所收集的能量电路可以为人们日常生活提供方便。
【背景技术】
[0002] 在最近几年中，节能减排、无线技术已经渗透在生活中每一个角落。归功于无线传 感网络与低功耗技术的进步，能量收集器的研宄和应用日益广泛。例如结构健康监测，全球 定位系统等这些与日俱增的应用便对能源的需求具有很大刺激。目前，环境中存在多种形 式的能量，其能量密度如表1所示。
[0003] 表1环境中能量密度
[0004]
【主权项】
1. 一种基于自供电的P-SSHI电路，其特征是所述P-SSHI电路包括检测器I，检测器 II，MOS管Ml，MOS管M4,二极管D3,二极管D5,开关器件I，开关器件II，整桥电路； 所述检测器I包括电阻Rl，二极管Dl，电容Cl ;所述检测器II包括电阻R2,二极管D2， 电容C2 ;所述开关器件I包括二极管D4, MOS管M3 ;所述开关器件II包括二极管D6, MOS 管M2 ;所述整桥电路由二极管D7,二极管D8,二极管D9,二极管DlO构成； 所述压电元件一端分别与电阻Rl -端，MOS管Ml栅极端，二极管D4正极端，二极管D6 负极端，MOS管M4的栅极端，电阻R2的一端，二极管D7的负极，二极管D8正极相连，电阻Rl 另一端与二极管Dl的正极相连，二极管Dl的负极分别与MOS管Ml的源极端，电容Cl的一 端相连，电容Cl另一端分别与压电元件的另一端，电感L 一端，电容C2 -端，二极管D9负 极端，二极管DlO正极端；所述MOS管Ml的漏极端与二极管D3的正极相连，所述二极管D3 负极端与MOS管M3的栅极端相连，所述MOS管M3的漏极端与二极管D4的负极端相连，所述 电感的另一端分别与MOS管M3的源极，MOS管M2的源极相连；所述MOS管M2的栅极与二 极管D5正极相连，所述MOS管的漏极与二极管D6正极相连；所述二极管D5负极与MOS管 M4漏极端相连，所述MOS管M4源极端分别与电容C2 -端，二极管D2的正极相连；所述二 极管D2的负极分别与电阻R2 -端相连；所述二极管D7正极，二极管D9正极都与地相连， 所述二极管D8负极，二极管DlO负极与输出负载一端相连，输出负载另一端与地相连，输出 负载可以是电容Crect，输出负载也可以是电容Crect与电阻Rload并联。
2. 根据权利要求1所述的P-SSHI电路，其特征在于，整桥电路中二极管选用正向导通 压降小、反向截至电流小的二极管。
3. 根据权利要求1所述的P-SSHI电路，其特征在于，MOS管选用超低功耗型号。
【专利摘要】本实用新型涉及一种自供电P-SSHI电路。其特征是所述P-SSHI电路包括检测器I，检测器II，MOS管M1，MOS管M4，二极管D3，二极管D5，开关器件I，开关器件II，整桥电路。该P-SSHI电路在不需要电源情况下能较多的收集压电元件的能量，与现有的压电能量收集电路相比，该电路不仅适合在高振动水平收集较多能量，也适合在低振动水平有效收集能量，有效的提高了能量收集效率。
【IPC分类】H02N2-18
【公开号】CN204271948
【申请号】CN201420551927
【发明人】阚江明, 庞帅, 李文彬
【申请人】北京林业大学
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2014年9月24日