专利名称：三频带切换型振荡器的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用在诸如便携式电话机等中的、可以在三个频率频带中的某一个下输出振荡信号的三频带切换型振荡器。
目前已有的振荡器是按照可以与若干种便携式电话机系统相对应，并且可以在若干个频率频带下产生振荡的方式构成的。图5示出了在先技术中的一种与三种便携式电话机系统相对应的三频带切换型振荡器的结构构成形式，如果举例来说，这种三频带切换型振荡器可以分别与DCS系统(1800兆赫兹(MHz)频带的蜂窝电话)、PCS系统(1900兆赫兹(MHz)频带的蜂窝电话)、GSM系统(900兆赫兹(MHz)频带的蜂窝电话)相对应。这种三频带切换型振荡器可以按照在某一个频率频带下输出振荡信号或是在各频率频带下均不输出振荡信号的四种模式下运行。
正如图5所示，第一电压控制型振荡器31由集电极接地型的振荡器构成，并且具有第一振荡晶体管32，以及与第一振荡晶体管32上的基极相连接的第一共振回路33。在第一共振回路33处设置有第一变容二极管33a，以及串联连接着的共振线路33b、33c等，而且在一个共振线路33c处还并联连接有开关二极管33d。第一变容二极管33a上的阳极接地，阴极与控制端子34相连接。开关二极管33d上的阴极与接地点相连接。
振荡由第一振荡晶体管32上的发射极处输出，并输入至构成第一振幅放大器35用的第一振幅放大晶体管35a上的基极处。放大后的振荡再由第一振幅放大晶体管35a上的集电极处输出。
第一振幅放大晶体管35a与第一振荡晶体管32相对于电源串联连接，电源电压Vb施加在第一振幅放大晶体管35a上的集电极处，由第一振幅放大晶体管35a上的发射极输出的电压供给至第一振荡晶体管32上的集电极处。第一振幅放大晶体管35a上的基极和第一振荡晶体管32上的基极，与设定偏置电压用的阻抗部件36、37、38相连接，阻抗部件36与第一开关晶体管39上的发射极相连接。电源电压Vb供给至第一开关晶体管39上的集电极处，而且第一开关晶体管39上的基极与第一切换端子40相连接。开关二极管33d上的阳极与第二切换端子41相连接。
第二电压控制型振荡器51由集电极接地型的振荡器构成，并且可以具有第二振荡晶体管52，以及与第二振荡晶体管52上的基极相连接的第二共振回路53。在第二共振回路53处设置有第二变容二极管53a、共振线路53b等部件。第二变容二极管53a上的阳极与接地点相连接，阴极与控制端子34相连接。
振荡信号由第二振荡晶体管52上的发射极处输出，并输入至构成第二振幅放大器54用的第二振幅放大晶体管54a上的基极处。放大后的振荡信号再由第二振幅放大晶体管54a上的集电极处输出。
第二振幅放大晶体管54a和第二振荡晶体管52相对于电源串联连接，并且向第二振幅放大晶体管54a上的集电极处供给电源电压Vb，进而由第二振幅放大晶体管54a上的发射极处向第二振荡晶体管52上的集电极供给电压。第二振幅放大晶体管54a上的基极与第二振荡晶体管52上的基极，与设定偏置电压用的阻抗部件55、56、57相连接，而且阻抗部件55与第二开关晶体管58上的发射极相连接。电源电压Vb供给至第二开关晶体管58上的集电极处，第二开关晶体管58上的基极与第三切换端子59相连接。
当采用如上所述的结构构成形式时，由便携式电话机主体侧传送来的、作为高电位电压或低电位电压的切换电压，可以分别施加在第一切换端子40、第二切换端子41、第三切换端子59处。下面参考图6，对在切换电压的作用下各电压控制型振荡器31、51的工作方式进行说明。在图6的说明中，第一至第三切换端子40、41、59分别由参考标号SW1、SW2、SW3表示，作为高电位电压、低电位电压的切换电压分别由(H)、(L)表示。第一电压控制型振荡器31由参考标号VCO1表示，第二电压控制型振荡器51由参考标号VCO2表示。
当第一切换端子40(SW1)处于低电压电位(L)时，第一开关晶体管39处于非导通状态，偏置电压未供给至第一振荡晶体管32上的基极处，所以第一电压控制型振荡器31(VCO1)将处于非工作状态。与此相反，当第一切换端子40(SW1)处于高电压电位(H)时，第一电压控制型振荡器31(VCO1)处于工作状态。当其处于工作状态时，如果第二切换端子41(SW2)处于低电压电位(L)，开关二极管33d将处于非导通状态，所以第一电压控制型振荡器31(VCO1)将在频率比较低的第一频率频带下产生振荡。这一频率频带与DCS系统相对应。如果第二切换端子41(SW2)处于高电压电位(H)，开关二极管33d将处于导通状态，所以第一电压控制型振荡器31(VCO1)将在频率比较高的第二频率频带下产生振荡。这一频率频带与PCS系统相对应。
类似的，当第三切换端子59(SW3)处于低电压电位(L)时，第二开关晶体管58处于非导通状态，偏置电压未供给至第二振荡晶体管52上的基极处，所以第二电压控制型振荡器51将处于非工作状态。与此相反，当第三切换端子59(SW3)处于高电压电位(H)时，第二电压控制型振荡器51将在第三频率频带下产生振荡。这一频率频带与GSM系统相对应。
当实施如上所述的工作时，需要分别相对于第一至第三切换端子40、41、59输入作为切换电压的高电位电压或低电位电压，所以构成的组合将有八种切换模式。正如图6所示，其中模式1(No.1)和模式2(No.2)的工作方式相同，模式3(No.3)和模式4(No.4)的工作方式相同，所以可以仅仅使用其中的一种模式。而且，由于不能同时使用第一电压控制型振荡器31和第二电压控制型振荡器，所以不会使用到模式7(No.7)和模式8(No.8)。
对于如上所述的这种在先技术中的三频带切换型振荡器，为了能够获得所需要的四种切换模式而使用着三个切换端子(40、41、59)。然而，如何使便携式电话机中使用的振荡器小型化是目前最重要的研究课题，而且人们也正在为实现小型化进行着种种改进。减少端子数目有可能大大推进小型化进程，所以目前的一个研究方向就是努力减少端子数目。
而且，在先技术中的这种三频带切换型振荡器，是相对于三个切换端子施加双值切换电压的，所以产生了不必要的切换模式，进而还使产生切换电压用的便携式电话机主体侧的回路复杂化。
本发明的目的就是提供一种可以减少切换端子数目而实现小型化的、并且可以使产生切换电压用的便携式电话机主体侧构成简单化的三频带切换型振荡器。
为了能够解决上述问题，本发明提供了一种三频带切换型振荡器，这种三频带切换型振荡器具有可以在第一或第二频率频带下切换产生振荡的第一电压控制型振荡器，可以在第三频率频带下产生振荡的第二电压控制型振荡器，以及可以将所述第一和第二电压控制型振荡器分别切换至工作状态或非工作状态的、并且可以对所述第一电压控制型振荡器的振荡频率频带实施切换的切换回路，所述切换回路具有使所述第一电压控制型振荡器处于工作状态用的电流流经的第一开关组件，使所述第二电压控制型振荡器处于工作状态用的电流流经的第二开关组件，以及输入所述切换电压用的第一和第二切换端子，依据输入至所述第一切换端子处的切换电压是低电位电压或高电位电压，所述第一开关组件处于开启状态或闭合状态，从而可以相应于输入至第二切换端子处的切换电压是高电位电压或低电位电压，而对所述振荡频率频带实施切换，所述第二开关组件仅在输入至所述第二切换端子处的切换电压为高电位电压时，可以依据输入至所述第一切换端子处的切换电压是高电位电压而处于开启状态，或是依据切换电压是低电位电压而处于闭合状态，当输入至所述第二切换端子处的切换电压为低电位电压时，不论输入至第一切换端子处的切换电压是高电位电压或低电位电压其均处于开启状态。
而且，本发明提供的一种三频带切换型振荡器还可以进一步在所述第一电压控制型振荡器处设置有第一振荡晶体管，在所述第二电压控制型振荡器处设置有第二振荡晶体管，在供给偏置电压至所述第一振荡晶体管的基极的第一阻抗回路处，与所述第一开关组件串联连接，所述第二振荡晶体管上的基极在供给偏置电压用的第二阻抗回路处，与所述第二开关组件串联连接。
而且，本发明提供的一种三频带切换型振荡器还可以进一步使所述第一开关组件由集电极与电源电压施加端相连接且发射极与所述第一阻抗回路相连接的第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管构成，所述第二开关组件由集电极与所述电源电压施加端相连接的第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管，以及其发射极与所述第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管上的发射极相连接且集电极与所述第二阻抗回路相连接的第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管构成，所述第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管和所述第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的各基极与所述第一切换端子相连接，所述第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管上的基极与所述第二切换端子相连接。
而且，本发明提供的一种三频带切换型振荡器还可以进一步在所述第一电压控制型振荡器处设置有共振线路，以及与所述共振线路并联连接着的开关二极管，所述开关二极管上的阴极与接地点相连接，阳极与所述第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管上的发射极相连接。
而且，本发明提供的一种三频带切换型振荡器还可以进一步在所述第一电压控制型振荡器处设置有第一振荡晶体管，在所述第二电压控制型振荡器处设置有第二振荡晶体管，所述第一开关组件安装在所述第一振荡晶体管上的发射极与接地点之间，所述第二开关组件与向所述第二振荡晶体管上的基极供给偏置电压的第二阻抗回路串联连接。
而且，本发明提供的一种三频带切换型振荡器还可以进一步使所述第一开关组件由集电极与所述第一振荡晶体管上的发射极侧相连接且发射极与接地点侧相连接的第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管构成，所述第二开关组件由发射极一并与所述电源电压施加端相连接的第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管和第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管构成，所述第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的集电极与所述第二阻抗回路相连接，所述第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管上的基极与所述第一切换端子相连接，所述第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的集电极和所述第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的基极相互连接，并且通过阻抗部件与所述第一切换端子相连接，所述第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的基极与所述第二切换端子相连接。
而且，本发明提供的一种三频带切换型振荡器还可以进一步在所述第一电压控制型振荡器处设置有共振线路，以及与所述共振线路并联连接着的开关二极管，所述开关二极管上的阴极与接地点相连接，阳极与所述第二切换端子相连接。
而且，本发明提供的一种三频带切换型振荡器还可以进一步使所述第一频率频带与所述第二频率频带间的中心频率之差，比所述第一频率频带与所述第三频率频带间的中心频率之差和所述第二频率频带与所述第三频率频带间的中心频率之差小。
下面，结合附图对本发明的实施例进行详细说明。
图1为表示本发明的三频带切换型振荡器的第一实施例的结构构成的示意性回路图。
图2为表示本发明的三频带切换型振荡器的第一实施例的工作方式的示意性工作状态图。
图3为表示本发明的三频带切换型振荡器的第二实施例的结构构成的示意性回路图。
图4为表示本发明的三频带切换型振荡器的第二实施例的工作方式的示意性工作状态图。
图5为表示在先技术中的一种频带切换型振荡器的结构构成的示意性回路图。
图6为表示在先技术中的一种三频带切换型振荡器的工作方式的示意性工作状态图。
下面参考图1和图2，对作为根据本发明构造的三频带切换型振荡器的第一实施例进行说明。正如图1所示，第一电压控制型振荡器1由集电极接地型的振荡器构成，并且可以具有第一振荡晶体管2，以及与第一振荡晶体管2上的基极相连接的第一共振回路3。在第一共振回路3处设置有第一变容二极管3a，以及串联连接着的第一和第二共振线路3b、3c等，在第二共振线路3c处还并联连接有阴极接地的开关二极管3d。第一变容二极管3a上的阳极接地，而阴极与控制端子4相连接。第一电压控制型振荡器1的振荡频率，可以随施加在控制端子4处的控制电压的变化而变化。
第一电压控制型振荡器1在开关二极管3d处于开启状态时，将在频率比较低的第一频率频带下产生振荡，当其导通时将在频率比较高的第二频率频带下产生振荡。第一频率频带可以供DCS系统(1800兆赫兹(MHz)频带的蜂窝电话)使用，第二频率频带可以供PCS系统(1900兆赫兹(MHz)频带的蜂窝电话)使用。振荡由第一振荡晶体管2上的发射极处输出，并输入至构成第一振幅放大器5用的第一振幅放大晶体管5a上的基极处。放大后的振荡再由第一振幅放大晶体管5a上的集电极处输出。
第一振幅放大晶体管5a与第一振荡晶体管2串联连接，由电源电压施加端7处输出的电源电压Vb供给至第一振幅放大晶体管5a上的集电极，由第一振幅放大晶体管5a上的发射极输出的电压供给至第一振荡晶体管2上的集电极。第一振幅放大晶体管5a上的基极和第一振荡晶体管2上的基极与供给偏置电压用的第一阻抗回路6相连接。第一阻抗回路6由阻抗部件6a、6b、6c彼此串联连接构成，而且阻抗部件6c连接在第一振荡晶体管2上的基极与接地点之间，阻抗部件6b连接在第一振荡晶体管2上的基极与第一振幅放大晶体管5a上的基极之间。由切换回路9输出的电压供给至第一共振回路3中的开关二极管3d上的阳极和阻抗部件6a处。
第二电压控制型振荡器11由集电极接地型的振荡器构成，并且可以具有第二振荡晶体管12，以及与第二振荡晶体管12上的基极相连接的第二共振回路13。在第二共振回路13处设置有第二变容二极管13a、第三共振线路13b等部件。
第二电压控制型振荡器11的振荡频率，随施加在控制端子4处的控制电压的变化而变化。而且，它可以在第三频率频带下产生振荡，该频率频带可以供GSM系统(900兆赫兹(MHz)频带的蜂窝电话)使用。该频率频带比第一电压控制型振荡器1的第一频率频带和第二频率频带低。振荡信号由第二振荡晶体管12上的发射极处输出，并输入至构成第二振幅放大器14用的第二振幅放大晶体管14a上的基极处。放大后的振荡信号再由第二振幅放大晶体管14a上的集电极处输出。
第二振幅放大晶体管14a和第二振荡晶体管12串联连接，并且向第二振幅放大晶体管14a上的集电极处供给电源电压Vb，进而由第二振幅放大晶体管14a上的发射极处向第二振荡晶体管12上的集电极供给电压。第二振幅放大晶体管14a上的基极与第二振荡晶体管12上的基极与供给偏置电压用的第二阻抗回路15相连接。第二阻抗回路15由阻抗部件15a、15b、15c彼此串联连接构成。而且，阻抗部件15c连接在第二振荡晶体管12上的基极与接地点之间，阻抗部件15b连接在第二振荡晶体管12上的基极与第二振幅放大晶体管14a上的基极之间。由切换回路9输出的电压供给至阻抗部件15a处。
切换回路9具有输入电源电压Vb用的电压输入端子9a，输入呈高电位电压或低电位电压形式的双值电压用的第一和第二切换端子9b、9c，输出电压以使第一电压控制型振荡器1和第一振幅放大器5处于工作状态的第一输出端子9d，输出电压以对第一电压控制型振荡器1的振荡频率频带实施切换的第二输出端子9e，以及输出电压以使第二电压控制型振荡器11和第二振幅放大器14处于工作状态的第三输出端子9f。而且，在切换回路9中还可以配置有第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g，第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h，以及第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管。
第一输出端子9d与第一阻抗回路6中的阻抗部件6a相连接，第二输出端子9e与开关二极管3d上的阳极相连接，第三输出端子9f与第二阻抗回路15中的阻抗部件15a相连接。
在电压输入端子9a与第一输出端子9d之间，还安装有作为第一开关组件的第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g，第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g上的集电极与电压输入端子9a相连接，发射极与第一输出端子9d相连接。
在电压输入端子9a与第三输出端子9f之间还安装有第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h和第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i。第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h和第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i构成为第二开关组件，第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h上的集电极与电压输入端子9a相连接，发射极与第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i上的发射极相连接，并且与第二输出端子9e相连接。第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i上的集电极与第三输出端子9f相连接。
具有如上所述结构构成的振荡器可以按照如下所述的方式工作。依据输入至第一切换端子9b处的切换电压是高电位电压或低电位电压，第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g可以处于导通状态或开启状态。依据输入至第二切换端子9c处的切换电压是高电位电压或低电位电压，第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h可以处于导通状态或开启状态。而且，当输入至第二切换端子9c处的切换电压为高电位电压时，依据输入至第一切换端子9b处的切换电压是低电位电压或高电位电压，第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i可以处于导通状态或开启状态。由于当输入至第二切换端子9c处的切换电压是低电位电压时，第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h将处于开启状态，所以即使输入至第一切换端子9b处的切换电压为低电位电压，第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i也将处于开启状态。因此，当第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h或第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i中的至少一个处于开启状态时，在第三输出端子9f处将不会有电压出现。
由于当第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g处于开启状态时，形成使第一振荡晶体管2处于工作状态的偏置电压用的电流，将不会流经第一阻抗回路6，所以第一电压控制型振荡器1将处于非工作状态。
类似的，当第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h或第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i中的至少一个处于开启状态时，形成使第二振荡晶体管12处于工作状态的偏置电压用的电流，将不会流经第二阻抗回路15，所以第二电压控制型振荡器11将处于非工作状态。
上述工作方式已经表现在图2中。在图2中，参考标号SW1、SW2分别表示的是第一切换端子9b、第二切换端子9c，在参考标号SW1、SW2栏中的(H)表示的是高电位电压，(L)表示的是低电位电压。
参考标号Q1、Q2、Q3分别表示的是第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g、第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h、第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i，参考标号(ON)、(OFF)分别表示的是导通状态(闭合状态)、非导通状态(开启状态)。
参考标号VCO1、VCO2分别表示的是第一电压控制型振荡器1、第二电压控制型振荡器11，在参考标号VCO1、VCO2栏中的参考标号(DCS)表示第一电压控制型振荡器1在第一频率频带下产生振荡，参考标号(PCS)表示在第二频率频带下产生振荡。参考标号(GSM)表示第二电压控制型振荡器11在第三频率频带下产生振荡。
当处于第一切换模式(No.1)时，第一切换端子9b、第二切换端子9c(SW1、SW2)同时处于低电压电位(L)，第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g至第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i(Q1至Q3)均处于非导通状态(OFF)。因此，第一电压控制型振荡器1、第二电压控制型振荡器11(VCO1、VCO2)均处于非工作状态。
当处于第二切换模式(No.2)时，第一切换端子9b(SW1)处于低电压电位(L)，第二切换端子9c(SW2)处于高电压电位(H)，所以第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g(Q1)处于非导通状态(OFF)，而第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h、第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i(Q2、Q3)处于导通状态(ON)。因此，第一电压控制型振荡器1(VCO1)处于非工作状态，第二电压控制型振荡器11(VCO2)处于工作状态。
当处于第三切换模式(No.3)时，第一切换端子9b(SW1)处于高电压电位(H)，第二切换端子9c(SW2)处于低电压电位(L)，所以第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g(Q1)处于导通状态(ON)，而第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h、第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i(Q2、Q3)处于非导通状态(OFF)。因此，第一电压控制型振荡器1(VCO1)处于工作状态，而且是在第一频率频带下产生振荡。第二电压控制型振荡器11(VCO2)处于非工作状态。
当处于第四切换模式(No.4)时，第一切换端子9b、第二切换端子9c(SW1、SW2)同时处于高电压电位(H)，第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9g和第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9h(Q1和Q2)处于导通状态(ON)，第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9i(Q3)处于非导通状态(OFF)。因此，第一电压控制型振荡器1(VCO1)在第二频率频带下产生振荡，第二电压控制型振荡器11(VCO2)处于非工作状态。
如上所述，本发明可以通过输入至两个切换端子9b、9c处的切换电压，而形成四种切换模式，从而可以在各频率频带下均不产生振荡，或是分别在三个频率频带下产生振荡。
图3和图4表示的是作为根据本发明构造的三频带切换型振荡器的第二实施例，其中对切换回路9的结构构成形式进行了改动。
正如图3所示，第一阻抗回路6中的阻抗部件6a连接在电源电压施加端7与第一振幅放大晶体管5a上的基极之间，阻抗部件6c连接在第一振荡晶体管2上的基极与发射极之间。切换回路9还可以具有第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j、第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k、以及第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l。
电源电压Vb输入至切换回路9中的电压输入端子9a处，第一输出端子9d与第一振荡晶体管2上的发射极和第一阻抗回路6中的阻抗部件6c相连接。第二输出端子9e与开关二极管3d上的阳极相连接，第三输出端子9f与第二阻抗回路15上的阻抗部件15a相连接。
在第一输出端子9d与接地点之间，还安装有作为第一开关组件的第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j，而且第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j上的集电极与第一输出端子9d相连接，发射极与接地点相连接。
在电压输入端子9a和第三输出端子9f之间还安装有第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k和第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l。而且，第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k和第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l还构成为第二开关组件。
第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k和第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l上的各发射极与电压输入端子9a相连接，第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l上的集电极与第三输出端子9f相连接，第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k上的集电极与第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l上的基极相连接。
第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j上的基极与第一切换端子9b相连接，第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k上的基极与第二切换端子9c相连接，第二输出端子9e与第二切换端子9c相连接。第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k上的集电极和第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l上的基极，通过阻抗部件9m与第一切换端子9b相连接。
具有如图3所述结构构成的振荡器可以按照如下所述的方式工作。依据输入至第一切换端子9b处的切换电压是高电位电压或低电位电压，第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j可以处于导通状态或开启状态。依据输入至第二切换端子9c处的切换电压是高电位电压或低电位电压，第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k可以处于开启状态或导通状态。而且，当输入至第二切换端子9c处的切换电压为高电位电压(从而使第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k处于开启状态)时，依据输入至第一切换端子9b处的切换电压是低电位电压或高电位电压，第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l可以处于导通状态或开启状态。由于当输入至第二切换端子9c处的切换电压是低电位电压时，第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k将处于导通状态(ON状态)，所以即使输入至第一切换端子9b处的切换电压为低电位电压，第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l也不会处于导通状态。因此，当第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k处于导通状态或第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l处于开启状态时，在第三输出端子9f处将不会有电压出现。
并且，当第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j处于开启状态时，使第一振荡晶体管2处于工作状态的电流，将不会流经第一阻抗回路6、第一振荡晶体管2上的集电极、发射极，所以第一电压控制型振荡器1将处于非工作状态。
类似的，当第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k处于导通状态(ON)或第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l处于开启状态时，形成使第二振荡晶体管12处于工作状态的偏置电压用的电流，将不会流经第二阻抗回路15，所以第二电压控制型振荡器11将处于非工作状态。
上述工作方式已经表现在图4中。在图4中，参考标号Q4、Q5、Q6分别表示的是第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j、第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k、第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l，其它参考标号与图2中的含义相同。
当处于第一切换模式(No.1)时，第一切换端子9b、第二切换端子9c(SW1、SW2)同时处于低电压电位(L)，第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j至第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l(Q4至Q6)均处于非导通状态(OFF)。因此，第一电压控制型振荡器1、第二电压控制型振荡器11(VCO1、VCO2)均处于非工作状态。
当处于第二切换模式(No.2)时，第一切换端子9b(SW1)处于低电压电位(L)，第二切换端子9c(SW2)处于高电压电位(H)，所以第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j、第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k(Q4、Q5)处于非导通状态(OFF)，而第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l(Q6)处于导通状态(ON)。因此，第一电压控制型振荡器1(VCO1)处于非工作状态、第二电压控制型振荡器11(VCO2)处于工作状态。
当处于第三切换模式(No.3)时，第一切换端子9b(SW1)处于高电压电位(H)，第二切换端子9c(SW2)处于低电压电位(L)，所以第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j、第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k(Q4、Q5)处于导通状态(ON)，而第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l(Q6)处于非导通状态(OFF)。因此，第一电压控制型振荡器1(VCO1)处于工作状态，而且是在第一频率频带下产生振荡。第二电压控制型振荡器11(VCO2)处于非工作状态。
当处于第四切换模式(No.4)时，第一切换端子9b、第二切换端子9c(SW1、SW2)同时处于高电压电位(H)，第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管9j(Q4)处于导通状态(ON)，第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9k、第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管9l(Q5、Q6)均处于非导通状态(OFF)。因此，第一电压控制型振荡器1(VCO1)在第二频率频带下产生振荡，第二电压控制型振荡器11(VCO2)处于非工作状态。
如上所述，当采用该第二实施例时，本发明也可以通过输入至两个切换端子9b、9c处的切换电压，而形成四种切换模式，从而可以在各频率频带下均不产生振荡，或是分别在三个频率频带下产生振荡。
在如上所述的、根据本发明构造的三频带切换型振荡器中，第一频率频带与第二频率频带彼此相互接近(比如说其中心频率之差仅为130兆赫兹(MHz)左右)，而这两个频率频带与第三频率频带彼此相互远离(比如说其中心频率之差为900兆赫兹(MHz)左右)，因此能够产生位于第一频率频带和第二频率频带的振荡的第一电压控制型振荡器1，可以实现稳定产生振荡的振荡工作。
如上所述，如果采用本发明的这种三频带切换型振荡器，由于具有可以将第一和第二电压控制型振荡器切换至工作状态或非工作状态的、并且可以对第一电压控制型振荡器的振荡频率频带实施切换的切换回路，而且切换回路可以具有第一开关组件，第二开关组件，以及输入切换电压用的第一和第二切换端子，因此当输入至第一切换端子处的切换电压是低电位电压或高电位电压时，第一开关组件可以处于开启状态或闭合状态，从而可以相应于输入至第二切换端子处的切换电压是高电位电压或低电位电压，而对振荡频率频带实施切换，第二开关组件仅在输入至第二切换端子处的切换电压为高电位电压时，可以依据输入至第一切换端子处的切换电压为高电位电压而处于开启状态，并且可以依据切换电压为低电位电压而处于闭合状态，当输入至第二切换端子处的切换电压为低电位电压时，不论输入至第一切换端子处的切换电压是高电位电压或低电位电压其均处于开启状态，所以本发明可以通过输入至两个切换端子处的切换电压而形成四种切换模式，从而可以在各频率频带下均不产生振荡，或是分别在三个频率频带下产生振荡。
而且，由于本发明可以进一步在第一电压控制型振荡器处设置有第一振荡晶体管，在第二电压控制型振荡器处设置有第二振荡晶体管，并且可以使第一振荡晶体管上的基极在供给偏置电压用的第一阻抗回路处，与第一开关组件串联连接，使第二振荡晶体管上的基极在供给偏置电压用的第二阻抗回路处，与第二开关组件串联连接，所以本发明还可以通过简单的方式，将第一和第二电压控制型振荡器切换至工作状态或非工作状态。
而且，由于本发明可以进一步使第一开关组件由集电极与电源电压施加端相连接且发射极与所述第一阻抗回路相连接的第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管构成，使第二开关组件由集电极与电源电压施加端相连接的第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管，以及其发射极与第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管上的发射极相连接且集电极与第二阻抗回路相连接的第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管构成，并且可以使第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管和第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的各基极与第一切换端子相连接，使第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管上的基极与第二切换端子相连接，所以本发明还可以通过第一负极-正极-负极型(NPN型)晶体管将第一电压控制型振荡器切换至工作状态或非工作状态，通过第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管和第一正极-负极-正极型(PNP型)晶体管，将第二电压控制型振荡器切换至工作状态或非工作状态。
而且，由于本发明可以进一步在第一电压控制型振荡器处设置有共振线路，以及与共振线路并联连接着的开关二极管，并且可以使开关二极管上的阴极与接地点相连接，阳极与第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管上的发射极相连接，所以本发明还可以通过第二负极-正极-负极型(NPN型)晶体管，对第一电压控制型振荡器的振荡频率频带实施切换。
而且，由于本发明可以进一步在第一电压控制型振荡器处设置有第一振荡晶体管，在第二电压控制型振荡器处设置有第二振荡晶体管，并且可以将第一开关组件安装在第一振荡晶体管上的发射极与接地点之间，使第二开关组件与向第二振荡晶体管上的基极供给偏置电压用的第二阻抗回路串联连接，所以本发明还可以通过简单的方式，将第一和第二电压控制型振荡器切换至工作状态或非工作状态。
而且，由于本发明可以进一步使第一开关组件由集电极与第一振荡晶体管上的发射极侧相连接且发射极与接地点侧相连接的第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管构成，使第二开关组件由发射极一并与电源电压施加端相连接的第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管和第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管构成，并且可以使第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的集电极与第二阻抗回路相连接，使第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管上的基极与所述第一切换端子相连接，使第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的集电极和第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的基极相互连接，并且通过阻抗部件与第一切换端子相连接，使第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管上的基极与第二切换端子相连接，所以本发明还可以通过第三负极-正极-负极型(NPN型)晶体管将第一电压控制型振荡器切换至工作状态或非工作状态，通过第二正极-负极-正极型(PNP型)晶体管和第三正极-负极-正极型(PNP型)晶体管将第二电压控制型振荡器切换至工作状态或非工作状态。
而且，由于本发明可以进一步在第一电压控制型振荡器处设置有共振线路，以及与共振线路并联连接着的开关二极管，并且使开关二极管上的阴极与接地点相连接，阳极与第二切换端子相连接，所以本发明还可以通过输入至第二切换端子处的切换电压，直接对第一电压控制型振荡器的振荡频率频带实施切换。
而且，由于本发明可以进一步使第一频率频带与第二频率频带间的中心频率之差，比第一频率频带与第三频率频带间的中心频率之差和第二频率频带与第三频率频带间的中心频率之差小，所以本发明还可以利用第一电压控制型振荡器，在第一频率频带和第二频率频带下稳定地产生振荡。
权利要求
1.一种三频带切换型振荡器，该振荡器具有可以在第一或第二频率频带下切换产生振荡的第一电压控制型振荡器，可以在第三频率频带下产生振荡的第二电压控制型振荡器，以及可以将所述第一和第二电压控制型振荡器分别切换至工作状态或非工作状态的、并且可以对所述第一电压控制型振荡器的振荡频率频带实施切换的切换回路，其特征在于，所述切换回路具有使所述第一电压控制型振荡器处于工作状态用的电流流经的第一开关组件，使所述第二电压控制型振荡器处于工作状态的电流流经的第二开关组件，以及输入切换电压的第一和第二切换端子，相应于输入至所述第一切换端子处的切换电压是低电位电压或高电位电压，使所述第一开关组件处于开启状态或闭合状态，从而可以相应于输入至第二切换端子处的切换电压是高电位电压或低电位电压，而对所述振荡频率频带实施切换，所述第二开关组件仅在输入至所述第二切换端子处的切换电压为高电位电压时，依据输入至所述第一切换端子处的切换电压是高电位电压而使其处于开启状态，或是依据切换电压是低电位电压而使其处于闭合状态，当输入至所述第二切换端子处的切换电压为低电位电压时，不论输入至第一切换端子处的切换电压是高电位电压或低电位电压其均处于开启状态。
2.如权利要求1所述的三频带切换型振荡器，其特征在于在所述第一电压控制型振荡器处还设置有第一振荡晶体管，在所述第二电压控制型振荡器处还设置有第二振荡晶体管，供给偏置电压至所述第一振荡晶体管的基极的第一阻抗回路处，与所述第一开关组件串联连接，供给偏置电压至所述第二振荡晶体管的基极的第二阻抗回路处，与所述第二开关组件串联连接。
3.如权利要求2所述的三频带切换型振荡器，其特征在于所述第一开关组件由集电极与电源电压施加端相连接且发射极与所述第一阻抗回路相连接的第一负极-正极-负极型晶体管构成，所述第二开关组件由集电极与所述电源电压施加端相连接的第二负极-正极-负极型晶体管，以及其发射极与所述第二负极-正极-负极型晶体管上的发射极相连接且集电极与所述第二阻抗回路相连接的第一正极-负极-正极型晶体管构成，所述第一负极-正极-负极型晶体管和所述第一正极-负极-正极型晶体管上的各基极与所述第一切换端子相连接，所述第二负极-正极-负极型晶体管上的基极与所述第二切换端子相连接。
4.如权利要求3所述的三频带切换型振荡器，其特征在于在所述第一电压控制型振荡器处还设置有共振线路，以及与所述共振线路并联连接着的开关二极管，所述开关二极管上的阴极与接地点相连接，阳极与所述第二负极-正极-负极型晶体管上的发射极相连接。
5.如权利要求1所述的三频带切换型振荡器，其特征在于在所述第一电压控制型振荡器处还设置有第一振荡晶体管，在所述第二电压控制型振荡器处还设置有第二振荡晶体管，所述第一开关组件安装在所述第一振荡晶体管的发射极与接地点之间，所述第二开关组件与向所述第二振荡晶体管上的基极供给偏置电压的第二阻抗回路串联连接。
6.如权利要求5所述的三频带切换型振荡器，其特征在于所述第一开关组件由集电极与所述第一振荡晶体管上的发射极侧相连接且发射极与接地点侧相连接的第三负极-正极-负极型晶体管构成，所述第二开关组件由发射极一并与电源电压施加端相连接的第二正极-负极-正极型晶体管和第三正极-负极-正极型晶体管构成，所述第三正极-负极-正极型晶体管上的集电极与所述第二阻抗回路相连接，所述第三负极-正极-负极型晶体管上的基极与所述第一切换端子相连接，所述第二正极-负极-正极型晶体管上的集电极和所述第三正极-负极-正极型晶体管上的基极相互连接，并且通过阻抗部件与所述第一切换端子相连接，所述第二正极-负极-正极型晶体管上的基极与所述第二切换端子相连接。
7.如权利要求6所述的三频带切换型振荡器，其特征在于在所述第一电压控制型振荡器处还设置有共振线路，以及与所述共振线路并联连接着的开关二极管，所述开关二极管上的阴极与接地点相连接，阳极与所述第二切换端子相连接。
8.如权利要求1所述的三频带切换型振荡器，其特征在于所述第一频率频带与所述第二频率频带间的各中心频率之差，比所述第一频率频带与所述第三频率频带间的各中心频率之差及所述第二频率频带与所述第三频率频带间的各中心频率之差小。
全文摘要
本发明涉及一种三频带切换型振荡器,其中对第一和第二电压控制型振荡器的工作状态,以及对第一电压控制型振荡器的振荡频率频带实施切换的切换回路,是一种具有第一开关、第二开关、以及第一和第二切换端子的切换回路,其中第一开关相应于输入至第一切换端子处的切换电压实施切换,从而可以与相应于输入至第二切换端子处的切换电压实施振荡频率频带切换。
文档编号H03B5/02GK1332517SQ0111830
公开日2002年1月23日 申请日期2001年5月22日 优先权日2000年6月1日
发明者中野一博, 能味浩树, 长谷川勋 申请人:阿尔卑斯电气株式会社