专利名称：温度补偿压电振荡器及包含其的电子装置的制作方法
背景技术：
发明领域本发明涉及压电振荡器，尤其涉及温度补偿压电振荡器，它根据周围温度补偿振荡频率，并涉及包含温度补偿压电振荡器的电子装置。
相关技术的描述一般，压电振荡器包括压电元件，诸如晶体条带，其根据所施加的电压以预定频率谐振，以及放大电路，它用于通过压电元件放大谐振信号并用于输出被放大的谐振信号。诸如晶体条带的压电元件的谐振频率取决于温度。因此，即使施加相同的电压，谐振频率也随元件温度的变化而变化。
为了解决该问题，已知包含连接到压电元件的可变电容元件(诸如，变容二极管)和温度补偿电压生成电路的多种温度补偿压电振荡器，其中温度补偿电压生成电路用于根据环境温度改变施加到可变电容元件上的电压(例如，参加专利文献1日本未审查的专利申请公开No.2002-135053；专利文献2日本未审查的专利申请公开No.2002-76773；以及专利文献3日本未审查的专利申请公开No.6-224635)。
在这种温度补偿压电振荡器中，谐振频率取决于压电元件和可变电容元件的组合电容。调节施加到可变电容元件上的电压改变可变电容元件的电容。结果，改变组合的电容，且改变谐振频率。通过设定谐振频率的变化量以补偿由于压电元件的温度引起的谐振频率的变化量，就可以提供输出具有恒定谐振频率的高频信号而不受周围温度影响的温度补偿压电振荡器。
在每一种已知的温度补偿压电振荡器中，来自温度补偿电压生成电路的输出电压被施加到可变电容元件(例如，变容二极管)的一端，且可变电容元件的另一端接地或者设定为恒定电压。
这种温度补偿压电振荡器安装在移动通信装置或其它合适的装置上，并用作参考信号源。近些年，移动通信装置需要电压的减小。由于该减小，就需要用作参考信号源的温度补偿压电振荡器的电压减小。
已知的温度补偿电压生成电路包括热敏元件，如上述专利文献中描述的。将较低的电压施加到电路上会生成与温度相对应的输出电压，并将该电压提供到可变电容元件。通常，由于电路的简化，温度补偿压电振荡器的电源电压被用作电压源，用于将较低的电压提供给温度补偿电压生成电路。
因此，如上所述，按照温度补偿压电振荡器中的电压减小，减少提供给温度补偿电压生成电路的电压。结果，输出电压，即提供给可变电容元件的电压的最大值，被减小。因此，施加到可变电容元件上的电压范围减小，且电容中可能的变化范围减小。
相反，虽然压电元件(诸如石英晶体谐振器)的谐振频率取决于温度变化，谐振频率不取决于所施加的电压。因此，即使温度补偿压电振荡器的电压减少，相对于温度变化的谐振频率的变化量也不会变化。
因此，在从温度补偿电压生成电路生成的电压范围内，不能实现对压电元件的谐振频率的足够温度补偿。
发明内容
为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种温度补偿压电振荡器，它确保温度补偿并且即使在降低电源电压时也能输出具有恒定谐振频率的高频信号，以及包含这种新颖的温度补偿压电振荡器的电子装置。
根据本发明的较佳实施例，在包含压电元件、连接到压电元件的一端的放大电路、连接到压电元件的另一端的可变电容元件以及用于将与温度相对应的电压施加到可变电容元件上的补偿电压生成电路的温度补偿压电振荡器中，补偿电压生成电路包括用于将可根据周围温度变化的第一电压施加到可变电容元件的一端上的第一电压生成电路以及用于将可根据周围温度在与第一电压相反的方向上变化的第二电压施加到可变电容元件的另一端上的第二电压生成电路。
采用这种结构，可根据周围温度变化并根据由第一电压生成电路生成的第一电压和由第二电压生成电路生成的第二电压之间的电位差的电压被施加到与压电元件相联的可变电容元件上。因此，通过将由第一电压生成电路生成的可能电压的范围设定成与由第二电压生成电路生成的可能电压的范围不同，与可变电容元件的一端被设定为恒定电压的情况相比，就可以将更宽电压范围中依赖温度的电压变化施加到可变电容元件上。因此，增加了可变电容元件的电容范围，且该电容根据周围温度而变化。结果，即使减小电源电压，也不会减小电容范围，且电容根据温度在电容范围内剧烈变化。通过将由温度引起的电容变化量设定为同由压电元件的温度引起的谐振频率的变化量相对应，包含压电元件和可变电容元件的谐振电路的谐振频率就得以补偿。
此外，第一和第二电压生成电路中的每一个优选包括至少一个热敏元件和多个电阻元件。
热敏元件优选是热敏电阻器。
采用这种结构，将电压施加到可变电容元件上的第一和第二电压生成电路中的每一个都由包含热敏电阻器和电阻器的简单的模拟网络限定。
较佳地，温度补偿压电振荡器进一步包括用于检测周围温度并用于生成与检测出的温度相对应的温度补偿数据的温度补偿数据生成电路。第一和第二电压生成电路中的每一个都包括DA转换器，它用于将数字格式的温度补偿数据转换成模拟信号。
采用这种结构，温度补偿数据生成电路预先存储与检测出的温度相对应的温度补偿数据，且与检测出的温度相对应的温度补偿数据被输出到第一和第二电压生成电路中的每一个。第一和第二电压生成电路中的每一个将数字格式中的温度补偿数据转换成模拟格式的电压信号，并将该电压信号施加到可变电容元件上。可变电容元件的电容根据从第一电压生成电路施加的电压信号和从第二电压生成电路施加的电压信号之间的电位差而变化。由于温度补偿数据对应于由于压电元件的温度引起的谐振频率的变化量，包括压电元件和可变电容元件的谐振电路的谐振频率适当地得以补偿。
压电元件优选是AT-切割石英晶体谐振器。
可变电容元件优选是可变电容二极管(变容二极管)。
根据本发明的另一个较佳实施例，一种电子装置包括上述温度补偿压电振荡器。
如上所述，根据本发明的各种较佳实施例，根据温度在相互相反的方向上可变的电压从相应的电压生成电路施加到可变电容元件的相应端部，其会影响振荡频率。因此，提供了一种确保振荡频率的温度补偿并输出即使在降低电源电压时其振荡频率也不取决于温度的高频信号的温度补偿压电振荡器。
此外，根据本发明的较佳实施例，由于用于生成温度补偿电压的每个电路都由仅包含热敏电阻器和电阻器的简单的模拟电路限定，温度补偿压电振荡器具有简单的结构。
根据本发明的各种较佳实施例，与周围温度相对应的温度补偿数据被预先存储并输出到不同的DA转换器以便被转换成电压信号，且该电压信号被施加到可变电容元件的端部。因此，提供了一种温度补偿压电振荡器，它确保振荡频率的温度补偿并输出即使在降低电源电压时其振荡频率也不取决于温度的高频信号。
此外，根据本发明的较佳实施例，通过提供温度补偿压电振荡器，提供了稳定地以低电源电压工作而不受周围温度和工作温度影响的电子装置。
通过以下较佳实施例的详细描述并参考附图将使本发明的其它特点、元件、步骤、特性和优点将变得显而易见。
附图概述
图1是示出根据本发明第一较佳实施例的温度补偿压电振荡器的结构的等效电路图。
图2包括一图表，它示出了图1所示的温度补偿压电振荡器中温度补偿电压生成电路的温度补偿输出电压(电位差)的温度从属性；另一图表，它示出已知的温度补偿压电振荡器中温度补偿电压生成电路的温度补偿输出电压的温度从属性；以及一等效电路图，它示出已知温度补偿压电振荡器中的温度补偿电压生成电路。
图3是根据本发明第二较佳实施例的温度补偿压电振荡器的等效电路图。
图4是根据本发明第三较佳实施例的温度补偿压电振荡器的等效电路图。
图5是一图表，它示出图4所示的温度补偿压电振荡器中的温度补偿电压生成电路的温度补偿输出电压(电位差)的温度从属性。
图6是根据本发明第四较佳实施例的温度补偿压电振荡器的等效电路图。
图7是一图表，它示出变容二极管VD的电容的施加电压特性。
图8是一图表，它示出图6所示的温度补偿压电振荡器的温度补偿电压生成电路的温度补偿输出电压(电位差)的温度从属性。
图9是示出通信装置的框图，它是根据本发明较佳实施例的电子装置的一个实例。
具体实施例方式
将参考图1和2描述根据本发明第一较佳实施例的温度补偿压电振荡器。
图1是根据本发明较佳实施例的温度补偿压电振荡器的等效电路图。
如图1所示，温度补偿压电振荡器优选包括AT-切割石英晶体谐振器(以下，简称“石英晶体谐振器”)XD，它是压电元件；连接到石英晶体谐振器XD的一端的放大电路3；作为可变电容元件的变容二极管VD，它连接到石英晶体谐振器XD的另一端；以及温度补偿电压生成电路10。来自温度补偿电压生成电路10的两个输出分别经由电阻器R11和R12连接到变容二极管VD的端部。
温度补偿电压生成电路10包括连接到电阻器R11的第一电压生成电路1和连接到电阻器R12的第二电压生成电路2。第一和第二电压生成电路1和2的每一个都连接到电源电压(Vcc)端子4并接地。
第一电压生成电路1包括连接到Vcc端子4的并联电路，其包括电阻器R1和热敏电阻器TH1，它是热敏元件，电阻器R3以及热敏电阻器TH3。电阻器R3和热敏电阻器TH3与并联电路串联，且热敏电阻器TH3的一端接地。同样，电阻器R3和并联电路(包括电阻器R1和热敏电阻器TH1)的连接点经由电阻器R11连接到变容二极管VD的阴极。
第二电压生成电路2包括连接到Vcc端子4的并联电路，其包括电阻器R2和热敏电阻器TH2，它是热敏元件，以及电阻器R4。电阻器R4与并联电路串联，且电阻器R4的一端接地。同样，电阻器R4和并联电路(包括电阻器R2和热敏电阻器TH2)的连接点经由电阻器R12连接到变容二极管VD的阳极。
变容二极管的阳极连接到石英晶体谐振器XD。变容二极管VD的阴极经由高频旁路电容器C1接地。
放大电路3中NPN晶体管Tr的基极连接到石英晶体谐振器XD，且晶体管Tr的集电极经由电阻器R22连接到Vcc端子4，且晶体管Tr的发射极经由电阻器R23和电容器C12接地。此外，反馈电容器C11连接于晶体管Tr的发射极和基极之间。用于提供偏置电流的电阻器R21连接于晶体管Tr的基极和Vcc端子4之间。此外，晶体管Tr的集电极经由电容器C14连接到输出端子5。此外，Vcc端子4经由电容器C13而RF接地。结果，在石英晶体谐振器XD的谐振频率处，晶体管Tr具有负电阻。
温度补偿电压生成电路10的第一电压生成电路1经由电阻器R11将电压信号施加到变容二极管VD的阴极，该电压信号用包含电阻器R1和热敏电阻器TH1的并联电路与包含电阻器R3和热敏电阻器TH3的串联电路之间的标度比划分电源电压Vcc。相反，第二电压生成电路2经由电阻器R12将电压信号施加到变容二极管VD的阳极，该电压信号用于电阻R4与包含电阻R2和热敏电阻器TH2的并联电路之间的标度比划分电源电压Vcc。
变容二极管VD用作电容元件，其电容根据来自第二电压生成电路2的电压和来自第一电压生成电路1的电压之间的电位差而变化。
AT-切割石英晶体谐振器优选用作石英晶体谐振器XD。石英晶体谐振器XD的谐振频率基于与周围温度有关的三次函数而变化。此外，石英晶体谐振器XD的电容、变容二极管的电容和电容器C1的电容限定谐振电路。石英晶体谐振器XD以与这些元件的组合电容相对应的谐振频率与放大电路3一起谐振。
放大电路3的晶体管Tr以电源电压Vcc工作，与上述谐振电路一起振荡，并将谐振信号输出到输出端子5。
根据周围温度的变化，使从第一电压生成电路1输出的电压信号的电压电平以及从第二电压生成电路2输出的电压信号的电压电平变化。
图2(a)是一图表，它示出了图1所示的温度补偿压电振荡器中温度补偿电压生成电路的温度补偿输出电压(电位差)(即施加于变容二极管VD的阴极和阳极之间的电压)的温度从属性。图2(b)是另一图表，它示出已知的温度补偿压电振荡器中温度补偿电压生成电路的温度补偿输出电压(即施加于变容二极管VD的阴极和阳极之间的电压)的温度从属性。图2(c)是已知温度补偿压电振荡器中的温度补偿电压生成电路的一等效电路图。图2(a)示出了以下情况下的模拟结果在图1中，电阻器的电阻被设定为R1＝30kΩ，R2＝20kΩ，R3＝1kΩ且R4＝1kΩ，其中热敏电阻器在25℃时的电阻被设定为TH1＝2.31kΩ，TH2＝46.2kΩ且TH3＝462Ω，其中每个热敏电阻器的B常数被设定为约3000和4000之间，且其中Vcc被设定为3V。此外，图2(b)示出以下情况下的模拟结果在图2(c)中，电阻器的电阻被设定为R01＝30kΩ，R02＝10kΩ且R03＝10kΩ，其中热敏电阻器在25℃时的电阻被设定为TH1＝18.5kΩ，TH2＝1.24kΩ且TH3＝201kΩ，其中每个热敏电阻器的B常数优选被设定为3000和4000之间，且Vcc被设定为3V。
因此，如图2所示，即使提供相同的电源电压Vcc，与已知实例中的输出电位差的范围(约为0.7V)相比，使用根据本发明较佳实施例的温度补偿电压生成电路将输出电位差的范围增加到约1.2V。换句话说，即使减少电源电压Vcc，施加到变容二极管上的电压范围(电位差)中的降低也得到抑制。这是因为来自温度补偿电压生成电路10的两个输出电压至少在一部分温度范围内在彼此相反的方向上变化。
由于变容二极管VD用作电容元件，其电容基于上述的电位差，所以实现了比已知实例更宽的电容范围。换句话说，即使在电源电压下降时，温度补偿电压生成电路的上述结构抑制变容二极管VD的电容范围的降低。
结果，包括石英晶体谐振器XD、变容二极管VD和电容器C1的谐振电路的组合电容充分改变，且变化的组合电容运作以充分改变谐振电路的谐振频率。
相反，由于石英晶体谐振器XD原本具有温度从属性，如上所述，谐振频率根据周围温度的变化而改变。
预先设定温度补偿电压生成电路的电阻器和热敏电阻器，从而由于变容二极管VD的电容变化量引起的谐振频率的变化量以及由于石英晶体谐振器XD的温度变化引起的谐振频率的变化量彼此补偿。因此，即使减少电源电压，也能抑制谐振频率的变化。换句话说，输出具有稳定的振荡频率而不依赖环境温度的高频信号。
将参考图3描述根据本发明较佳实施例的温度补偿压电振荡器。图3是根据该较佳实施例的温度补偿压电振荡器的等效电路图。
如图3所示，温度补偿压电振荡器优选包括石英晶体谐振器XD、包括石英晶体谐振器XD的放大电路30、作为可变电容元件并经由电容器C32连接到石英晶体谐振器XD的变容二极管VD以及温度补偿电压生成电路11。来自温度补偿电压生成电路11的两个输出分别经由低通滤波器LPF34和LPF35连接到变容二极管VD的端部。
温度补偿电压生成电路11包括连接到低通滤波器LPF35的第一DA转换器32和连接到低通滤波器LPF34的第二DA转换器33。第一DA转换器32和第二DA转换器33中的每一个都连接到驱动电压(Vdd)端子4’。此外，第一DA转换器32和第二DA转换器33中的每一个都连接到温度补偿数据控制器31并被接地(Vss)。
变容二极管VD的阳极经由电容器C32连接到放大电路30的石英晶体谐振器XD并连接到低通滤波器LPF34。变容二极管VD的阴极经由高频旁路电容器C1接地并连接到低通滤波器LPF35。
在放大电路30中，石英晶体谐振器XD、倒相器36和电阻器R30相互并联。并联点分别经由电容器C33和C34接地。同样，放大电路30的输出侧(倒相器36的输出侧)连接到输出端子5。这里，上述Vdd和Vss用作包含倒相器36的IC的电源。
温度补偿数据控制器31预先在存储器中存储与周围温度相对应的温度补偿数据。温度补偿数据控制器31根据温度检测单元检测出的温度从该存储器读取温度补偿数据，并将该温度补偿数据输出到DA转换器32和DA转换器33。根据放大电路30中石英晶体谐振器XD的谐振频率的温度从属性，温度补偿数据确定要施加到变容二极管VD端部的电压(电位差)，并存储要输出到DA转换器32的数据和要输出到DA转换器33的数据。
当温度补偿数据控制器31将与检测出的温度相对应的温度补偿数据输出到温度补偿电压生成电路11的DA转换器32和DA转换器33时，DA转换器32和DA转换器33将相应的温度补偿数据数模转换，并将被转换的温度补偿数据作为模拟格式的电压信号输出。这些电压信号分别经由低通滤波器LPF34和LPF35被施加到变容二极管VD的端部。
变容二极管VD的电容根据来自DA转换器33的电压信号和来自DA转换器32的电压信号之间的差(电位差)改变，并用作电容元件。
AT-切割晶体条带优选用作放大电路30的石英晶体谐振器XD。石英晶体谐振器XD的谐振频率基于相对于周围温度的三次函数而变化。由于谐振频率受变容二极管的电容影响，根据温度改变电容能抑制由于周围温度引起的谐振频率变化。换句话说，预先存储在温度补偿数据控制器31中的温度补偿数据被设定，从而根据被检测的温度通过变容二极管VD的电容抑制石英晶体谐振器XD的谐振频率变化。因此，输出具有恒定振荡频率而不依赖温度的高频信号。
虽然在该较佳实施例中在DA转换器32和DA转换器33的输出侧处提供低通滤波器LPF34和LPF35，但也可省去低通滤波器LPF34和LPF35。
将参考图4和5描述根据第三较佳实施例的温度补偿压电振荡器。
图4是根据该较佳实施例的温度补偿压电振荡器的等效电路图。
图4所示的温度补偿压电振荡器优选具有同图1所示的温度补偿压电振荡器相同的结构，其区别在于，图1所示的温度补偿压电振荡器的第一电压生成电路1由第一电压生成电路1’取代。在第一电压生成电路1’中，省去了图1所示的第一电压生成电路1的热敏电阻器TH3。
图5是一图表，它示出图4所示的温度补偿压电振荡器中的温度补偿电压生成电路的温度补偿输出电压(电位差)的温度从属性。图5示出如下情况中的模拟结果图4中，电阻器的电阻被设定为R1＝50kΩ，R2＝100kΩ，R3＝20kΩ且R4＝1kΩ，其中热敏电阻器在25℃时的电阻被设定为TH1＝2.31kΩ且TH2＝46.2kΩ，其中每一个热敏电阻器的B常数被设定为约3000和约4000之间，且Vcc被设定为3V。
因此，图4所示的电路结构允许施加到变容二极管VD上的电压(电位差)位于近似对应于三次函数的曲线中。因此，石英晶体谐振器的谐振频率中的几乎所有变化都得到补偿。
结果，输出具有近似恒定振荡频率而不依赖周围温度的高频信号的温度补偿压电振荡器可以具备更简单的结构。
将参考图6到8描述根据第四较佳实施例的温度补偿压电振荡器。
图6是根据这个较佳实施例的温度补偿压电振荡器的等效电路图。
图6所示的温度补偿压电振荡器优选具有同图4所示的温度补偿压电振荡器相同的结构，其区别在于图4所示的温度补偿压电振荡器的第二电压生成电路2由第二电压生成电路2’取代。在第二电压生成电路2’中，Vcc端子4连接到电阻器R4，电阻器R4连接到包含热敏电阻器TH2和电阻器R2的并联电路，且该并联电路的一端接地。此外，电阻器R4与并联电路的连接点经由电阻器R12连接到变容二极管VD。
采用这种结构，由于元件(电阻器R1到R4以及热敏电阻器TH1和TH2)的元件值(阻抗)的设定和温度补偿电压生成电路13中热敏电阻器的B常数的组合，可以将负电压(在二极管方面是正向偏置电压)施加到变容二极管VD上。
图7是示出变容二极管VD的电容的施加电压特性的图表。在该图表中，施加电压的正向表示二极管特性方面中的反方向。如该图表所示，当施加电压降低到负电压时，变容二极管VD的电容增加。该电容一直增加，直到其达到电压Vf，在该电压Vf处，电流开始在二极管中流动。
图8是一图表，它示出图6所示的温度补偿压电振荡器的温度补偿电压生成电路的温度补偿输出电压(电位差)的温度从属性。图8示出了以下情况中的模拟结果图6中，电阻器的电阻被设定为R1＝50kΩ，R2＝20kΩ，R3＝20kΩ且R4＝20kΩ，其中热敏电阻器在25℃时的电阻被设定为TH1＝23.1kΩ且TH2＝37.0kΩ，其中每个热敏电阻器的B常数被设定于约3000和约4000之间，且Vcc被设定为3V。
因此，图6所示的电路结构允许施加到变容二极管VD上的电压(电位差)位于近似对应于三次函数的曲线中，并增加施加到变容二极管VD上的电压(电位差)的范围。因此，即使使用高度依赖于温度的石英晶体谐振器，即该石英晶体谐振器的谐振频率根据周围温度剧烈变化，谐振频率的几乎所有的变化都可以得到补偿。
结果，提供了输出具有近似恒定的振荡频率而不依赖周围温度的高频信号的温度补偿压电振荡器。
虽然在每一个前述较佳实施例中都已说明了包括Colpitts振荡电路和倒相器振荡电路的温度补偿压电振荡器，通过使用诸如Hartley振荡电路、Pierce振荡电路或Clapp振荡电路的振荡电路也可以实现类似的优点。此外，虽然已说明了包含双极晶体管的振荡电路，但也可使用场效应晶体管。此外，通过使用包括逻辑元件(诸如CMOS)的振荡电路也可以实现类似优点。同样，通过在每一个上述较佳实施例中示出的温度补偿电压生成电路中插入电路元件(诸如电容器和电感器)也可以实现类似的优点。同样，压电元件不限于石英晶体谐振器。通过使用表面声波谐振器、使用体积谐振(bulk resonance)的陶瓷谐振器、钽酸锂谐振器或者铌酸锂谐振器也可以获得类似优点。
将参考图9描述根据第五较佳实施例的电子装置。
图9是示出作为电子装置实例的通信装置的框图。
如图9所示，通信装置90包括天线901、双工器902、放大器903a和903b、混频器904a和904b、电压控制振荡器905、PLL电路906、低通滤波器907、根据本发明的温度补偿压电振荡器910、调制器Tx和解调器Rx。
PLL电路906接受来自电压控制振荡器905的输出信号，比较输出信号的相位和温度补偿压电振荡器910的振荡信号的分隔信号，并输出控制电压，从而电压控制振荡器905具有预定频率。
电压控制振荡器905经由低通滤波器907在控制端子处接收控制电压，并输出与该控制电压相对应的高频信号。高频信号被提供给混频器904a和904b中的每一个作为局部振荡信号。
混频器904a混合中频信号和从调制器Tx输出的局部振荡信号，并将混合信号转换成传输信号。传输信号由放大器903a放大，并经由双工器902从天线901发出。
在天线901处接收的接收信号经由双工器902由放大器903b放大。混频器904b混合通过放大器903b放大的接收信号和来自电压控制振荡器905的局部振荡信号，并将该混合信号转换成中频信号。该中频信号由解调器Rx检测。
如上所述，每一个前述较佳实施例中示出的温度补偿压电振荡器910的使用实现了具有优良通信特性的紧凑的通信装置。虽然已说明了通信装置90作为包含根据本发明的各种较佳实施例的温度补偿压电振荡器的电子装置，但根据本发明的电子装置不限于通信装置。
虽然已相对于较佳实施例描述了本发明，但本技术领域内的熟练技术人员显而易见的是，所揭示的发明可以按许多方式修改并可以假定除这里特别说明和以上描述的那些之外的许多实施例。因此，所附权利要求书旨在覆盖落在本发明的真实精神和范围之内的本发明的所有修改。
权利要求
1.一种温度补偿压电振荡器，其特征在于，包括；压电元件；放大电路，它连接到所述压电元件的一端部；可变电容元件，它连接到所述压电元件的另一端部；以及补偿电压生成装置，它用于将与温度相对应的电压施加到该可变电容元件上；其中补偿电压生成装置包括第一电压生成装置和第二电压生成装置，其中第一电压生成装置用于将根据周围温度可变的第一电压施加到所述可变电容元件的一端部上，而第二电压生成装置用于将根据周围温度在第一电压相反的方向上可变的第二电压施加到可变电容元件的另一端部上。
2.如权利要求1所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于，所述第一、第二电压生成装置每一个都包括至少一个热敏元件和多个电阻元件。
3.如权利要求2所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于，热敏元件是热敏电阻器。
4.如权利要求1所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于，包括温度补偿数据生成装置，它用于检测周围温度并用于生成与检测出的温度相对应的温度补偿数据；其中所述第一、第二电压生成装置具有，把数字形式的所述温度补偿数据转换成模拟信号的DA转换装置。
5.如权利要求1～4任何一项所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于，所述压电元件是AT切割石英晶体谐振器。
6.如权利要求1～5任何一项所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于，可变电容元件是可变电容二极管。
7.一种包括如权利要求1～6任何一项所述的温度补偿压电振荡器的电子装置。
全文摘要
一种温度补偿压电振荡器包括AT－切割石英晶体谐振器，连接到该石英晶体谐振器的一端的放大电路，连接到石英晶体谐振器的另一端的变容二极管，以及经由电阻器连接到变容二极管的端部的温度补偿电压生成电路。该温度补偿电压生成电路包括含热敏电阻器和电阻器并连接到变容二极管的阴极的第一电压生成电路，并包括含热敏电阻器和电阻器并连接到变容二极管(VD)的阳极的第二电压生成电路。
文档编号H03B5/36GK1778034SQ20048000075
公开日2006年5月24日 申请日期2004年6月15日 优先权日2003年8月21日
发明者加藤章 申请人:株式会社村田制作所