弹性波器件及其制造方法

文档序号:7510781阅读:284来源:国知局
专利名称:弹性波器件及其制造方法
技术领域
本发明总体上涉及一种弹性波器件及该器件的制造方法,更具体地 涉及可以用作例如在电视机(在下文称为"TV")、视频磁带录像机(在下文称为"VTR")、 DVD (数字通用盘)录像机、便携式电话等的功能 单元中使用的滤波器件或谐振器的表面声波器件,或者使用压电膜的诸 10如FBAR (膜腔体声谐振器)的弹性波器件以及这些器件的制造方法。
背景技术
目前,作为弹性波器件,表面声波器件(在下文称为"SAW器件") 是对例如45 MHz到2 GHz波段的频带中的无线信号进行处理的各种应 15用电路,并广泛应用于发送带通滤波器、接收带通滤波器、本地发送滤 波器、天线双工器、中频滤波器、FM调制器等。诸如FBAR的弹性波器件也已经用作1 GHz到10 GHz的频带中的 滤波器。近来,这些信号处理器件的小型化已经有了进展,对于其中使用的 20诸如SAW器件和FBAR的电子部件的小型化的需求也越来越强烈。对于 可以在多个不同频带中使用的多波段便携式电话的需求变得越来越强 烈,并且,对于便携式电话,与单波段器件相比,更强烈地需要器件的 小型化和集成度。在这种便携式电话中,使用并有多个滤波器的多滤波器。对于该滤 25波器,在图1A、 1B和1C中(部件l、部件2和部件3)示出了并有两 个滤波器的对偶滤波器(dual filter)。图1A描绘了并有两个滤波器芯片Cl和C2的对偶滤波器的从电极 端子部一侧看到的结构的平面图。图1B和1C分别描绘了从图1A的电 极端子侧看去具有共同平面结构的不同对偶滤波器的第一示例和第二示
例,并描绘了沿着图1A的线A-B截取的剖面图。类似于单滤波器,端子电极包括信号电极(输入端子IN和输出端子 OUT)和接地电极GND,并且信号电极的数量与芯片的数量相对应地增 力口。常常使得接地电极GND为共用,以增强接地。 5 根据作为内插件的陶瓷基板的形状,该剖面图具有如图IB或图1C所示的结构。在图IB中,陶瓷基板1具有容器状的形状,在陶瓷基板1中,通过 倒装芯片3固定有其上分别形成有突起部的滤波器芯片Cl和C2。用气 密密封层2作为其盖来封闭该容器。滤波器芯片Cl和C2与陶瓷基板1 io之间的突起部3限定的空间是分别形成在滤波器芯片Cl和C2上的梳状 电极(其形成SAW器件)的传播空间IO。在陶瓷基板l的内部,形成有重新布线层ll,以使得由突起部3连 接的布线移动以使其位于端子电极IN和OUT-Cl及OUT-C2的位置、并 且为端子电极IN和OUT-Cl及OUT-C2的形状。当共用芯片的接地布线 15时,使用重新布线层ll。图1C描绘如下情况陶瓷基板1为板状la,与图1B的容器状类型 相似,通过倒装晶片3固定有其上分别形成有突起部3的滤波器芯片Cl 和C2。气密密封层2被形成为使其覆盖在滤波器芯片Cl和C2上。在板 状陶瓷基板la的情况下,由于没有框体而减小了空间,因此整体尺寸比 20容器型的情况可以进一步小型化。然而,由于板状类型与容器型的情况 相似地同样需要由突起部3限定的传播空间IO和重新布线层11,所以垂 直方向的厚度与图1B的容器形基板1的情况相比没有变化。在单滤波器的情况下,在晶片级,可以通过由形成上述传播空间10 和上述重新布线层11而进行的封装来实现小型化和较薄的形状。本申请 25的发明人在最近的专利申请(日本专利申请2005-290969号)中提出了对 单滤波器的晶片级封装的示例。对于对偶滤波器,由于对于各个频率的最佳电极膜厚度等是不同的, 所以多个器件中的每一个都需要作为一个芯片来单独使用,不能使用与 与用于单滤波器晶片级封装的方法相同的方法。 然而,作为在芯片级小型化多个芯片的方法,公知有在日本特开1998-215143号公报和日本特开1999-16845号公报中描述的技术。即, 如在这些专利文献中所示,提出了将芯片之间的芯片侧面相互直接接合 的方法,将各自形成为适合于各个使用频率的电极厚度的芯片相互直接5接合。根据上述日本特开1998-215143号公报中描述的发明,如从上述曰 本特开1998-215143号公报描绘的附图中引用的图2A和2B所示,通过 仅仅将芯片的侧面相互接合(图2A中的15)、或者仅将侧面的上部或下 部分别相互接合(图2B中的16和17),从而集成两个芯片。 io 另外,根据上述日本特开1999-16845号公报中描述的发明,如从上述日本特开1999-16845号公报描绘的附图中引用的图3所示,使用弹性 低于基板X的弹性的树脂粘接剂Y,仅将芯片的侧面相互接合,从而对 芯片进行集成。根据上述专利文献中的任一种方法,都假设将多个芯片在其集成后 15进一步装纳于容器内。因此,当将芯片在其集成后用作独立物品时,坚 固性是不够的。用于将多个器件相互连接的重新布线层11 (图1B和1C)对于多滤 波器是必要的。然而,在上述日本专利申请2005-290969号的方法中,与 上述日本特开1998-215143号公报和日本特开1999-16845号公报的常规 20技术的情况相似,在容器中形成布线层,因此,不能使器件在厚度方向 更薄。发明内容因此,本发明的目的在于,当通过按照接合滤波器恻面而集成在晶25片级封装的单滤波器的方法来构成对偶滤波器从而有助于小型化时,提高在集成之后的芯片间机械强度、并改进重新布线层的形成方法。为了实现上述目的,根据本发明的第一方面,提供了一种弹性波器 件,该弹性波器件是通过在至少两个表面声波器件之间填充树脂而接合 所述至少两个表面声波器件从而形成的,其中,各个表面声波器件包括 基板、设置在所述基板的表面上的功能部、以及形成所述功能部的操作 所必需的空间部分的凹陷,并且具有覆盖所述基板的表面的封装,其中, 所述至少两个表面声波器件中的每一个的封装的与通过在所述至少两个 表面声波器件之间填充树脂而接合的部分相对应的侧面包括至少一个切 5去部,并且其中,所述至少两个表面声波器件的基板的侧面、背面和正 面中的每一个的一部分覆盖有第一树脂,并且在所述封装的侧面上的所 述至少一个切去部内填充有所述第一树脂。所述至少两个表面声波器件 可以是分别具有彼此不同的频率工作范围的对偶滤波器。所述第一树脂 可以是诸如环氧树脂或聚酰亚胺树脂的热固树脂。所述第一树脂可以包10含诸如银、碳或金属细粉的导电填料,并且可以具有导电性。所述第一 树脂可以包含诸如二氧化硅或氮化铝的无机填料。为了实现上述目的,根据本发明的第二方面,提供了一种弹性波器 件,该弹性波器件是通过在至少两个表面声波器件之间填充树脂而接合 所述至少两个表面声波器件从而形成的,其中,各个表面声波器件包括15基板、设置在所述基板的表面上的功能部、以及形成所述功能部的操作 所必需的空间部分的凹陷,并且具有覆盖所述基板的表面的封装,其中, 所述封装的所有侧面中的每一个都包括至少一个切去部,其中所述至少 两个表面声波器件的基板的侧面、背面和正面中的每一个的一部分覆盖 有第一树脂,并且在所述封装的所有侧面上保留的至少一个切去部中填20充有所述第一树脂。在所述封装的所有侧面的每一个上保留的切去部的 数量中,所述封装的与通过在所述至少两个表面声波器件之间填充树脂 而接合的部分相对应的侧面上保留的切去部数量可以是最大的。可以在 基板的由于封装的切去部而露出的区域中形成接地端子。在所述封装上 的一层中,所述器件可以形成有电连接到所述至少两个表面声波器件的25电极的导电部以及具有光敏性的第二树脂层。所述第二树脂层可以由光 敏性环氧树脂或光敏性聚酰亚胺制成。在该第二树脂层上可以形成有连 接到所述导电部的焊球。为了实现上述目的,根据本发明的第三方面,提供了一种弹性波器 件的制造方法,该制造方法包括以下步骤在其上形成有粘接层的第一
支承基板上按如下方式布置各自形成有功能部的多个器件使得所述器 件的其上形成有所述功能部的表面面对所述粘接层;在布置在所述第一 支承基板上的所述多个器件的表面和侧面上涂布第一树脂,并在布置的所述多个器件之间填充所述第一树脂;使所述第一树脂固化;剥离所述 5第一支承基板;在所述器件的从其剥离了所述第一支承基板的一面上形 成具有光敏性的第二树脂层;通过对所述第二树脂层进行构图来为形成 布线的部分制造开口;在被打开作为开口的部分中填充电极层和焊料; 通过对填充的焊料进行重熔(reflow)而形成焊球;以及通过切割来分离 器件层,其中,布置在其上形成有粘接层的所述第一支承基板上的器件10具有基板、设置在所述基板的表面上的功能部、以及形成所述功能部的 操作所必需的空间部分的凹陷,并且具有覆盖所述基板的表面的封装, 其中,所述至少两个表面声波器件中的每一个的封装的与通过在所述至 少两个表面声波器件之间填充树脂而接合的部分相对应的侧面包括至少 一个切去部。所述支承基板可以由诸如玻璃板的透明基板制成。涂布和15填充所述第一树脂的步骤可以包括以下步骤在真空中将所述第一树脂 涂布到所述支承基板,或者在涂布第一树脂后在真空中对所述第一树脂 进行消泡处理。在被打开为开口的部分中填充电极层和焊料的步骤可以 包括以下步骤在第二支承基板的整个表面上形成第一种子金属(seed metal)的膜;涂布镀敷保护抗蚀剂(resist);对所述镀敷保护抗蚀剂进行20构图并打开布线层开口;通过使用金属进行镀敷而在所述开口中填充金 属和焊料;去除所述镀敷保护抗蚀剂;以及在除了通过镀敷而在其上形 成有导电材料的部分以外的部分中去除所述种子金属。通过上述特征,当通过按照接合滤波器侧面而集成在晶片级封装的 单滤波器的方法来构成对偶滤波器从而有助于小型化时,可以同时有助25于提高在集成之后的芯片间机械强度和形成重新布线层。因此,能够使 得对偶滤波器进一步小型化。


图1A示出了并有两个滤波器芯片Cl和C2的对偶滤波器的从电极端子部一侧看到的结构的平面图;图1B示出了从图1A的电极端子侧看去具有相同平面结构的对偶滤 波器的第一示例,并示出了沿着图1A的线A-B截取的剖面图;图1C示出了从图1A的电极端子侧看去具有相同平面结构的对偶滤5波器的第二示例,并示出了沿着图1A的线A-B截取的剖面图;图2A示出了已知示例(日本特开1998-215143号公报)的第一结构; 图2B示出了已知示例(日本特幵1998-215143号公报)的第二结构; 图3示出了已知示例(日本特开1999-168745号公报)的结构; 图4示出了从电极端子部一侧看到的根据本发明的第一实施例的示 io例的对偶滤波器的平面图;图5A示出了沿图4的虚线A-A截取的剖面图; 图5B示出了沿图4的虚线B-B截取的剖面图; 图6示出了第一实施例的示例中的高度方向上的分界面位置A, B和C;15 图7A示出了对应于图6中的分界面位置A的平剖面图;图7B示出了对应于图6中的分界面位置B的平剖面图; 图7C示出了对应于图6中的分界面位置C的平剖面图; 图8A示出了在对应于图7B的分界面位置的平面图中填充第一树脂 层的区域;20 图8B示出了沿图8A的X-X剖面截取的填充第一树脂层的区域;图8C示出了沿图8A的Y-Y剖面截取的填充第一树脂层的区域; 图8D示出了从其上表面覆盖端子侧及其相对侧的两个滤波器芯片 Cl禾口 C2的区域;图9A示出了另一切去结构的实施例的从端子侧看到的一个芯片Cl25的平面图;图9B示出了沿图9A的y-y线的侧剖面图。图10A示出了另一切去结构的实施例的从端子侧看到的一个芯片 Cl的平面图;图IOB示出了沿图10A的y-y线的侧剖面图;图11示出了晶片级的滤波器芯片的制造过程的步骤的流程;以及图12示出了在图11的流程之后使用各自具有在不同频率使用的滤 波器芯片的两个晶片级封装的本发明的SAW器件的制造流程。
具体实施方式
以下将参照附图详细地描述本发明的实施例的示例。尽管实施例的示例描述了 SAW器件的情况,但本发明也可以按相同方法应用于诸如膜 腔体声谐振器(FBAR)的弹性波器件。本发明不仅适用于对偶滤波器,而且适用于由诸如IPD和滤波器的 io 多个芯片构成的双工器。将参照附图4、 5A和5B来说明根据本发明的对偶滤波器的实施例 的示例。图4示出了根据本发明的第一实施例的示例的对偶滤波器从电极端 子部侧看到的平面图。图5A和5B分别示出了沿图4中的虚线A-A和 15 B-B截取的剖面图。并有晶片级封装的两个滤波器芯片Cl和C2的对偶滤波器涂覆有第 一树脂层20,并且被固定。第一树脂层20由诸如环氧树脂或聚酰亚胺树 脂的热固型树脂制成。第一树脂层20具有导电性。该导电性是通过包含有金属填料或碳细 20粉而获得的。为了提高强度或增强散热性,第一树脂层20可以包含诸如 二氧化硅或氮化铝的填料。在两个滤波器芯片Cl和C2的盖状封装2中形成有中空空间22,从 而形成表面声波的传播空间。在两个滤波器芯片Cl和C2的封装2上形成有第二树脂层21,因此 25滤波器芯片Cl和C2被第一树脂层20和第二树脂层21密封。第二树脂 层21由具有光敏性的树脂制成,并由光敏性环氧树脂或光敏性聚酰亚胺 树脂等制成。在第二树脂层21中,与滤波器芯片Cl和C2的端子部(输入端子 INC1和INC2,输出端子0UTC1和0UTC2)和接地端子GND对应地形 成有镀敷的电极3a。滤波器芯片Cl和C2的端子部通过镀敷电极3a连接到外部的焊球3。图6、 7A和7B是第一实施例的示例的层结构的进一步说明图。 图6示出了第一实施例的示例中的高度方向上的分界面位置A、 B 5禾口 C。图7A、 7B和7C分别示出了对应于图6中的分界面位置A、 B禾口 C 的平剖面图。图7A示出了在芯片滤波器Cl和C2的压电基板30C1和30C2与封 装2之间的分界面位置A的平面图。在芯片滤波器C1和C2的压电基板 io 30C1和30C2上形成有构成弹性波滤波器的梳状电极100和布线层。除 了布线层之外,还形成有与布线层相连接的输入/输出端子图案INC1、 OUTCl、 INC2禾口OUTC2。尽管图中示出了使用SAW谐振器的梯形滤波器,但省略了谐振器等 的实际数量的描述。芯片滤波器Cl和C2的压电基板30C1和30C2的周 15围覆盖有具有导电性的树脂层20。图7B示出了图6中的分界面位置B的平面图,以及通过在封装2 的大致一半厚度处进行切割而截取的平面图。封装2具有用于电极 (INC1、 INC2、 0UTC1和0UTC2)的开口 31、切去部40和中空空间 22。20 信号输入/输出端子INC1、 INC2、 0UTC1和OUTC2埋在开口 31中。梳状电极100位于中空空间22中。接地端子GND形成在与切去部 40对应的压电基板30C1和30C2上。具有导电性的第一树脂层20填充 在切去部40中并且电连接到接地端子GND。图7C示出了通过在封装2和第二树脂层21之间的分界面进行切割25而截取的平面图。将镀敷电极3a形成为使得电极3a将焊球3的端子部 与为封装2的开口 31设置的端子INC1、 INC2、 0UTC1和OUTC2以及 具有导电性的第一树脂层20相连接。由于上述结构,可以在不使用任何插入件(中间布线层基板)的情 况下执行对多个芯片的重新布线。
图8A、犯、8C和8D示出了填充有第一树脂层20的区域。图8A 示出了在对应于图7B的分界面位置的平面图中填充有第一树脂层20的 区域,两个滤波器芯片Cl和C2的周围以及切去部40填充有第一树脂层 20。5 图8B和8C分别示出了图8A的X-X剖面和Y-Y剖面中的填充有第一树脂层20的区域。图8D示出了从其上表面覆盖端子侧及相对侧的两 个滤波器芯片C1和C2的区域。图8B示出了沿图8A的X-X线的剖面图,图8C示出了沿图8A的 Y-Y线的剖面图。由于在封装2上形成了多个切去部40,切去部40填充 io有第一树脂层20,并且与两个滤波器芯片C1和C2接触的面积较宽,所 以可以具有很强的粘附性。如图8B的剖面图中可见,可以通过从上表面 和下表面填充第一树脂层20而压住芯片Cl和C2。因此,可以进一步提 高集成后的强度。在本发明的应用中,如图7B中所示,希望对于封装2的芯片C1与 15 C2之间的要相互层叠的表面提供许多切去部40,并且其他方式也是可以 的。图9A、 9B、 IOA和IOB示出了其他切去结构的实施例的示例。图9A和9B所示的示例是其中除了对芯片Cl和C2的在其间粘接的 表面提供的切去部40之外、还为侧面提供切去部41的示例。图9A示出 了从端子侧看到的一个芯片Cl的平面图,图9B示出了沿y-y线的侧剖 20 面图。图10A示出了从端子侧看到的一个芯片Cl的平面图,图10B示出 了沿y-y线的侧剖面图。同样,这是其中除了对芯片Cl和C2的在其间 相互粘接的表面提供的切去部40之外、还为侧面提供切去部41的示例。 然而,该示例与图9A和9B所示示例的区别在于,切去部40和41不是 25对封装2的全部厚度而是针对其一部分而形成,各个切去部具有凹陷形 状。在该情况下,树脂层20与封装2之间的接触面的数量增加了,因此 有望获得更强的接合。参照图11和图12来描述根据本发明的SAW器件的制造方法。图11示出了晶片级滤波器芯片的制造过程的步骤的流程。针对一个 芯片示出处理步骤Pl至Pll。在晶片状的压电基板30上形成构成多个SAW器件中的每一个器件 的IDT、输入和输出端子以及GND端子(处理步骤P1)。在其上通过旋 涂法涂布抗蚀剂(处理步骤P2)。 5 使用掩模201进行曝光(处理步骤P3),将掩模区域中的抗蚀剂烘烤并且残留下来,形成了柱(处理步骤P4)。将作为光敏材料的层叠膜203粘附到透明的支承膜202,并将膜202 和203沿着在处理步骤P4形成的柱层压在这些柱上(处理步骤P5)。使 用掩模204对端子部分区域进行曝光,在曝光后剥离支承膜202 (处理步 io骤P6)。执行显影和烘烤(处理步骤P7)。由此,露出端子部分区域(开 口 31)。作为根据本发明的特征,当对端子部分区域(开口 31)进行曝光时, 按照掩模204的图案在柱的侧面上形成切去部40,以获得本发明的弹性 波器件的特征。15 在露出的端子部分上涂布诸如镍的势垒金属(barrier metal)的镀敷层205 (处理步骤P8)。在镀敷层205上布置焊球206 (处理步骤P9), 并且进行重熔(处理步骤PIO)。通过以上步骤来产生晶片级封装。 图12示出了从晶片级封装到完成SAW器件的进一步处理流程。 在图12中,当对各自用于不同频带的多个滤波器芯片进行共同封装 20以产生一个SAW器件时,对于各个不同频带,根据上述处理步骤P1至 P10来制造晶片级封装。图12所示的示例使用单独制造、具有图11的结构、各自具有用于 不同频率的滤波器芯片的两个晶片级封装I和II。如图12的I和II所示,通过切割将预先按晶片级封装的两个晶片中 25的每一个分割为器件(处理步骤Pll和Plla)。将各个芯片按如下方式设置在粘附有粘接层206的支承基板207上 使得芯片上下颠倒地到达支承基板207(处理步骤P12)。对于粘接层206, 希望是以后可以容易地剥离的层,并使用通过施加UV光束等可以容易 地使其粘性变弱的层。对于支承基板207,希望是透明基板并希望是玻璃。
在表面上涂布第一树脂层20。此时,通过在真空环境中进行涂布或 者通过在涂布后进行真空消泡处理,使得树脂渗入芯片之间的间隙以及正面的封装的切去部40,执行热固化处理(处理步骤P13)。通过透过支承基板207的背面而施加UV光束,使得支承基板207 5的粘接层206的粘性变弱,剥离粘接于芯片正面的支承基板207 (处理步 骤P14)。形成在其正面具有光敏性的第二树脂层21,通过曝光和显影在对应 于电极端子部的部分中设置开口 (处理步骤P15)。 通过印刷或镀敷在开口中形成电极3a和焊球3。 io 当通过印刷来执行上述形成处理时,按照诸如真空印刷的方法来印刷银膏和焊膏。然后进行重熔并形成锡球3 (处理步骤P16)。当通过镀敷来执行上述形成处理时,在第二树脂层21的表面上溅射 种子金属,然后涂布镀敷保护抗蚀剂。对抗蚀剂进行构图以使得第二树 脂层21在对应于镀敷电极3a的部分的位置形成幵口。之后,通过镀敷 15来形成电极和焊料。在去除镀敷保护抗蚀剂后,去除种子金属,然后进 行重熔并形成焊球。在通过溅射等在正面上形成种子金属之后,用具有镀敷抗蚀性的抗 蚀剂来保护除了布线层图案之外的区域,进行电解镀敷,由此形成布线 图案。然后,去除防镀敷的抗蚀剂和种子金属。 20通过用切割将基板分割成单独的片,完成根据本发明的SAW器件 (处理步骤P17)。如上所述,根据本发明的弹性波器件的结构和制造方法,当按照通 过接合晶片级封装的单滤波器的侧面而对单滤波器进行集成的方法来构 造对偶滤波器并促进其小型化时,可以有助于改进在集成之后的芯片间 25的机械强度和重新布线层的形成。因此,能够使对偶滤波器进一步小型 化,并且可以作出重要的产业贡献。对实施例的上述描述并非旨在将本发明限于所例示的示例的具体细 节。任何适当的变型和等同物都属于本发明的范围。所附的权利要求书 覆盖落入本发明的范围内的本发明的全部特征及优点。
附图中的标号说明 1表面声波器件 11表面声波基板12表面声波图案 13a、 13b接合焊盘部 14a、 14b叉指电极 15粘接剂 16吸音材料 17粘接带
权利要求
1、一种弹性波器件,该弹性波器件是通过在至少两个表面声波器件之间填充树脂而接合所述至少两个表面声波器件来形成的,其中,所述至少两个表面声波器件中的每一个包括基板;设置在所述基板的表面上的功能部;形成所述功能部的操作所必需的空间部分的凹陷;以及覆盖所述基板的表面的封装,其中,所述至少两个表面声波器件中的每一个的封装的与通过在所述至少两个表面声波器件之间填充树脂而接合的部分相对应的侧面包括至少一个切去部,并且其中,所述至少两个表面声波器件的基板的侧面、背面和正面中的每一个的一部分覆盖有第一树脂,并且在所述封装的侧面上的所述至少一个切去部内填充有所述第一树脂。
2、 根据权利要求1所述的弹性波器件,其中,所述至少两个表面声波器件是分别具有彼此不同的频率工作区域的 对偶滤波器。
3、 根据权利要求1所述的弹性波器件,其中,20 所述第一树脂是诸如环氧树脂或聚酰亚胺树脂的热固型树脂。
4、 根据权利要求3所述的弹性波器件,其中,所述第一树脂包含诸如银、碳或金属细粉的导电填料,并具有导电性。
5、 根据权利要求4所述的弹性波器件,其中,25 所述第一树脂包含诸如二氧化硅或氮化铝的无机填料。
6、 一种弹性波器件,该弹性波器件是通过在至少两个表面声波器件 之间填充树脂而接合所述至少两个表面声波器件来形成的,其中,所述至少两个表面声波器件中的每一个包括 基板; 设置在所述基板的表面上的功能部;形成所述功能部的操作所必需的空间部分的凹陷;以及 覆盖所述基板的表面的封装,其中, 所述封装的所有侧面中的每一个侧面都包括至少一个切去部,并且 5其中,所述至少两个表面声波器件的基板的侧面、背面和正面中的每一个 的一部分覆盖有第一树脂,并且在所述封装的所有侧面上保留的所述至 少一个切去部中填充有所述第一树脂。
7、 根据权利要求6所述的弹性波器件,其中,10 在所述封装的所有侧面中的各个侧面上保留的切去部的数量中,所述封装的与通过在所述至少两个表面声波器件之间填充树脂而接合的部 分相对应的侧面上保留的切去部数量是最大的。
8、 根据权利要求1所述的弹性波器件,其中,在所述基板的由于所述封装的切去部而露出的区域中形成有接地端15子。
9、 根据权利要求6所述的弹性波器件,其中,在所述基板的由于所述封装的切去部而露出的区域中形成有接地端子。
10、 根据权利要求1所述的弹性波器件,其中,20 在所述封装上的一层中,所述器件形成有电连接到所述至少两个表面声波器件的电极的导电部、以及具有光敏性的第二树脂层。
11、 根据权利要求6所述的弹性波器件,其中, 在所述封装上的一层中,所述器件形成有电连接到所述至少两个表面声波器件的电极的导电部、以及具有光敏性的第二树脂层。25
12、根据权利要求10所述的弹性波器件,其中,所述第二树脂层由光敏性环氧树脂或光敏性聚酰亚胺制成。
13、 根据权利要求ll所述的弹性波器件,其中, 所述第二树脂层由光敏性环氧树脂或光敏性聚酰亚胺制成。
14、 根据权利要求10所述的弹性波器件,其中,在所述第二树脂层上形成有连接到所述导电部的焊球。
15、 根据权利要求ll所述的弹性波器件,其中, 在所述第二树脂层上形成有连接到所述导电部的焊球。
16、 一种弹性波器件的制造方法,该制造方法包括以下步骤5 在其上形成有粘接层的第一支承基板上按如下方式设置各自形成有 功能部的多个器件使得所述器件的其上形成有所述功能部的表面面对 所述粘接层;在设置在所述第一支承基板上的所述多个器件的表面和侧面上涂布 第一树脂,并在设置的所述多个器件之间填充所述第一树脂; 10 使所述第一树脂固化;剥离所述第一支承基板;在所述器件的从其剥离了所述第一支承基板的一面上形成具有光敏 性的第二树脂层;通过对所述第二树脂层进行构图来为形成布线的部分制造开口; 15 在被打开为开口的部分中填充电极层和焯料; 通过对填充的焊料进行重熔来形成焊球;以及 通过切割来分割器件层,其中,设置在其上形成有粘接层的第一支承基板上的器件具有 基板;20 设置在所述基板的表面上的功能部;以及形成所述功能部的操作所必需的空间部分的凹陷,并且具有 覆盖所述基板的表面的封装,其中, 所述至少两个表面声波器件中的每一个的封装的与通过在所述至少 两个表面声波器件之间填充树脂而接合的部分相对应的侧面包括至少一 25个切去部。
17、 根据权利要求16所述的弹性波器件的制造方法,其中, 所述粘接层由粘接强度被紫外光束削弱的粘接剂制成。
18、 根据权利要求16所述的弹性波器件的制造方法,其中, 所述支承基板由诸如玻璃板的透明基板制成。
19、根据权利要求16所述的弹性波器件的制造方法,其中,涂布和填充第一树脂的步骤包括以下步骤-在真空中将第一树脂涂布到所述支承基板,或者 在涂布第一树脂后在真空中对所述第一树脂进行消泡处理。 5 20、根据权利要求16所述的弹性波器件的制造方法,其中,在被打开为开口的部分中填充电极层和焊料的步骤可以包括以下步骤在第二支承基板的整个表面上形成第一种子金属的膜; 涂布镀敷保护抗蚀剂; 10 对所述镀敷保护抗蚀剂进行构图并打开布线层开口 ;通过使用所述金属进行镀敷而在所述开口中填充所述金属和焊料;去除所述镀敷保护抗蚀剂;以及在除了通过镀敷而在其上形成有导电材料的部分以外的部分中 15去除所述种子金属。
全文摘要
本发明提供弹性波器件及其制造方法。本发明公开了一种通过在至少两个表面声波器件之间填充树脂而接合所述至少两个表面声波器件来形成的弹性波器件。各个表面声波器件包括基板、设置在所述基板上的功能部、形成所述功能部的操作所必需的空间部分的凹陷、以及覆盖所述基板的表面的封装,所述至少两个表面声波器件的封装的与通过在所述至少两个表面声波器件之间填充树脂而接合的部分相对应的侧面包括至少一个切去部,并且,所述至少两个表面声波器件的基板的侧面、背面和正面中的每一个的一部分覆盖有第一树脂,并且在所述封装的侧面上的所述至少一个切去部内填充有所述第一树脂。
文档编号H03H9/64GK101114822SQ200710107738
公开日2008年1月30日 申请日期2007年4月28日 优先权日2006年7月24日
发明者井上和则, 井上将吾, 宓晓宇, 木村丈儿, 松田隆志 申请人:富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社
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