具有监控电极的石英晶体装置的制作方法

专利名称：具有监控电极的石英晶体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种石英晶体装置，该装置带有集成了石英晶体单元和包
含使用了晶体单元的电路的IC (集成电路)芯片结构，特别涉及一种石英
晶体装置，该装置提供了用于从外部检测晶体元件中所使用的晶体胚特性
的监控电极。
背景技术：
作为一种集成了石英晶体单元和ic芯片的典型石英晶体装置，其带 有集成了晶体单元和使用了晶体单元的振荡电路的ic芯片的表面安装振
荡器。表面安装晶体振荡器由于其致密性及轻量化而被广泛使用，尤其是 在便携式电子仪器，例如便携式电话中被作为频率及计时的基准。 作为这种表面安装晶体振荡器的一个类型，其带有粘接型表面安装晶
体振荡器，其中，IC芯片和石英晶体胚被分别封装在分离的容器中，之后， 这些容器被连接并封装在一起，如日本专利特许公幵号2004-88533 (JP-A-2004-088533)所公开。图1A为侧视图，显示了常规粘接型表面 安装晶体振荡器结构的一个例子。图1B为晶体振荡器的安装截面图。图 2A和2B分别为晶体振荡器中所用的安装基片的俯视图和仰视图。图3是 晶体振荡器中的晶体单元的仰视图。
图示的晶体振荡器包括容纳IC芯片1的安装基片2，和密封封装晶体 胚8的晶体单元3，其中，安装基片2连接到晶体单元3的底面。安装基 片2为基本上矩形平面形状的平面构件，并且用于封装IC芯片1的凹槽 形成在安装基片2的一个主要平面上。
安装基片2配置为叠层陶瓷结构，叠层陶瓷结构由基本上为矩形状的 平面底壁层2a，和设置在底壁层2a上的机架状的机壁层2b组成，并且安
装基片2的凹槽侧壁由机壁层2b形成。在机壁层2b顶面的四个转角部上，
即，围绕安装基片2的凹槽开口端面的四个转角部上，形成了用于把安装 基片2电连接及机械连接到晶体单元3底面上的粘接端子5。在图示的底 壁层2a的底面，即，安装基片2的外部底面的四个转角部上提供了当晶 体振荡器表面安装到接线板时所使用的封装端子4。
IC芯片1基本上为矩形状，其中，包括至少一个使用了晶体单元3 的振荡电路的电子电路被集成在半导体基片上。在IC芯片1中，电子电 路如振荡电路通过常用的半导体装置制造工艺形成在半导体基片的一个 主表面上，因此，在半导体基片的一对主表面中，其中形成有电子电路的 主表面将被叫做IC芯片的电路形成表面。在电路形成表面上同样形成了 用于连接IC芯片1于外部电路上的多个IC端子。IC端子包括电源供应端 子，接地端子，振荡输出端子，AFC (自动频率控制)端子， 一对用于连 接到晶体振荡器的晶体连接端子，等等。
电路端子11设置在安装基片2的凹槽底面上，g卩，与IC端子对应的 由凹槽限定的底壁层2a的露出表面。与IC端子对应的电路端子为电源供 应端子，接地端子，振荡输出端子和AFC端子，这些端子分别通过形成 在安装基片2中的导电路径(未示出)电连接到安装端子4上。与IC芯 片1的一对晶体连接端子对应的电路端子在安装基片2的一个对角线的两 端电连接到粘接端子5 (X)上，例如，通过导电路径(未示出)。剩余的 两个粘接端子5 (GND)通过例如设置在安装基片2内的通孔，电连接到 安装端子4中的接地端子4 (GND)上。
IC芯片1通过使电路形成表面面对安装基片2的凹槽内底面而固定在 安装基片2的凹槽内底面上，并且，通过使用冲击6的超声波热压粘接而 把IC端子电连接及机械连接到电路端子11上。为了保护IC芯片1的电 路形成表面，在安装基片2的凹槽中提供了所谓的未充满的保护树脂层 16，从而消除凹槽内底面和电路形成表面间的间距。
同时，晶体单元3设计为通过把晶体胚8封装在容器本体7内而使晶 体胚8密封封装于容器本体7的凹槽内，并且把金属盖板9连接到围绕凹 槽的开口端面上。容器本体7由带有凹槽的叠层陶瓷组成。在图示的容器 本体中，金属盖板9通过缝焊或柱焊连接到设置在开口端面上的金属厚膜
或金属环15上。对应于安装基片2的粘接端子5的外部端子10设置在容
器本体7外部底面的四个转角部上。用于保持晶体胚8的一对晶体保持端 子12设置在容器本体7的凹槽内底面上。
晶体胚8为，例如，基本上矩形状的AT切割石英晶体胚，其中，激 励电极(未示出)被分别设置在两个主表面上，并且，从激励电极上，导 引电极(未示出)延伸到晶体胚8的一个端部的两侧。通过把其中延伸有 带有导电粘接剂13等物质的导引电极的晶体胚8的一个端部的两侧固定 到晶体保持端子12上，晶体胚8电连接及机械连接到晶体保持端子12上， 并且保持在容器本体7的凹槽内。
在容器本体7内， 一对晶体保持端子12通过形成在容器本体7中的 导电路径(未示出)，电连接到容器本体7外部底面中的一个对角线上的 一对外部端子10(X)上。在外部底面另一个对角线上的外部端子IO(GND) 通过设置在容器本体7中的孔电连接到金属盖板9上。
通过使用钎焊等方式把安装基片2的粘接端子5连接到晶体单元3的 外部端子10上，安装基片2和晶体单元3被电连接及机械连接在一起， 并且已经作为表面安装晶体振荡器而完成。此时，晶体单元3中的晶体保 持端子12通过外部端子10 (X)，粘接端子5 (X)和电路端子11电连接 到IC端子上，因此，晶体胚8电连接到IC芯片1中的振荡电路上。金属 盖板9同样是电连接到安装端子的接地端子4 (GND)上。
这种粘接型表面安装晶体振荡器通过独立形成装载IC芯片1的安装 基片2和晶体单元3而进行最终装配，之后，连接安装基片和晶体单元。 在这种情况下，在安装基片2被连接到晶体单元3的外部底面上之前，使 测量仪器的探针靠近形成在晶体单元3的容器本体7外部底面上并且电连 接到晶体胚8上的一对外部端子10 (X)，以便测量晶体胚8的振动特性 等，从而可以确定晶体单元是否为合格。作为振动特性，通常测量的是晶 体阻抗(CI)。这里，当确定为不合格时，晶体单元3从生产过程中去除， 安装基片2只连接到合格晶体单元3上。因此，就不会浪费昂贵的IC芯 片，从而可以提高生产率。进一步地，外部端子IO (X)形成在相同平面 内，并且使探针从一个方向靠近一对外部端子10 (X)。因此，测量振动 特性的操作效率变得很高。
作为另一种类型的表面安装晶体振荡器，有一种所谓的双室型振荡 器，其中，使用分别形成在两个主表面上的带有凹槽的容器本体，晶体胚 密封封装于一个主表面的凹槽内以配置晶体单元，IC芯片容纳于另一个主 表面的凹槽内。由于使用了中心部断面形状为H形的容器本体，双室型表
面安装晶体振荡器又被称为H形表面安装晶体振荡器。图4A为这种双室 型表面安装晶体振荡器的侧视图。图4B为其截面图。图5为移除了 IC芯 片的容器本体的仰视图。在这些图中，与图1A，1B,2A，2B和3相同的部件 采用相同的附图标记，并且省略或简化了对这些部件的重复描述。
容器本体21为基本上是长方体形的扁平外部形状，当安装在接线板
上从上面看时，就像是带有短边和长边的矩形，并且在容器本体的顶面和 底面上分别设置了凹槽。因此，容器本体21有H形切面形状。容器本体21 由叠层陶瓷组成，包括基本上为矩形形状的平面中心层21a ，和分别带有 矩形开口的上面和下面机架层21b和21c。图中所示的位于上侧的第一凹 槽20a由中心层21a和机架层21b形成，用作晶体单元的石英晶体胚8被 封装在第一凹槽20a中。进一步地，图中所示的位于下侧的第二凹槽20b 由中心层21a和机架层21c形成，IC芯片1封装在第二凹槽20b中。
一对晶体保持端子12设置在第一凹槽20a的内底面上，g卩，中心层 21a的正视表面上，晶体胚8通过固定导引电极于晶体保持端子12上而被 固定并保持在第一凹槽20a中，其中，例如，在这对导引电极引出的位置 处有导电粘接剂等物质，就如图1A和1B所示一样。固定晶体胚8之后， 在容器本体21的第一凹槽20a的开口端面中，金属盖板9通过缝焊等方 式被连接到设置在机架层21b顶面上的金属环15上，由此，晶体胚8被 密封封装在第一凹槽20a中。
在容器本体21中，当晶体振荡器被表面安装在接线板上时所使用的 安装端子4，分别形成在形成第二凹槽20b的机架层21c开口端面的四个 转角部上。进一步地，在第二凹槽20b的内底面上，g口，中心层21a的背 面上，多个电路端子ll被设置在中心层21a的两个长边上，如图5所示。 与上述情况一样，电路端子11设置成与IC芯片1上设置的IC端子相对 应。在图示的例子中，沿每个长边的线上都设置了四个电路端子ll。电路 端子11中的四个对应于，例如，电源供应端子，接地端子，振荡输出端
子，和IC端子的AFC端子，并且通过形成在中心层21a中的导电路径(未 示出)电连接到相应的安装端子4上。进一步地，剩余电路端子11中的 两个为电连接于晶体胚8的晶体电路端子lla。晶体电路端子11a通过设 置在中心层21a中的导电路径(未示出)，如通过孔，电连接到设置在第 一凹槽20a内底面上的晶体保持端子12上。进一步地， 一对晶体检测端 子X1， X2被设置在中心层21a的背面上。晶体检测端子X1， X2通过设 置在中心层21a背面上的导电图案电连接到晶体电路端子lla上。由此， 晶体检测端子XI ， X2电连接到晶体胚8上。
至于IC芯片1，使用了上面所述的芯片。IC芯片1通过连接IC端子 于设置在第二凹槽20b底面上的电路端子11， lla上而被固定在第二凹槽 20b的底面上，这种固定是根据所谓的倒装粘接法，使用冲击6来进行超 声波热压粘接而实现的。
在生产这种双室型表面安装晶体振荡器时，首先，晶体单元配置成在 第一凹槽20a内密封封装晶体胚8，之后，使测量探针靠近设置在第二凹 槽20b底面，即中心层21a底面上的晶体检测端子Xl， X2，由此，可以 测量作为晶体单元的晶体胚8的振动特性等。此时，可以使探针从一个方 向靠近一对晶体检测端子XI， X2，因此，测量振动特性等的操作效率变 得很高。振动特性等不正常的晶体单元将作为不合格品而被丢弃，如果晶 体单元确定为合格，则IC芯片1在之后被安装到第二凹槽20b的底面上。 进一步提供了用于保护IC芯片1的电路形成表面的未充满的保护树脂层 16，由此，就完成了晶体振荡器。例如，日本专利特许公开号2000-49560 (JP-A-2000-49560)描述了把晶体检测端子安装在凹槽底面上，在该凹槽 中，IC芯片将被安装在容器本体中，并且，在双室型晶体振荡器的振荡特 性等测量之后，把IC芯片固定到凹槽底面上。
作为一种表面安装晶体振荡器，有一种单室型晶体振荡器，其中，通 过使用带有一个凹槽的容器本体，该凹槽带有形成在内壁上的分段部分， 把IC芯片固定到凹槽内底面上，延伸有导引电极的晶体胚一端的两侧被 固定到分段部分上，由此，晶体胚被安装在IC芯片上。在单室型晶体振 荡器中，晶体胚在IC芯片安装到凹槽底面之后再固定。因此，在测量晶 体胚振动特性之后就不能再安装IC芯片。振动特性是在IC芯片被安装以
及晶体胚被固定之后才进行测量的。
日本专利特许公开号2003-298000 (JP-A-2003-298000)公开了测量晶 体胚振动特性所使用的端子的形成，g卩，在单室型晶体振荡器的容器本体 外部表面上的晶体检测端子。
在上面所描述的粘接型表面安装晶体振荡器中，在安装基片被连接到 晶体单元之后，电连接到晶体胚8的外部端子10 (X)并未暴露在外，因 此，晶体胚8的振动特性并不能单独测量。类似地，在双室型表面安装晶 体振荡器中，在IC芯片被安装之后，晶体检测端子X1， X2被IC芯片所 隐藏，因此，晶体胚8的振动特性并不能单独测量。但是，为了提高晶体 振荡器的可靠性，并响应对高功能性的需求，在粘接类产品的情况下，即 使在装载有IC芯片1的安装基片2被连接到晶体单元3的底面之后，或， 在双室型产品的情况下，即使IC芯片1被安装到容器本体21的凹槽底面 之后，也要求能够测量晶体胚8的振动特性。更特别地，在完成晶体振荡 器之后，发货之前就已经最终确定产品是否为合格，并且在使用晶体振荡 器期间产生问题时，对问题根源的调查进行了失效分析时，要求不经过IC 芯片就能够测量晶体胚的振动特性。

发明内容
本发明的一个目的是提供一种石英晶体装置，该装置在生产过程中不 会损害晶体胚振动特征的测量操作效率，并且即使在装配之后也能够测量 晶体胚的振动特性。
本发明的目的通过一种石英晶体装置而实现，该装置包括电连接到外 侧面上的晶体胚的晶体监控端子，晶体胚与外部端子或用于在生产过程中 测量晶体胚振动特性的晶体检测端子分离。
本发明中配置成粘接型的石英晶体装置的特征在于，包括晶体单元， 该晶体单元带有其内密封封装了晶体胚的容器，和包括电连接到晶体胚上 的外部端子，该外部端子设置在容器的外部底面上；包含了在一个主表面 上的粘接端子和在另一个主表面上的安装端子的安装基片，并且容纳其上 集成了使用晶体胚的电路的IC芯片，所述粘接端子对应于所述外部端子; 和设置在安装基片的外侧面上并电连接到粘接端子上的晶体监控端子。该 装置进一步的特征在于，通过连接所述外部端子和所述粘接端子，所述安
装基片被连接到所述晶体单元，与所述晶体单元集成，并且，即使在所述 晶体单元与所述安装端子被集成的状态下，也可以通过使用所述晶体监控
端子来测量所述晶体胚的振动特性。
在这种粘接型石英晶体装置中，晶体监控端子可以形成在凹部内，该 凹部形成在安装基片的外侧面上。进一步地，安装基片配置成叠层陶瓷结 构，所述叠层陶瓷通过层叠陶瓷片而配置为多层，并且晶体监控端子可以 形成在除了最靠近所述安装基片的所述第二主表面的层之外的各陶瓷片 材的侧面上。更进一步地，晶体监控端子可以大面积存在于晶体单元的外 侧面上。
根据这些粘接型结构，即使在封装IC芯片的安装基片己经连接到晶 体单元之后，也可以通过使用设置在安装基片或容器本体的外侧面上的晶 体监控端子来直接测量晶体胚的振动特性。
本发明中配置成双室型的石英晶体装置的特征在于，该装置包括带 有形成在一个主表面上的第一凹槽和形成在另一个主表面上的第二凹槽 的容器本体；密封封装在所述第一凹槽内的晶体胚；通过固定在所述第二 凹槽底面上而容纳于所述第二凹槽内的ic芯片，并且在该芯片上集成了 使用晶体胚的电路；设置在由所述第二凹槽底面内的所述IC芯片覆盖的
位置处并电连接到所述晶体胚上的晶体检测端子；和设置在容器本体外侧
面上并电连接到所述晶体胚上的晶体监控端子。该装置的进一步特征在
于，即使在所述ic芯片被固定到第二凹槽底面的状态下，也可以通过使
用所述晶体监控端子来测量所述晶体胚的振动特性。
在这种双室型石英晶体装置中，晶体监控端子可以形成在凹部内，该 凹部形成在容器本体的外侧面上，并且，所述容器本体配置成叠层陶瓷结 构，所述叠层陶瓷通过层叠陶瓷片而配置为多层。
根据这些双室型结构，即使在所述ic芯片已经固定到容器本体的凹
槽底面之后，也可以通过使用设置在所述安装基片或容器本体的外侧面上 的所述晶体监控端子来直接测量所述晶体胚的振动特性。
通过应用本发明，不必经过IC芯片就可以测量晶体胚的振动特性， 例如，在完成晶体振荡器之后，当在发货之前就可以确定产品是否是合格， 或在使用晶体振荡器期间产生问题时，对问题根源的调査进行了失效分
析。


图1A和IB分别为侧视图和装配截面图，显示了常规粘接型表面安
装晶体振荡器结构的一个例子；
图2A为图1A和1B所示的晶体振荡器中的安装基片的俯视图； 图2B为图1A和1B所示的晶体振荡器中的安装基片的仰视图； 图3为图1A和IB所示的晶体振荡器中的晶体单元的仰视图； 图4A和4B分别为侧视图和装配截面图，显示了常规双室型表面安
装晶体振荡器结构的一个例子；
图5为图4A和4B中的晶体振荡器移除了 IC芯片后的容器本体的仰
视图6A和6B分别为侧视图和装配截面图，显示了按照本发明的第一 实施例所示的表面安装晶体振荡器的结构；
图7A和7B分别为第一实施例中的晶体振荡器中的安装基片的俯视 图和仰视图8为侧视图，显示了按照本发明的第二实施例所示的表面安装晶体 振荡器的结构；
图9为侧视图，显示了按照本发明的第三实施例所示的表面安装晶体 振荡器的结构；
图IO为第三实施例中的晶体振荡器移除了IC芯片后的容器本体的仰视图。
具体实施例方式
第一实施例
在图6A， 6B,7A和7B中，显示了按照本发明的第一实施例所示的石 英晶体装置，与图1A，1B，2A,2B,3,4A,4B和5相同的部件使用相同的附图 标记，并且省略或简化了对这些部件的重复描述。
第一实施例中的表面安装晶体振荡器与图1A,1B，2A和2B所示的常规
粘接型表面安装晶体振荡器类似，但是，与常规产品不同之处在于，在安 装基片2的外侧面上提供了晶体监控端子22。
安装基片2的带有基本上为矩形平面形状的四个外侧面中，沿安装基
片2长度侧彼此相对的一对外侧面的中心部分处，形成了每个都是盘底状
切面的凹部23，以便连接安装基片2的底面和顶面。各个凹部23形成在 插入安装端子4之间的区域中，当如图7B所示从安装基片2底面侧看时， 这些安装端子分别设置在底面侧的两个端部上。在这种凹部23中，在对 应于机壁层2b侧面的位置处，形成了晶体监控端子22。晶体监控端子22 并不是形成在对应于底壁层2a侧面的位置处。这是因为，假如晶体监控 端子22形成在对应于底壁层2a侧面的位置处，则担心当晶体振荡器安装 在接线板上时，晶体监控端子22和接线板上的电路图案会产生不期望的 彼此电接触。当底壁层2a本身在安装基板2中同样配置为叠层陶瓷片材， 而安装基片2又配置为叠层陶瓷时，晶体监控端子22可以同样形成在除 了安装基片2的最低底面的陶瓷片材之外的各层陶瓷片材的侧面上，因此 在凹部23中，晶体监控端子22形成为从机壁层2b的侧面延伸到底壁层 2a的侧面，并且晶体监控端子22的电极面积变大。在不会发生所担心的 与接线板上的电路图案发生电接触或类似问题时，晶体监控端子22可以 形成在底壁层2a最底层部分的侧面上。
当安装基片2由通过层压和燃烧对应于底壁层2a和机壁层2b的陶瓷 生片材而形成时，这种凹部23和晶体监控端子22通过执行通孔加工和对 加工表面的通孔电镀工艺来形成。
形成在安装基片2的一对彼此相对设置的外侧面上的晶体监控端子 22，通过图7B虚线所示的导电路径24，电连接到一对与IC芯片1的晶 体连接端子对应的电路端子lla上，该电路端子与形成在安装基片2的凹 槽内底面，即，底壁层2a顶面上的电路端子ll不同。导电路径形成在机 壁层2b和底壁层2a之间的层压平面上。电路端子lla同样连接到形成在 机壁层2b顶面转角部上的粘接端子5 (X)，因此， 一对晶体监控端子22 电连接到一对粘接端子5 (X)上。
第一实施例的这种粘接型表面安装晶体振荡器通过独立形成装载IC 芯片1的安装基片2和晶体单元3而进行装配，之后，连接安装基片和晶 体单元。在这种情况下，在安装基片2被连接到晶体单元3之前，使测量 仪器的探针靠近形成在晶体单元3的容器本体7外部底面上的一对外部端 子10 (X)，晶体胚8的振动特性被测量，就可以确定晶体单元是否为合
格，之后，安装基片只被连接到合格晶体单元3中，以便完成晶体振荡器。 在晶体振荡器中，没有从外部进入电连接到晶体胚8的外侧子IO(X)
的入口，但是作为替代，在完成晶体振荡器之后，晶体监控端子22直接 电连接到晶体胚8。因此，通过使测量探针靠近监控端子22，就可以测量 晶体胚8的振动特性。相应地，在表面安装晶体振荡器中，发货之前就已 经最终确定产為是否为合格，并且在使用晶体振荡器期间产生问题时，对 问题根源的调査进行了失效分析，则可以不必经过IC芯片就可以测量晶 体胚的振动特性。 第二实施例-
接下来，将要描述一种表面安装晶体振荡器，该振荡器为本发明的第 二实施例所述的石英晶体装置。在上述的第一实施例中，在粘接型表面安 装晶体振荡器中，晶体监控端子22仅设置在容纳IC芯片1的安装基片2 的外侧面上，但是，为了增大晶体监控端子22的面积以便使探针更易于 靠近端子，晶体监控端子同样可以形成在晶体单元3的外侧面上。图8所 示的第二实施例中的晶体振荡器配置成使晶体监控端子22同样设置在第 一实施例所述的晶体振荡器中的晶体单元3的外侧面上。在图8中，与图 6A,6B,7A，和7B相同的部件采用相同的附图标记，并且省略或简化了对这 些部件的重复描述。
在第二实施例中，凹部23同样形成在晶体单元3的外侧面上，从而 使得安装基片2外侧面上的凹部23直接延伸，并且晶体监控端子22同样 设置在晶体单元3的外侧面区域内的凹部23中。晶体单元3中的晶体监 控端子22通过例如形成在晶体单元3底面中的导电路径(未示出)电连 接到晶体单元3的外部端子5 (X)上。晶体单元3的容器本体7由叠层 陶瓷形成，并且凹部23形成为连接容器本体7的顶面和底面。为了避免 与金属盖板9电接触，晶体监控端子22形成在各层的侧面上，除了容器 本体7的凹部23中的配置成容器本体7的叠层陶瓷片材的最上层。这里， 陶瓷片材的最上层意思是该层最靠近容器本体7的顶面。当陶瓷生片材被 层压及燃烧以形成容器本体7，如同形成安装基片2—样，通过执行通孔 加工和通孔电镀来形成凹部23和晶体监控端子22。
在第二实施例中，在装载有IC芯片1的安装基片2被连接到晶体单
元3的底面之前，使测量仪器的探针靠近形成在晶体单元3的容器本体7
外部底面上的一对外部端子10 (X)，晶体胚8的振动特性等被测量，就 可以确定晶体单元是否为合格，之后，安装基片2只被连接到合格晶体单 元3中，以便完成晶体振荡器。在这种情况下，由于晶体监控端子22同 样已经形成在晶体单元3的外侧面上，通过使用晶体监控端子就可以测量 晶体胚8的振动特性，但是，"探针不得不以从两个相反的方向压入晶体监 控端子的方式来靠近一对晶体监控端子22，因此，与探针从一个方向靠近 --对外部端子IO (X)的情况相比，其操作性变差。
当发货之前就已经最终确定产品是否为合格，或在使用晶体振荡器期 间产生问题，调查问题根源时进行了失效分析时，第二实施例中的表面安 装晶体振荡器具有不必经过IC芯片就可以测量晶体胚的振动特性方面的 优势，如同第一实施例中的晶体振荡器一样。进一步地，由于晶体监控端 子22同样形成在晶体单元3的外侧面上，第二实施例中的晶体振荡器与 第一实施例中的晶体振荡器相比具有更容易使探针靠近晶体监控端子22 的优势。当安装基片2被连接到晶体单元3时，在两者之间形成50um的 间距，并且当在每个晶体监控端子22上形成狭缝时，该狭缝的宽度与上 述数值大致相同，但是，与探针顶端的尺寸相比，该狭缝的宽度是相当小 的，因此，不会产生影响振动特性测量的问题。
第三实施例
接下来，将要描述一种表面安装晶体振荡器，该振荡器为本发明的第 三实施例所述的石英晶体装置。在第一和第二实施例中，本发明是用于粘 接型表面安装晶体振荡器，但是本发明同样可以应用于双室型表面安装晶 体振荡器。第三实施例是本发明应用于双室型表面安装晶体振荡器的一个 例子。图9为显示了第三实施例的表面安装晶体振荡器的侧视图。图10 为在晶体振荡器中移除了 IC芯片的容器本体的仰视图。在这些图中，与 图4A,4B和5相同的部件采用相同的附图标记，并且省略或简化了对这些 部件的重复描述。
第三实施例中的表面安装晶体振荡器类似于图4A,4B和5所示的常规 双室型表面安装晶体振荡器，但是，与常规振荡器不同之处在于，在容器 本体21的外侧面上提供了晶体监控端子22。
与图4A,4B和5所示的相同，基本上为矩形平面形状的容器本体21 配置成层叠陶瓷结构，其中，机架层21b和21c分别在中心层21a的顶面 和底面分层。在容器本体21的四个外侧面中，沿容器本体21长度侧彼此 相对的一对外侧面的中心部分处，形成了每个都是盘底状切面的凹部23， 以便连接容器本体21的上端面和底面。晶体监控端子22与第一和第二实 施例一样设置在凹部23中。每个晶体监控端子22形成在除了对应于容器 本体21中的最低底面和最上面的陶瓷片材外的与每层陶瓷片材的侧面对 应的位置处，容器本体21配置成在多层中层压并燃烧陶瓷生片材的结构。 对应于最低底面的陶瓷片材意思是指与接线板接触的陶瓷片材。晶体监控 端子22通过形成在中心层21a和机架层21c之间的层压平面内的导电路 径24电连接到晶体电路端子lla。在图中，导电路径24由虚线表示。晶 体电路端子lla同样电连接到晶体胚8，因此，晶体监控端子22电连接到 晶体胚8。
制造完成本实施例中的双室型表面安装晶体振荡器后，晶体单元通过 密封封装晶体胚于第一凹槽20a内而进行配置，之后，测量探针靠近设置 在第二凹槽20b上的一对晶体检测端子Xl， X2，由此，晶体胚8的振动 特性等得到测量，并且可以确定晶体单元是否为合格。对于已确定为合格 的晶体单元，接下来IC芯片l将被安装到第二凹槽20b的底面上，由此， 就可以完成晶体振荡器。当晶体振荡器完成之后还需要测量晶体胚8的振 动特性时，可以通过使探针靠近晶体监控端子22而不是晶体检测端子XI ， X2来直接测量振动特性。
权利要求
1. 一种石英晶体装置，包括晶体单元，该晶体单元带有其内密封封装了晶体胚的容器，并且该晶体单元包括电连接到所述晶体胚的外部端子，所述外部端子设置在所述容器的外部底面上；安装基片，包括位于一个主表面上的粘接端子和位于另一个主表面上的安装端子，并且容纳其上集成了使用所述晶体胚的电路的IC芯片，所述粘接端子对应于所述外部端子；和设置在所述安装基片外侧面上并电连接到所述粘接端子上的晶体监控端子，其中通过连接所述外部端子和所述粘接端子，所述安装基片被连接到所述晶体单元，与所述晶体单元集成，以及即使在所述晶体单元与所述安装端子被集成的状态下，也可以通过使用所述晶体监控端子来测量所述晶体胚的振动特性。
2. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶体监控端子形成 在凹部内，所述凹部形成在所述安装基片的外侧面上。
3. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述安装基片由叠层陶 瓷构成，所述叠层陶瓷通过层叠陶瓷片而配置为多层，并且所述晶体监控 端子形成在除了最靠近所述安装基片的所述第二主表面侧的层之外的各 陶瓷片的侧面上。
4. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶体监控端子大面 积存在于所述晶体单元的外侧面上。
5. 如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电路是使用所述晶 体胚的振荡电路，并且所述装置被配置为表面安装晶体振荡器。
6. —种石英晶体装置，包括容器本体，该容器本体带有形成在一个主表面上的第一凹槽和形成在 另一个主表面上的第二凹槽； 密封封装在所述第一凹槽内的晶体胚；IC芯片，其通过固定在所述第二凹槽的底面上而被容纳在所述第二凹 槽内，并且其上集成了使用所述晶体胚的电路；设置在由所述第二凹槽底面内的所述IC芯片覆盖的位置处并电连接 到所述晶体胚的晶体检测端子；和设置在所述容器本体的外侧面上并电连接到所述晶体胚上的晶体监 控端子，即使在所述IC芯片被固定到所述第二凹槽底面的状态下，也可以通 过使用所述晶体监控端子来测量所述晶体胚的振动特性。
7. 如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述晶体监控端子形成 在凹部内，所述凹部形成在所述容器本体的外侧面上。
8. 如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述容器本体包括叠层 陶瓷，所述叠层陶瓷通过层叠陶瓷片而配置为多层。
9. 如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述电路是使用所述晶 体胚的振荡电路，并且所述装置被配置为表面安装晶体振荡器。
全文摘要
一种具有监控电极的石英晶体装置，包括密封封装了晶体胚的晶体单元；和容纳了IC芯片的安装基片，该IC芯片中集成了使用晶体胚的电路。通过连接所述晶体单元的外部端子和所述安装基片的粘接端子，所述安装基片被连接到将被集成的所述晶体单元上，从而配置成石英晶体装置。在石英晶体装置中，电连接到所述粘接端子上的晶体监控端子被设置在所述安装基片的外侧面上，并且即使在所述晶体单元和所述安装端子被集成的状态下，也可以通过使用所述晶体监控端子来测量晶体胚的振动特性。
文档编号H03B5/32GK101383591SQ20081021485
公开日2009年3月11日 申请日期2008年9月3日 优先权日2007年9月6日
发明者守谷贡一, 播磨秀典 申请人:日本电波工业株式会社