专利名称：Sf7016a型高矩形度声表面波滤波器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种声表面波滤波器，尤其涉及一种SF7016A型高矩形度声表面波滤 波器。
背景技术：
当具有压电效应的晶体受到机械作用时，将产生与压力成正比的电场的现象；具有压 电效应的晶体，在受到电信号的作用时，也会产生弹性形变而发出机械波(声波)，即可 把电信号转为声信号。由于这种声波只在晶体表面传播，故称为声表面波。
声表面波滤波器(SAWF)具有体积小、重量轻、性能可靠、不需要复杂调整的优点， 是无线通信中信号接收处理的关键器件。
现有技术中的声表面波器件至少存在以下缺点滤波器的矩形度较差。 发明内容
本实用新型的目的是提供一种矩形度高的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器。 本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的
本实用新型的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，包括基片，所述基片上设有换能 器，所述换能器为REMEZ优化换能器。
由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型所述的SF7016A型高矩形度 声表面波滤波器，由于基片上设有换能器，换能器为换能器为REMEZ优化换能器，可以实现 高矩形度。
图1为本实用新型SF7016A型高矩形度声表面波滤波器的结构原理图； 图2为本实用新型SF7016A型高矩形度声表面波滤波器的封装结构示意图。
具体实施方式
本实用新型的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，其较佳的具体实施方式
如图l所 示，包括基片8，基片8上设有换能器，换能器可以为REMEZ优化换能器。基板的材料可以采用128。LiNb03 ，温度系数为75ppm/。C，也可以选用其它的材料。
具体REMEZ优化换能器可以包括左换能单元9、右换能单元IO，左换能单元9或右换能 单元10可以为REMEZ切指加权优化单元。REMEZ切指加权优化单元可以为经衍射补偿处理的 单元。
如图2所示，本实用新型包括封装结构，封装结构设有输入引脚3和输出引脚4，还可 以设有多个接地引脚l、 2。
输入引脚3和输出引脚4可以分别与左换能单元9和右换能单元10连接；也可以互换， 输入引脚3和输出引脚4分别与右换能单元10和左换能单元9连接。左换能单元9和右换能单 元10还分别与至少一个接地引脚连接。
本实用新型的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，可以为中心频率为69.90 70. 10MHz的滤波器；也可以为一3dB带宽为16.0 16. lMHz的滤波器；也可以为一40dB带宽 为17. 5 17. 8MHz的滤波器。一40dB带宽比一3dB带宽的矩形系数不大于1. 10。
REMEZ交换算法是由Meclellan等人提出的用于线性相移FIR数字滤波器的优化设计方 法。本实用新型将该算法移植在声表面波滤波器的设计中，进行优化设计，采用REMEZ优化 设计加衍射补偿的方案，可以得到换能器的激发加权函数，可以控制滤波器的通带形状， 实现高带外抑制、宽带、高矩形系数(矩形系数不大于I.IO)等，可以满足基站等场合的 要求。
一个具体实施例的电气参数，如表l所示 表l、具体实施例的电气参数
'li性能位技术參数単-位最小值典型值最大值
中心频率MHz69.907070. 10
-3dB带宽MHz16. 016. 1—
-40dB带宽MHz—17. 517. 8
插入损耗dB—2526
带内波动dB—0.40.6
带外抑制dB—5055
匹配—测试系统阻抗Q50以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限 于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变 化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1、一种SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，包括基片，其特征在于，所述基片上设有换能器，所述换能器为REMEZ优化换能器。
2、 根据权利要求1所述的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，其特征在于，所述 REMEZ优化换能器包括左换能单元、右换能单元，所述左换能单元或右换能单元为REMEZ切 指加权优化单元。
3、 根据权利要求2所述的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，其特征在于，所述 REMEZ切指加权优化单元为经衍射补偿处理的单元。
4、 根据权利要求l、 2或3所述的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，其特征在于， 该滤波器为中心频率为69. 90 70. lOMHz的滤波器。
5、 根据权利要求l、 2或3所述的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，其特征在于， 该滤波器为一3dB带宽为16.0 16. lMHz的滤波器。
6、 根据权利要求l、 2或3所述的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，其特征在于， 该滤波器为一40dB带宽为17. 5 17. 8MHz的滤波器。
7、 根据权利要求l、 2或3所述的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，其特征在于， 包括封装结构，所述封装结构设有输入引脚、输出引脚，所述输入引脚和输出引脚分别与 所述左换能器和右换能器连接；或者，所述输入引脚和输出引脚分别与所述右换能器和左 换能器连接。
8、 根据权利要求7所述的SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，其特征在于，所述封 装结构设有多个接地引脚，所述左换能器和右换能器分别与至少一个接地引脚连接。
专利摘要本实用新型公开了一种SF7016A型高矩形度声表面波滤波器，包括基片，基片上设有REMEZ优化换能器，REMEZ优化换能器的左换能单元或右换能单元为REMEZ切指加权优化并经衍射补偿处理的单元。滤波的中心频率为69.90～70.10MHz、-3dB带宽为16.0～16.1MHz、-40dB带宽为17.5～17.8MHz。可以控制滤波器的通带形状，实现高带外抑制、宽带、高矩形系数(-40dB带宽比-3dB带宽的矩形系数小于1.10)等，可以满足基站等场合的要求。
文档编号H03H9/64GK201312293SQ200820233768
公开日2009年9月16日 申请日期2008年12月23日 优先权日2008年12月23日
发明者张敬钧 申请人:北京中讯四方科技有限公司