一种受控等效电阻模块的制作方法

专利名称：一种受控等效电阻模块的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种受控等效电阻模块，具体地说是在模拟集成电路中受 输入电流或输入电压控制阻值的等效电阻电路才莫块。
背景技术：
在模拟集成电路中需要精确电阻和受控电阻以实现某些特定的电路 功能，例如频率补偿。在传统电路中通常使用工作在深线性区的MOS晶 体管来产生这样的一个等效电阻。但是在传统电路中，MOS晶体管电阻 的源端通常连接到固定电位上，以便其栅端偏置电压的产生。并且体效应 和工艺误差都会引起MOS管阈值电压的变化，从而影响MOS电阻的等 效阻值。这些因素在很大程度上限制了 MOS电阻在电路中的使用。

发明内容
本发明提供一种受控等效电阻模块，以产生受输入电压或输入电流控 制的等效MOS电阻，解决了现有MOS电阻的等效阻值受工艺误差和体 效应等影响，等效阻值控制不精确的技术难题。
一种受控等效电阻模块，包括
一个为模块供电的电源(VDD);
一个接地端(GND);
一电流方向为流入受控等效电阻模块的第 一输入电路； 一电流方向为流出受控等效电阻模块的第二输入电路； 一接收第一、第二输入电路的输出电流信号并调整其电流方向和大小
后输出的电流传输模块(CV);
一用于产生等效阻值控制电压的第一PMOS管(Ms)，第一PMOS
管(Ms)的源极连接电流传输模块(CV)的输出端，4册极连接漏极； 一用于产生等效阻值的第二PMOS管(MR)，其源极和漏极作为等
效电阻的两个接入端；一运算放大器(Al)，其同向输入端连接第二PMOS管(MR)的源 极，反向输入端连接第一PMOS管(Ms)的源极，输出端连接第二PMOS 管(MR)的栅极和第一 PMOS管(Ms)的漏极；
第一输入电路或第二输入电路接收外部控制信号，经过电流传输模块 (CV)生成响应的控制电流。
所述的第一输入电路包括一用于将第一控制输入电压(Vjn,)转化为
电流信号的第三MOS晶体管(MC1)和第一控制输入电流(I加)；第二
输入电路包括一用于将第二控制输入电压(Vjn2)转化为电流信号的第四
MOS晶体管(Mc2)和第二控制输入电流(Iin2 );第三MOS管(MC1) 和第四MOS晶体管(MC2)工作在饱和区，其栅极接收外部控制信号。
可在所述的第一输入电路中、第二输入电路中和电流传输模块(CV) 之后(电流传输模块之后指恒定电流源接入电流传输模块的输出端)的至 少一处设有用于限制受控等效电阻最大阻值的恒定电流源(Icl、 IC2、 Ic)。
所述的第一输入电路和第二输入电路的四个控制信号第一控制输入 电压(V加)、第二控制输入电压(VrN2)、第一控制输入电流(Iim)和 第二控制输入电流(l脱)可以单独作用以控制受控电阻阻值的大小。当
多个输入信号同时存在时，第一控制输入电流(I肌)和第一控制输入电 压(Vmi)经第三MOS晶体管(Mcl)转化的电流信号之间为加和关系， 以产生第一输入电路的输出电流；第二控制输入电流(Ijn2)和第二控制 输入电压(V脱)经第四MOS晶体管(MC2)转化的电流信号之间为加和 关系，以产生第二输入电路的输出电流。在电流传输模块(CV)，可以 对第一输入电路的输出电流和第二输入电路的输出电流之间进行加、减、 乘、除等数学运算，最终产生控制等效电阻阻值的控制电流(ICTRL)。
所述的运算放大器为差分输入单端输出的差分放大器。
本发明的技术方案还可以采用NMOS晶体管实现，包括
一种受控等效电阻模块，包括
一个为模块供电的电源(VDD);
一个接地端(GND);
一电流方向为流入受控等效电阻模块的第 一输入电路； 一电流方向为流出受控等效电阻模块的第二输入电路；一接收第一、第二输入电路的输出电流信号并调整其电流方向和大小
后输出的电流传输^f莫块(CV);
一用于产生等效阻值控制电压的第一PMOS管(Ms),第一NMOS 管(Ms)的源极连接电流传输模块(CV)的输出端，栅极连接漏极；
一用于产生等效阻值的第二NMOS管(MR)，其源极和漏极作为等 效电阻的两个^妻入端；
一运算放大器(Al),其同向输入端连接第二NMOS管(MR)的源 极，反向输入端连接第一NMOS管(Ms)的源极，输出端连接第二NMOS 管(MR)的栅极和第一NMOS管(Ms)的漏极；
第一输入电路或第二输入电i^接收外部控制信号，经过电流传输模块 (CV)生成响应的控制电流。
所述的第一输入电路包括一用于将第一控制输入电压(V閒)转化为 电流信号的第三MOS晶体管(MC1)和第一控制输入电流(I脆)；第二 输入电路包括一用于将第二控制输入电压(VrN2)转化为电流信号的第四 MOS晶体管(MC2)和第二控制输入电流(Iin2);第三MOS管(MC1) 和第四MOS晶体管(MC2)工作在饱和区，其栅极接收外部控制信号。
可在所述的第一输入电路中、第二输入电路中和电流传输模块(CV) 之后的至少一处设有用于限制受控等效电阻最大阻值的恒定电流源(IC1、
Ic2、 Ic )。
所述的第一输入电路和第二输入电路的四个控制信号第一控制输入 电压(Vmi)、第二控制输入电压(VrN2)、第一控制输入电流(Imi)和 第二控制输入电流(I脱)可以单独作用以控制受控电阻阻值的大小。当
多个输入信号同时存在时，第一控制输入电流(Iini)和第一控制输入电 压(Vini)经第三MOS晶体管(Mci)转化的电流信号之间为加和关系， 以产生第一输入电路的输出电流；第二控制输入电流(Iin2)和第二控制 输入电压(Vm2)经第四MOS晶体管(MC2)转化的电流信号之间为加和 关系，以产生第二输入电路的输出电流。在电流传输模块(CV)，可以 对第一输入电路的输出电流和第二输入电路的输出电流之间进行加、减、 乘、除等数学运算，最终产生控制等效电阻阻值的控制电流(ICTRL)。 所述的运算放大器为差分输入单端输出的差分放大器。
该受控电阻生成电路具有以下优点1、 由于MOS管Mii和MOS管Ms采用相同的器件类型，因此当工艺 角变化时，由于工艺原因MOS管Mr和MOS管Ms的器件参数发生相同 的变化，进而相互抵消，所以受控电阻具有抑制工艺误差的特性。
2、 由于MOS管MR和MOS管Ms的衬底拥有相同的连接方式，即连 接到一个相同的电位例如GND或KDD，或者分别连接到各自得源端。因 此MOS管MR和MOS管Ms拥有相同的衬源电压，即FBS，MR=FBS，MS。因 此可以忽略体效应对受控电阻的影响。在电路级表现为，当MOS管Mr 的源端电压变化时&MR,受控电阻的阻值变化很小。
3、 电流源Ic限制流过MOS管Ms的最小电流，进而限制了 MOS管 Ms的最小栅源电压Pgs,ms,最后限制了 MOS管MR所产生的等效电阻的 最大值。


图1是PMOS管做MOS管MR时两种输入电压和两种输入电流情况 下的受控电阻生成电路的拓朴图2是PMOS管做MOS管MR时，在第一和第二输入电路中分别添 加恒定电流源IC1和IC2的受控电阻生成电路的拓朴图3是PMOS管做MOS管MR，在电流传输模块CV之后添加恒定 电流源Ic的受控电阻生成电路的拓朴图4是NMOS管做MOS管MR时两种输入电压和两种输入电流情况 下的受控电阻生成电路的拓朴图5是NMOS管做MOS管MR时，在第一和第二输入电路中分别添 加恒定电流源Ia和IC2的受控电阻生成电路的拓朴图6是NMOS管做MOS管MR，在电流传输模块CV之后添加恒定 电流源Ic的受控电阻生成电路的拓朴具体实施例方式
本发明的受控等效电阻模块包括产生受控电阻的MOS管MR;产生 等效阻值控制电压的MOS管Ms;锁定MOS管Mr和MOS管Ms源端电 压的运算放大器Al;调整输入电流信号方向和大小的电流传输模块CV;将输入电压信号转变为电流信号的MOS管MC1和M OS管MC2;限制最
大阻值的电流源Id、电流源Ic2和电流源Ic。
MOS管MR的设计要求为MOS管MR工作在线性区或深度线性区；
其等效漏源电阻rds,慮受到其栅源电压Fgs,mr的控制；并且"ds,mr和Fgs，mr
成反比关系；MOS管MR的漏端和源端等效为受控电阻的两个输入端； MOS管MR的漏端和源端在电路连接上无强制要求；MOS管Mr的源端 和Al的同向输入端相连；MOS管Mr的柵端和MOS管Ms的栅端以及运 算放大器Al的输出端相连；MOS管MR的类型和其源端电压值K,mr及
阈值电压rjH，mr有关；当&,慮>|^1，逢|时，MOS管Mr可以采用PMOS 管；当rDD-rs,mr>|FrH,MRW， MOS管Mr可以釆用NMOS管。
MOS管Ms的设计要求为MOS管Ms和MOS管MR为相同的MOS 管类型，或同为PMOS管，或同为NMOS管；MOS管Ms和MOS管MR 的衬底采用相同的连接方式，可连接到同一电位上例如GND或电源端 rDD,也可以连接到各自的源端；MOS管Ms采用栅漏短接的二极管连接 方式，从而保证MOS管Ms工作在饱和区；经由电流传输才莫块CV产生的 控制电流IcTKL，全部流过MOS管Ms;若在电流传输模块之后没有添加 固定电流源Ic,则MOS管Ms的漏源电流等于经由电流传输模块CV产生 的控制电流IcTOL;若在电流传输模块之后添加固定电流源Ic,则MOS管
MS的漏源电流等于经由电流传输模块CV产生的控制电流Ictrl与固定电
流源Ic的电流和；MOS管Ms的源端和运算放大器Al的反向输入端相连； MOS管Ms的栅端(漏端)和MOS管MR的栅端以及运算放大器Al的输 出端相连；流经MOS管Ms的电流都由运算放大器Al接受或提供等值的 电流；
运算放大器A1的设计要求为运算放大器Al为差分输入单端输出 的差分放大器；运算放大器A1的同向输入端和MOS管MR的源端相连； 运算放大器Al的反向输入端和MOS管Ms的源端相连；运算放大器Al 的输出端和MOS管Ms的栅端(漏端)以及MOS管MR的栅端以及相连； 运算放大器Al经MOS管Ms连接成一个闭环系统；利用闭环系统中运算 放大器同向输入端和反向输入端虚短的特性，运算放大器Al使得MOS管MR和MOS管Ms拥有相同源端电压；运算力文大器Al的输出电压等于 MOS管Ms的源端电压rs，MS，加上流经MOS管Ms的电流在MOS管Ms 上产生的栅源电压Fgs,ms，即Fout，a尸Fs，ms+Fqs，ms或^oUT，A1=rs，MR+FGS,MS; 运算放大器A1通常为多极放大器及联的结构，级联数大于等于2;多极 放大器的最后一级需要接受或提供流经MOS管Ms的电流；当流经MOS 管Ms的电流不大，以及对受控电阻阻值精度要求不高时，运算放大器Al 可以使用单级差分放大器；运算放大器Al输入端的直流电压工作点由 MOS管Mji的源端电压K,mr决定。
电流传输模块CV的设计要求为电流传输^莫块CV的输入信号类型
为电流，既可以是直接的控制输入电流(I肌和Ijn2)，也可以是控制输入
电压(V冊和Vin2)经由MOS管(Md和Mc2)转化后的电流；电流传输 模块CV的输出信号类型为电流，记为IcTRL，其表达式为
"^ctrl =(An1 + gm.MGl^Nl ，AlM2 + ^m.MG2^N2 ) ①
在式 中，函数/cv(a，b)由电流传输模块CV的电路实现决定，可以是
加减乘除等数学运算。该函数拥有两个自变量，对照受控等效电路模块的 电路结构，两个自变量分别为第一输入电路和第二输入电路的输出电流； 电流传输沖莫块CV输出电流Ictrl的流向需要和MOS管Ms的类型匹配； 当MOS管Ms为PMOS管时，电流传输模块CV的输出电流IcTRL需要流 入MOS管Ms的源端，最后进入运算放大器Al的输出端，经由运算放大 器Al的内部电路流到接地端GND;当MOS管Ms为NMOS管时，电流 传输模块CV的需要接受从MOS管Ms源端流出的电流，该电流是从运算 放大器A1的输出端流出，并由运算放大器A1的内部电路从电源Fdd荻 得。
MOS管Mc的设计要求为MOS管Mc工作在饱和区；受控等电阻 的输入电压信号加载在Mc管的栅端；MOS管Mc的源端连接到固定电位； 利用饱和区MOS管的V-I特性，MOS管Mc将输入电压信号转换为电流 信号，以便后续电路进行处理。限制最大阻值的电流源Ic (IC1、 IC2)的^:计要求为电流源Ic (IC1、 IC2)的输出电流为常数；电流源Id或Ic2可以分别i文入第一或第二输入电 路中，以确定变第一或第二输入电路的最小输出电流，进而确定电流传输 模块CV输出电流IciRL的最小值；电流源Ic也可以放置在电流传输模块
CV之后，直接确定流过MOS管Ms的电流的最小值。
当受控电阻生成电路的输入信号为电压信号时，首先经过MOS管 Mc将电压信号转换为电流信号。由于MOS管Mc工作再饱和区，经由 MOS管Mc转换后的输入电流信号为
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如果受控等效电阻模块的输入信号为电流信号时，则不需要进行上述 转换，可直接将输入的电流信号传递都后续电路中进行处理。
根据受控等效电阻模块接入端的电压来决定MOS管Mr的美型。记受 受控等效电阻模块的等效电阻的两个接入端为A和B,其电压为Fa和 并令^>&。当Fa>|Fth，mr|， MOS管Mr逸捧PMOS管，并且Mr管的源 端和A端相连；当Fdd-Fb叫Fth，mr卜MOS管Mr逸捧NMOS管，并且 MOS管Mr的源端和B端相连。
在确定了 MOS管MR的类型之后，需要选择与W目同类型的MOS管 作为MOS管Ms。根据MOS管Ms的类型，可以得到流经MOS管Ms的 电流方向。当MOS管Ms为PMOS管时，电流需要从MOS管Ms的源端 流入，最后进入运算放大器Al的输出端，经由运算放大器Al的内部电 路流到接地端GND;当MOS管Ms为NMOS管时，电流需要从MOS管 Ms源端流出，该电流是从运算放大器A1的输出端流出，并由运算放大器 Al的内部电路从Fdd荻得。在确定了流经MOS管Ms电流的流向后，需 要调整电流传输模块CV的电路结构，使得其输出电流ICTRL的流向和流经 MOS管Ms电流的流向一致。
由于MOS管Ms的源端和运算放大器Al的反向输入端相连。在CMOS 工艺中，MOS管的栅端为高阻抗，当输入信号为电流^t式时，经电流传 输模块CV转换后的或不经电流传输模块CV转换的受控等效电阻模块的 输入电流信号都将流过MOS管Ms;当输入信号为电压模式时，经由MOS管Mc从输入电压信号转换过来的电流信号无论经电流传输模块CV转换 后的或不经电流传输模块CV转换都将流过MOS管Ms。由于MOS管 Ms采用二极管连接，因此可以认为其工作在饱和区，根据饱和区MOS管 的V-I特性，可以计算出MOS管Ms的栅源电压为
K|= _2 "CTRL_I ③
由于经由MOS管Ms，运算放大器Al形成了一个闭环系统。又因为 运算放大器Al的同向输入端和MOS管MR的源端相连以及运算放大器 Al的反向输入端和MOS管Ms的源端相连，根据闭环系统中运算放大器 同向输入端和反向输入端虚短的特性，MOS管Mr和MOS管Ms拥有相 同的源端电压。另外由于运算放大器Al的输出端和MOS管Ms的栅端(漏 端)以及MOS管Mr的柵端以及相連，所以MOS管Mr和MOS管Ms 拥有相同的栅端电压，即MOS管Mr和MOS管Ms拥有相同的栅源端电
压「gs,mr = 「gs,ms。
由于MOS管Mr和MOS管Ms拥有相同的器件类型和衬底连接方式， 因此工艺误差和体效应对他们的器件参数有相同的影响，从而使得MOS 管Mr和MOS管Ms拥有相同的阈值电压rTH,MR=FrH,Ms。
由于MOS管MR工作在线性区或深度线性区，其漏源等效电阻的表达 式为
"ds,MC =
CTRL
若电流源Ic添加在第一或第二输入电路中，则式①改写为
(CTRL
根据式 计算出的新的Ictrl，利用式④可以计算出添加电流源Ic后 的受控等效电阻的阻值。若电流源Ic添加在电流传输模块CV之后，则式④改写为:
(『A)鹏V2//C0X(/CTRL+/C)
实施例l
本实施例的受控等效电阻冲莫块如图l所示。
第一输入电路包含第一控制输入电流(I肌)和用于将第一控制输入
电压(Vjni )转化为电流信号的第三MOS晶体管MC1。第三MOS管MC1 工作在饱和区，其栅极接收外部第一控制输入电压(V肌)。
第二输入电路包含第二控制输入电流(iw2)和用于将第二控制输入 电压(Vin2)转化为电流信号的第四MOS晶体管MC2。第三MOS管MC2
工作在饱和区，其栅极接收外部第二控制输入电压(ViN2)。
第一输入电路和第二输入电路的输出电流流入电流传输模块的两个 输入端，电流传输模块根据自身电路结构决定的传输函数/cv(a,b)处理两个
输入电流信号，并产生输出电流Ictol。
Ictrl的电流方向为流出电流传输
模块cv。
第一 PMOS管Ms的源极连接电流传输模块CV的输出端，栅极连接 漏极。
用于产生等效阻值的第二 PMOS管MR，其源极和漏极作为等效电阻 的两个4妄入端。
运算放大器Al的同向输入端连接第二 PMOS管Mr的源板，反向输 入端连接第一 PMOS管Ms的源极，输出端连接第二 PMOS管MR的栅极 和第一 PMOS管Ms的漏极。
实施例2
本实施例的受控等效电阻模块如图2所示。
在实施例1的基础上，分别在第一输入电路和第二输入电路中添力口恒
定电流源Ici和Ic2实施例3
本实施例的受控等效电阻模块如图3所示。
在实施例1的基础上，在电流传输模块CV之后添加恒定电流元Ic。 实施例4
本实施例的受控等效电阻才莫块如图4所示。
第一输入电路包含第一控制输入电流(I肌)和用于将第一控制输入 电压(V肌)转化为电流信号的第三MOS晶体管MC1。第三MOS管MC1 工作在饱和区，其栅极接收外部第一控制输入电压(V肌)。
第二输入电路包含第二控制输入电流(Ijn2)和用于将第二控制输入
电压(Vin2)转化为电流信号的第四MOS晶体管MC2。第三MOS管MC2 工作在饱和区，其栅极接收外部第二控制输入电压(VrN2)。
第 一输入电路和第二输入电路的输出电流流入电流传输模块的两个 输入端，电流传输模块根据自身电路结构决定的传输函数/cv(a,b)处理两个
输入电流信号，并产生输出电流Ictrl。
Ictrl的电流方向为流出电流传输
模块cv。
第一 NMOS管Ms的源极连接电流传输模块CV的输出端，栅极连接 漏极。
用于产生等效阻值的第二NMOS管MR,其源极和漏极作为等效电阻 的两个接入端。
运算放大器Al的同向输入端连接第二NMOS管Mn的源极，反向输 入端连接第一PMOS管Ms的源极，输出端连接第二NMOS管Mr的柵板 和第一 NMOS管Ms的漏极。
实施例5
本实施例的受控等效电阻模块如图5所示。
在实施例4的基础上，分别在第一输入电路和第二输入电路中添加恒
定电it源Ici和Ic2实施例6
本实施例的受控等效电阻模块如图6所示。
在实施例4的基础上，在电流传输模块CV之后添加恒定电流元Ic。
权利要求
1、一种受控等效电阻模块，其特征在于包括一个为模块供电的电源(VDD)；一个接地端(GND)；一电流方向为流入受控等效电阻模块的第一输入电路；一电流方向为流出受控等效电阻模块的第二输入电路；一接收第一、第二输入电路的输出电流信号并调整其电流方向和大小后输出控制电流的电流传输模块(CV)；一用于产生等效阻值控制电压的第一PMOS管(MS)，第一PMOS管(MS)的源极连接电流传输模块(CV)的输出端，栅极连接漏极；一用于产生等效阻值的第二PMOS管(MR)，其源极和漏极作为等效电阻的两个接入端；一运算放大器(A1)，其同向输入端连接第二PMOS管(MR)的源极，反向输入端连接第一PMOS管(MS)的源极，输出端连接第二PMOS管(MR)的栅极和第一PMOS管(MS)的漏极；第一输入电路或第二输入电路接收外部控制信号，经过电流传输模块(CV)生成响应的控制电流。
2、 根据权利要求1所述的受控等效电阻模块，其特征在于所述的 第一输入电路包括一用于将第一控制输入电压(V肌)转化为电流信号的 第三MOS晶体管(Ma)和第一控制输入电流(1^);第二输入电路包 括一用于将第二控制输入电压(Vin2)转化为电流信号的第四MOS晶体 管(MC2)和第二控制输入电流(Im2);第三MOS管(MC1)和第四MOS 晶体管(MC2)工作在饱和区，其栅极接收外部控制信号。
3、 根据权利要求1所述的受控等效电阻模块，其特征在于所述的 第一输入电路中、第二输入电路中和电流传输才莫块(CV)之后的至少一 处设有用于限制受控等效电阻最大阻值的恒定电流源(IC1、 IC2、 Ic)。
4、 根据权利要求2所述的受控等效电阻模块，其特征在于第一控 制输入电压(V肌)、第二控制输入电压(V脱)、第一控制输入电流(I肌) 和第二控制输入电流(I恥)单独作用以控制受控电阻阻值的大小；或当多个输入信号同时存在时，第一控制输入电流(I肌)和第一控制输入电压(V肌)经第三MOS晶体管(MC1)转化的电流信号之间为加和关系，以产生第一输入电路的输出电流；第二控制输入电流(IrN2)和第二控制输入电压(v脱)经第四MOS晶体管(MC2)转化的电流信号之 间为加和关系，以产生第二输入电路的输出电流；电流传输模块(CV)对第一输入电路的输出电流和第二输入电路的输出电流之间进行运算产生控制等效电阻阻值的控制电流(Ictrl)。
5、 根据权利要求l-4任一所述的受控等效电阻模块，其特征在于 所述的运算放大器为差分输入单端输出的差分放大器。
6、 一种受控等效电阻模块，其特征在于包括 一个为模块供电的电源(VDD); 一个接地端(GND);一电流方向为流入受控等效电阻模块的第 一输入电路；一电流方向为流出受控等效电阻模块的第二输入电路；一接收第一、第二输入电路的输出电流信号并调整其电流方向和大小 后输出的电流传ll^莫块(CV);一用于产生等效阻值控制电压的第一NMOS管(Ms)，第一NMOS 管(Ms)的源极连接电流传输模块(CV)的输出端，栅极连接漏极；一用于产生等效阻值的第二NMOS管(MR)，其源极和漏极作为等 效电阻的两个接入端；一运算放大器(Al)，其同向输入端连接第二NMOS管(MR)的源 极，反向输入端连接第一NMOS管(Ms)的源极，输出端连接第二NMOS 管(MR)的栅极和第一NMOS管(Ms)的漏极；第一输入电路或第二输入电路接收外部控制信号，经过电流传输模块 (CV)生成响应的控制电流。
7、 根据权利要求6所述的受控等效电阻模块，其特征在于所述的 第一输入电路包括一用于将第一控制输入电压(V加)转化为电流信号的 第三MOS晶体管(MC1)和第一控制输入电流(Iini);第二输入电路包 括一用于将第二控制输入电压(V脱)转化为电流信号的第四MOS晶体 管(MC2)和第二控制输入电流(Iin2 );第三MOS管(MC1)和第四MOS 晶体管(MC2)工作在饱和区，其栅极接收外部控制信号。
8、 根据权利要求6所述的受控等效电阻模块，其特征在于所述的 第一输入电路中、第二输入电路中和电流传输模块(CV)之后的至少一 处设有用于限制受控等效电阻最大阻值的恒定电流源(IC1、 IC2、 Ic)。
9、 根据权利要求6所述的受控等效电阻模块，其特征在于第一控制输入电压(V肌)、第二控制输入电压(ViN2 )、第一控制输入电流(I肌)和第二控制输入电流(l脱)单独作用以控制受控电阻阻值的大小；或当多个输入信号同时存在时，第一控制输入电流(I冊)和第一控 制输入电压(V朗)经第三MOS晶体管(MC1)转化的电流信号之间为加 和关系，以产生第一输入电路的输出电流；第二控制输入电流(Iin2)和 第二控制输入电压(ViN2)经第四MOS晶体管(MC2)转化的电流信号之 间为加和关系，以产生第二输入电路的输出电流；电流传输模块(CV)对第一输入电路的输出电流和第二输入电路的输出电流之间进行运算产生控制等效电阻阻值的控制电流(Ictrl)。
10、 根据权利要求6-9任一所述的受控等效电阻模块，其特征在于 所述的运算放大器为差分输入单端输出的差分放大器。
全文摘要
本发明提供一种受控等效电阻模块，包括产生受控电阻的MOS管M_R；产生等效阻值控制电压的MOS管M_S；锁定MOS管M_R和MOS管M_S源端电压的运算放大器A1；调整输入电流信号方向和大小的电流传输模块CV；将输入电压信号转变为电流信号的MOS管M_C；限制最大阻值的电流源I_C。该等效电阻模块受输入电压或输入电流的控制的改变等效MOS电阻，解决了现有MOS电阻的等效阻值受工艺误差和体效应等影响，等效阻值控制不精确的技术难题。
文档编号H03K19/094GK101534118SQ20091009767
公开日2009年9月16日 申请日期2009年4月16日 优先权日2009年4月16日
发明者何乐年, 宁志华, 忆 王, 邵亚利 申请人:浙江大学