专利名称：10MHz单层恒温晶振的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种单层恒温晶振，特别是一种对温度特性有特 别要求的10MHz单层恒温槽高稳晶振。
背景技术：
电信业3G业务启动以后，对交换机中主要晶振的要求普遍有所 提高。例如其中一种需求量巨大的10MHz恒温晶振，在以25-C为参 考温度时其温度特性要求达到土2.1X10—7 (-10 +70) °C，考虑到 企业内控指标，其温度特性要求最差应达到土L 5X10—7 (-10 +70) °C。采用传统的温度补偿观念，如设置温度传感器采集了环境温度变 化的信息，再设置相应电路去补偿晶振频率的变化。这种现有技术显 然反应迟钝滞后，完全不能适应晶振的精度要求。所以，要达到上述 指标是十分困难的。
发明内容
本实用新型的目的在于发明一种lOMHz单层恒温晶振，可以简 捷、有效地克服现有技术的不足，达到晶振的精度要求，以满足社会 生产的需要。本实用新型的目的可以通过以下措施来达到-
本实用新型的10MHz单层恒温晶振，由晶体振荡电路和控温电 路、恒温槽组成。振荡电路和控温电路包括有B模抑制网络、运算放 大器、功率加热管，其中B模抑制网络中有电感L2、电感L3;晶体 安放在内附保温层的恒温槽体中与振荡电路电连接；振荡控温电路板 底层安装有导热铜板；保温层包覆着的晶体及振荡控温电路板被封装 在晶振外壳内。
所述的振荡电路中的运算放大器安放在恒温槽内；所述的振荡电 路中的B模抑制网络中的电感L2与电感L3安装在振荡控温电路板底 层，电感L2与电感L3的接地端与导热铜板电连接；所述的振荡控温 电路中还设置有温度特性自补偿单元。
所述的B模抑制网络中的电感L2、电感L3与在电路板底层的导 热铜板紧密热接触。
所述的温度特性自补偿单元是由电阻构成的分压器。
所述的分压器由电阻R29、电阻R30、电阻R31、电阻R5构成， 分压器一端与运算放大器的输出端电连接，分压器的分压输出端与变 容二极管的正极电连接。
所述的分压器由电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R5构成， 分压器一端与功率加热管的发射极电连接，分压器的分压输出端与变 容二极管的正极电连接。
本实用新型lOMHz单层恒温晶振通过温度特性自补偿单元直接 利用环境温度改变时在电路中引起的工作状态变化的信息，去补偿晶振频率的变化，达到晶振的精度要求，以满足社会生产的需要。
附图1是本实用新型的结构原理图。
附图2是本实用新型的电路图。
附图3是本实用新型另一种实施方式的电路图。
具体实施例
结合附图对本实用新型进行进一步的描述
根据附图l、附图2或附图1、附图3可以看出，本实用新型的 10MHz单层恒温晶振，晶体振荡电路和控温电路设在振荡控温电路板 1上；振荡控温电路板1底层为接地面，接地面安装有导热铜板2; 振荡控温电路板l、导热铜板2、晶体3电连接，并被保温层4包覆 着并安装在晶振壳体5内。保温层4内设有恒温槽6。将对温度敏感 的运算放大器从恒温槽外移到恒温槽内，可以降低温度变化对运算放 大器的干扰；将对温度敏感的B模抑制网络中的电感L2和电感L3， 由振荡控温电路板1的顶层移至底层接地面，紧密贴合在导热铜板2 上，具有一定热容量的导热铜板2与电感L2和电感L3之间的热耦合 很紧，且有共同的接地端，可以保证电感L2和电感L3处于温度较为 稳定的状态，也就降低了温度变化的干扰。采取以上措施后，晶振的 温度特性可以改善到(1.0±0.5) X10—7 (-10 +70) 。C。
根据附图2、附图3，本实用新型的一种10MHz单层恒温晶振，是在控温电路中设置了温度特性自补偿单元，可在不外加温度传感器 的情况下，即利用环境温度改变时在电路中引起的工作状态变化的信 息，去补偿晶振频率的变化。
所述的温度特性自补偿单元是由一组电阻构成的分压器。
附图2描述了作为温度特性自补偿单元的分压器的一端是与运算 放大器IC4的输出端电连接，电阻R29、电阻R30构成为第一次分压 器和电阻R31、电阻R5构成的第二次分压器得大约10mV的电压送至 变容二极管D的正极对频率进行自补偿。
附图3则是将分压器的一端与功率加热管T3的发射极电连接， 电阻R30、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R5的电阻分压器从 电压变化量中提取约10mV的电压，送至变容二极管D的正级，同样 可以补偿晶振频率的变化。
本实用新型的这种在晶振中不另设温度传感器，而是利用环境温 度改变时在电路中引起的工作状态变化的信息，去补偿晶振频率变化 的方法，电路设置简单，操作方便，效果明显。
这里需要指出的是，尽管已经对本实用新型进行了详细的描述， 但是就本领域工作人员来说，在这个基础上做出的类似和相似的修改 都应该属于本实用新型的保护范围。
权利要求1、一种10MHz单层恒温晶振，由晶体振荡电路和控温电路、恒温槽组成，所述的振荡和控温电路包括有B模抑制网络、运算放大器、功率加热管；B模抑制网络中有电感(L2)、电感(L3)；晶体安放在内附保温层的恒温槽体中与振荡电路电连接；振荡控温电路板底层安装有导热铜板；保温层包覆着的晶体及振荡和控温电路板被封装在晶振外壳内，其特征在于所述的振荡电路中的运算放大器安放在恒温槽内；所述的振荡电路中的B模抑制网络中的电感(L2)与电感(L3)安装在电路板底层，电感(L2)与电感(L3)的接地端与导热铜板电连接；所述的振荡控温电路中还设置有温度特性自补偿单元。
2、 根据权利要求1所述的一种10MHz单层恒温晶振，其特征在于所述 的B模抑制网络中的电感(L2)、电感(L3)与在电路板底层的导热铜板紧密热 接触。
3、 根据权利要求1所述的一种10MHz单层恒温晶振，其特征在于所述 的温度特性自补偿单元是由电阻构成的分压器。
4、 根据权利要求3所述的一种10MHz单层恒温晶振，其特征在于所述 的分压器由电阻(R29)、电阻(R30)、电阻(R31)、电阻(R5)构成，分压器一端 与运算放大器的输出端电连接，分压器的分压输出端与变容二极管的正极电 连接。
5、 根据权利要求3所述的一种lOMHz单层恒温晶振，其特征在于所述 的分压器由电阻R(30)、电阻(R31)、电阻(R32)、电阻(R5)构成，分压器一端 与功率加热管的发射极电连接，分压器的分压输出端与变容二极管的正极电 连接。
专利摘要本实用新型涉及一种单层恒温晶振，特别是一种对温度特性有特别要求的10MHz单层恒温槽高稳晶振，由晶体振荡电路和控温电路、恒温槽组成。振荡电路和控温电路包括有B模抑制网络、运算放大器、功率加热管，其中B模抑制网络中有电感L2、电感L3；晶体安放在内附保温层的恒温槽体中与振荡电路电连接；振荡控温电路板底层安装有导热铜板；保温层包覆着的晶体及振荡控温电路板被封装在晶振外壳内，所述的震荡控温电路中还设置有温度特性自补偿单元。本实用新型10MHz单层恒温晶振中温度特性自补偿单元可直接利用环境温度改变时在电路中引起的工作状态变化的信息，去补偿晶振频率的变化。
文档编号H03B5/04GK201398175SQ20092013437
公开日2010年2月3日 申请日期2009年7月31日 优先权日2009年7月31日
发明者辉 朱, 朱炳权, 英 赵, 赵声衡, 赵永春 申请人:深圳市三奇科技有限公司