专利名称：多尔蒂放大器的制作方法
技术领域：
本发明涉及组合放大器，具体涉及多尔蒂放大器。再具体地，本发明涉及包括包络 检测器的多尔蒂放大器。更具体地，本发明涉及允许动态偏置控制的多尔蒂放大器。
背景技术：
在诸如无线通信技术的通信技术中，需要非常高功率的RF放大器来发送具有时 间变量幅度并以峰值功率与平均功率水平之比(PAR)为特征的调制RF信号。所使用的RF 放大器不仅需要输出高功率，还需要可以在平均功率水平上以线性方式高效地放大RF信 号。可以使用不同类型的晶体管用于放大。此外，晶体管可以工作在不同类。晶体管或通 常来说放大器的工作类(operational calss) (Α类、AB类、B类和C类)可以取决于导通角 θ。在FET的情况中导通角θ可以由关系式来限定，该关系式包括向晶体管的栅极施加的 DC偏置电压Vbias的值、栅极阈值电压Vt以及输入信号的电压幅度，在LDMOS的情况中可 以由以下表达式从所述关系式导出导通角θ，表达式为
权利要求
1.一种组合放大器，包括第一放大器(3，3a，3b)，具有第一输入端子(11,11a, lib)和第一输出端子(25,25a, 25b)；第二放大器(5，5a，釙)，具有第二输入端子(27, 27a, 27b)和第二输出端子(29,29a, 29b)；第一阻抗变换器(Li，4!3b)，连接在第一输入端子与第二输入端子之间；包络检测器(33，33a，3 )，包括检测器输出端子和连接至第一输出端子的检测器输入端子。
2.根据权利要求1所述的组合放大器，其中包络检测器包括以下装置中的至少一个 定向耦合器(33，33a，33b)；峰值电压检测器；整流器；半导体二极管；放大器件；磁场传感 器；电场传感器；以及电流传感器。
3.根据权利要求1或2所述的组合放大器，还包括 第二阻抗变换器(Lo，45b)，第二阻抗变换器(Lo，45b)连接在第二放大器的第二输出端子与第一放大器的第一输 出端子之间。
4.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的组合放大器，还包括 偏置控制路径(49b)，偏置控制路径(49b)连接包络检测器的检测器输出端子和第二放大器的第二输入端子。
5.根据权利要求4所述的组合放大器，还包括 包络信号处理器(47b)，包络信号处理器(47b)被布置在偏置控制路径中，其中包络信号处理器适于处理由检 测器输出端子提供的检测器输出信号以及适于将处理过的检测器输出信号提供给第二输 入端子。
6.根据权利要求5所述的组合放大器，其中包络信号处理器适于处理检测器输出信 号，使得提供给第二输入端子的处理过的检测器输出信号控制第二放大器，从而第二输出 端子处的放大器输出信号线性地取决于施加给组合放大器的输入信号。
7.根据权利要求1至6中任一项权利要求所述的组合放大器，其中第一放大器和第二 放大器集成在公共半导体芯片(36)上。
8.根据权利要求7所述的组合放大器，其中包络检测器包括定向耦合器(33a)，定向耦 合器(33a)包括检测器输出端子(3 )，耦合器包括耦合接合线(38a)，耦合接合线(38a)适于电磁耦合至第二阻抗变换器(Lo)。
9.根据权利要求8所述的组合放大器，其中第二阻抗变换器包括 第二接合线(Lo)，第二接合线(Lo)被布置为耦合至耦合接合线，具体地被布置为与耦合接合线平行。
10.根据权利要求8或9所述的组合放大器，还包括 失配检测电路(59b)，定向耦合器的另一检测器输出端子连接至失配检测电路(59b)。
11.根据权利要求10所述的组合放大器，其中失配检测电路适于控制多尔蒂放大器的 操作。
全文摘要
提供了一种组合放大器，具体地提供了允许动态偏置的多尔蒂放大器，组合放大器包括第一放大器(3，3a，3b)，具有第一输入端子(11，11a，11b)和第一输出端子(25，25a，25b)；第二放大器(5，5a，5b)，具有第二输入端子(27，27a，27b)和第二输出端子(29，29a，29b)；第一阻抗变换器(Li，43b)，连接在第一输入端子与第二输入端子之间；包络检测器(33，33a，33b)，包括检测器输出端子和连接至第一输出端子的检测器输入端子。
文档编号H03F1/07GK102098006SQ20101059312
公开日2011年6月15日 申请日期2010年12月14日 优先权日2009年12月15日
发明者伊戈尔·布莱德诺夫 申请人:Nxp股份有限公司