专利名称：信号放大电路的制作方法
技术领域：
本实用新型特别涉及一种应用于卫星接收设备的切换开关系统中的信号放大电 路，属于集成电路技术领域。
背景技术：
目前卫星接收机中通常采用基于DiSEqC协议的DiSEqC多选一切换开关系统，其 工作原理是通过频分复用一根同轴电缆线，DiSEqC多选一切换开关从同轴电缆线中接收 经22KHz载波调制的串行信号(指令)，解码后选通相应的LNB高频头(一个卫星接收机一 般可有多个LNB高频头)与同轴电缆线连接，从而将需要的卫星信号通过同轴电缆传送到 卫星接收机里去。一般来说，DiSEqC多选一切换开关系统中放大从接收机发出的DiSEqC信 号的方案通常采用分立器件三极管方案，参阅图1，即第一电容Cl 一端接待放大信号，另 一端与第一电阻Rl相连，第一电阻Rl另一端与第二电阻R2、三极管Ql的基极相连，三极管 Ql的集电极与第二电阻R2、第三电阻R3相连，第三电阻R3另一端接VDD ；三极管Ql的发 射极接地；从接收机发出的DiSEqC信号通过电容Cl藕合后经过三极管Ql及电阻Rl、R2、 R3组成的放大电路放大后就得到可以供数字电路直接处理的信号，但该种信号放大电路结 构较为分散，器件总数多，电路繁复不易维护，难以适应大规模生产的需要。
实用新型内容本实用新型的目的在于提出一种可使系统结构更为简洁紧凑，并减少系统器件总 数，使之易于生产维护的信号放大电路，从而克服现有技术中的不足。为实现上述实用新型目的，本实用新型采用了如下技术方案一种信号放大电路，其特征在于，所述信号放大电路包括第一电流镜、电流放大模 块和第二电流镜，待放大信号依次经第一电流镜、电流放大模块和第二电流镜处理后，得到 放大后的信号。进一步地讲，所述待放大信号是经一电容藕合后再输入该信号放大电路中的。所述第一电流镜包括第一、二 NMOS管；第二电流镜包括第三、四NMOS管；电流放 大模块为电流镜结构，其包括第一、二 PMOS管；第一、二、三、四NMOS管的源极接地，第一、二 NMOS管的栅极接第一 NMOS管的漏 极，第二 NMOS管的漏极接第一 PMOS管的漏极、第三、四NMOS管的栅极接第三NMOS管的漏 极，第三NMOS管的漏极接第二 PMOS管的漏极，第一、二 PMOS管的栅极与第一 PMOS管的漏 极连接，第一、二 PMOS管的源极接VDD，第四NMOS管的漏极接第三电阻一端，该第三电阻另 一端接VDD，第一 NMOS管的漏极与第一电阻和一第二电阻连接，第一电阻另一端接电容一 端，电容另一端接入待放大信号，第二电阻另一端接第四NMOS管的漏极。与现有技术相比，本实用新型的积极效果在于采用了基于CMOS工艺制造的专用 集成电路方案，电路结构简洁紧凑，器件总数大大减少，更易于生产维护，可大大降低成本， 适合进行大批量生产。
图1为现有DiSEqC多选一切换开关系统中的信号放大电路图；图2为本实用新型一较佳实施例的信号放大电路工作原理框图；图3为本实用新型一较佳实施例的信号放大电路图。
具体实施方式
参阅图2，该信号放大电路应用于DiSEqC多选一切换开关系统中，包括一电流镜 1、一电流放大模块以及一电流镜2，其工作原理大致为从卫星接收机发出的DiSEqC信号 到多选一切换开关系统中做为待放大信号，通过电流镜1、电流放大、通过电流镜2处理后 就可以得到放大后的信号，该信号可供数字电路直接处理。参阅图3，虚线框内电阻R1、R2、R3及PMOS管P1、P2，NMOS管Ni、N2、N3、N4是做 在集成电路内部的信号放大电路，外接一个电容Cl。NMOS管Nl、N2组成电流镜1作为输入 模块和电流放大，该电流镜1的输入模块从结点B看进去等效为几乎不随电流变化的一个 固定电压点。N3、N4组成电流镜2为输出模块和电流放大，该电流镜2的输出模块从结点Y 看进去等效为几乎不随电压变化的一个固定电流点。PMOS管PI、P2组成电流镜作为电流 放大。这样节点B就可以近视等效图1中三极管Ql的基极，而节点Y就可以近视等效图1 中三极管Ql的集电极，电流镜1、电流放大、电流镜2这三个模块共同形成的电流放大倍数 就等效图1中三极管Ql的电流放大倍数。从接收机发出的DiSEqC信号通过电容Cl藕合 后经过虚线框内的集成电路内部信号放大电路后就得到可以供数字电路直接处理的信号。 图1中5个器件就被图3中2个器件完全替代，大大减小系统成本、系统电路更简洁易于维 修、器件总数大大减少适合大批量生产。以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围应不能构成任何 限制。凡本领域技术人员经由本实用新型技术方案之启示而采用等同变换或者等效替换形 成的技术方案，均应落在本实用新型权利保护范围之内。
权利要求1. 一种信号放大电路，其特征在于，所述信号放大电路包括第一电流镜、电流放大模块 和第二电流镜，所述第一电流镜包括第一、二 NMOS管；第二电流镜包括第三、四NMOS管；电 流放大模块为电流镜结构，其包括第一、二 PMOS管；第一、二、三、四NMOS管的源极接地，第一、二 NMOS管的栅极接第一 NMOS管的漏极，第 二 NMOS管的漏极接第一 PMOS管的漏极、第三、四NMOS管的栅极接第三NMOS管的漏极，第 三NMOS管的漏极接第二 PMOS管的漏极，第一、二 PMOS管的栅极与第一 PMOS管的漏极连 接，第一、二 PMOS管的源极接VDD，第四NMOS管的漏极接第三电阻一端，该第三电阻另一端 接VDD，第一 NMOS管的漏极与第一电阻和一第二电阻连接，第一电阻另一端接电容一端，电 容另一端接入待放大信号，第二电阻另一端接第四NMOS管的漏极。
专利摘要本实用新型涉及一种信号放大电路，包括第一电流镜、电流放大模块和第二电流镜，第一电流镜包括第一、二NMOS管；第二电流镜包括第三、四NMOS管；电流放大模块为电流镜结构，包括第一、二PMOS管；待放大信号依次经第一电流镜、电流放大模块和第二电流镜处理后，得到放大后的信号。本实用新型采用了基于用CMOS工艺制造的专用集成电路方案，电路结构简洁紧凑，器件总数大大减少，更易于生产维护，可大大降低成本，适合进行大批量生产。
文档编号H03F3/45GK201910771SQ201020658049
公开日2011年7月27日 申请日期2010年12月14日 优先权日2010年12月14日
发明者张周平, 张姗, 杜坦, 江猛, 江石根 申请人:苏州华芯微电子股份有限公司