专利名称：调速开关的制作方法
技术领域：
本发明涉及到一种调速开关。
背景技术：
如图1所示，调速开关结构通常包括变速触点开关K1、全速触点开关K2和MOS管 (金属一氧化物一半导体场效应晶体管)。全速触点开关K2和MOS管并联后整体与变速触点开关Kl串联。上述结构的调速开关的缺点是当需要调速开关控制为全速时，需要合上全速触点开关K2，而全速触点开关K2通断时，开关电流比较大，容易产生电弧而损伤全速触点开关K2的触点，导致即使合上全速触点开关K2时也无法实现全速。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种不会产生电弧的调速开关。为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为一种调速开关，包括触点开关和 MOS管及连接触点开关和MOS管的单片机。所述单片机设置在调速控制板上。本发明的有益效果是利用单片机控制电子元件MOS管，从而实现调速开关的变速和通断，在开关变速和通断过程中不会产生电弧，避免调速开关受到损坏。
图1是背景技术中调速开关的电路框图； 图2是本发明调速开关的电路图。
具体实施例方式下面结合附图，详细描述本发明的具体实施方案。如图2所示，本发明所述的调速开关，包括触点开关Kl和MOS管及连接触点开关 Kl和MOS管的单片机1。单片机1设置在调速控制板2上，且单片机内设定好程序，可实现调速开关的变速和通断。本发明的优点是利用单片机1控制电子元件MOS管，从而实现调速开关的变速和通断，在开关变速和通断过程中不会产生电弧，避免调速开关受到损坏。
权利要求
1.调速开关，包括触点开关和MOS管，其特征在于还包括连接触点开关和MOS管的单片机。
2.根据权利要求1所述的调速开关，其特征在于所述单片机设置在调速控制板上。
全文摘要
本发明公开了一种不会产生电弧的调速开关，包括触点开关和MOS管及连接触点开关和MOS管的单片机。本发明的优点是利用单片机控制电子元件MOS管，从而实现调速开关的变速和通断，在开关变速和通断过程中不会产生电弧，避免调速开关受到损坏。
文档编号H03K17/04GK102215036SQ201110143449
公开日2011年10月12日 申请日期2011年5月31日 优先权日2011年5月31日
发明者王金峰, 陆亚洲 申请人:张家港华捷电子有限公司