专利名称：交点下移电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种交点下移电路，尤指一种结构简单且能够有效抑制噪声的交点下移电路。
背景技术：
当驱动大电流转换电路时，需要将输入差分信号的交点下移，以避免大电流转换电路的输出出现过冲现象。图1为现有的交点下移电路，其实现方式为利用数字单元对输入信号Vin+、 Vin-进行上升沿延迟(或下降沿延迟)，从而调整差分输出信号的占空比(不等于50%)，当驱动负载电容Cdl、Cd2时，可以自由调节Vout+、Vout-的交点电压。该结构的缺点在于，当数字电压上存在干扰时，会直接影响延迟回路的延迟，从而在输出产生较大的噪声，随着工艺尺寸的降低，此影响会越来越严重。
发明内容鉴于以上内容，有必要提供一种结构简单且能够有效抑制噪声的交点下移电路。一种交点下移电路，包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端及一第二输出端，所述第一输入端与所述第二输入端用于接收一对输入的差分电压信号，所述第一输出端与所述第二输出端用于输出一对差分电压信号，所述交点下移电路还包括一电流源、 一与所述电流源相连的第一电阻、一与所述电流源相连的第二电阻、一与所述第一输入端相连的第一开关元件、一与所述第二输入端相连的第二开关元件、一与所述第一输入端相连的第三开关元件、一与所述第三开关元件相连的第一电容、一与所述第一电容相连的第三电阻、一与所述第三电阻相连的第五开关元件、一与所述第二输入端相连的第四开关元件、一与所述第四开关元件相连的第二电容、一与所述第二电容相连的第四电阻及一与所述第四电阻相连的第六开关元件，所述第一开关元件的一端与所述第一电阻相连，另一端分别与所述第三开关元件、所述第一电容、所述第三电阻、所述第五开关元件、所述第六开关元件及所述第二输出端相连，所述第二开关元件的一端与所述第二电阻相连，另一端分别与所述第四开关元件、所述第二电容、所述第四电阻、所述第六开关元件、所述第五开关元件及所述第一输出端相连。优选地，所述第一开关元件为一第一场效应管，所述第二开关元件为一第二场效应管，所述第三开关元件为一第三场效应管，所述第四开关元件为一第四场效应管，所述第五开关元件为一第五场效应管，所述第六开关元件为一第六场效应管，所述第一电阻与所述第二电阻分别为所述第一场效应管与所述第二场效应管的源极负反馈电阻。优选地，所述第一输入端与所述第一场效应管的栅极及所述第三场效应管的栅极相连，所述第一场效应管的源级与所述第一电阻的一端相连，所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的漏极、所述第一电容的一端、所述第三电阻的一端、所述第五场效应管的源级及所述第六场效应管的栅极相连。[0008]优选地，所述第二输入端与所述第二场效应管的栅极及所述第四场效应管的栅极相连，所述第二场效应管的源级与所述第二电阻的一端相连，所述第二场效应管的漏极与所述第四场效应管的漏极、所述第二电容的一端、所述第四电阻的一端、所述第六场效应管的源级及所述第五场效应管的栅极相连。优选地，所述第一电阻与所述第二电阻的另一端通过所述电流源与一电源端相连，所述第一场效应管的源级、所述第一电容的另一端、所述第三电阻的另一端、所述第五场效应管的漏极、所述第六场效应管的漏极、所述第四电阻的另一端、所述第二电容的另一端及所述第四场效应管的源级共同连接一接地端。优选地，所述交点下移电路为对称结构，所述第一场效应管与所述第二场效应管的结构相同，所述第五场效应管与所述第六场效应管的结构相同，所述第三场效应管与所述第四场效应管的结构相同。优选地，所述第一电阻及所述第二电阻与所述第三电阻及所述第四电阻匹配，所述第一电容与所述第二电容为负载电容。优选地，所述第一电阻与所述第二电阻的阻值相等，所述第三电阻与所述第四电阻的阻值相等，所述第一电容与所述第二电容的电容值相等。相对现有技术，本实用新型交点下移电路结构简单，可以有效抑制来自电源的干扰，几乎不产生噪声，同时采用差分结构，可以抑制共模噪声。
图1为现有的交点下移电路的电路图。图2为本实用新型交点下移电路较佳实施方式的电路图。
具体实施方式
请参阅图2，本实用新型交点下移电路包括一第一输入端Vin+、一第二输入端 Vin-、一电流源I、一第一开关元件、一第二开关元件、一第三开关元件、一第四开关元件、一第五开关元件、一第六开关元件、一第一电阻Rsl、一第二电阻Rs2、一第三电阻Rdl、一第四电阻Rd2、一第一电容Cdl、一第二电容Cd2、一第一输出端Vout+及一第二输出端Vout-。在本实施方式中，该第一开关元件为一第一场效应管Mpa，该第二开关元件为一第二场效应管Mpb，该第三开关元件为一第三场效应管Mnl，该第四开关元件为一第四场效应管Mn2，该第五开关元件为一第五场效应管Mpl，该第六开关元件为一第六场效应管Mp2。该第一场效应管Mpa、该第二场效应管Mpb、该第五场效应管Mpl及该第六场效应管Mp2为P型场效应管(PMOS)，该第三场效应管Mnl及该第四场效应管Mn2为N型场效应管(NMOS)。在其他实施方式中，开关元件可根据需要变更为能够实现同样功能的开关元件或电路。该第一电阻Rsl与该第二电阻Rs2分别为第一场效应管Mpa与第二场效应管Mpb的源极负反馈电阻，其特殊作用为消除工艺对小信号增益的影响。该第一电阻Rsl与该第三电阻Rdl的类型相同，且需做到版图匹配；该第二电阻Rs2与该第四电阻Rd2的类型相同，且需做到版图匹配。该第一电容Cdl与该第二电容Cd2为负载电容。该第三场效应管Mnl与该第四场效应管Mn2为加快该第一输出端Vout+及该第二输出端Vout-输出差分信号的下降沿翻转而设定的，该第五场效应管Mpl与该第六场效应管Mp2用于限制该第一输出端Vout+及该第二输出端Vout-输出差分信号的幅度。该第一输入端Vin+与该第二输入端Vin-用于接收一对输入的差分电压信号，该第一输出端Vout+与该第二输出端Vout-输出一对差分电压信号。本实用新型交点下移电路较佳实施方式的具体电路连接关系如下该第一输入端 Vin+与该第一场效应管Mpa的栅极及该第三场效应管Mnl的栅极相连，该第一场效应管 Mpa的源级与该第一电阻Rsl的一端相连，该第一场效应管Mpa的漏极与该第三场效应管 Mnl的漏极、该第一电容Cdl的一端、该第三电阻Rdl的一端、该第五场效应管Mpl的源级及该第六场效应管Mp2的栅极相连。该第二输入端Vin-与该第二场效应管Mpb的栅极及该第四场效应管Mn2的栅极相连，该第二场效应管Mpb的源级与该第二电阻Rs2的一端相连， 该第二场效应管Mpb的漏极与该第四场效应管Mn2的漏极、该第二电容Cd2的一端、该第四电阻Rd2的一端、该第六场效应管Mp2的源级及该第五场效应管Mpl的栅极相连。该第一电阻Rs2与该第二电阻Rs2的另一端通过该电流源I与一电源端VCC相连。该第一场效应管Mnl的源级、该第一电容Cdl的另一端、该第三电阻Rdl的另一端、该第五场效应管Mpl 的漏极、该第六场效应管Mp2的漏极、该第四电阻Rd2的另一端、该第二电容Cd2的另一端及该第四场效应管Mn2的源级共同连接一接地端GND。本实用新型交点下移电路较佳实施方式的的工作原理如下该交点下移电路为对称结构，假设该第一电阻Rsl与该第二电阻Rs2的阻值相等，均为Rs，该第三电阻Rdl与该第四电阻Rd2的阻值相等，均为Rd，该第一电容Cdl与该第二电容Cd2的电容值相等，均为 Cd，该第一场效应管Mpa与该第二场效应管Mpb的结构相同，该第五场效应管Mpl与该第六场效应管Mp2的结构相同，该第三场效应管Mnl与该第四场效应管Mn2的结构相同。当该第一输入端Vin+输入的差分电压信号为高电平“1”时，该第二输入端Vin-输入的差分电压信号为低电平“O”时，该第二场效应管Mpb开启，该第四场效应管Mn2关断， 电流源I全部通过该第二场效应管Mpb对该第二电容Cd2进行充电，其转换速率为I/Cd ； 同时该第一场效应管Mpa关断，该第三场效应管Mnl开启，该第一电容Cdl通过该第三电阻 Rdl与该第三场效应管Mnl放电，其放电电流为Il=IMnl+^dl，其中IMnl为该第三场效应管Mnl上流过的电流，^dl为该第三电阻Rdl上流过的电流，其转换速率为Il/Cd。可见， 可以通过调节电流源I与电流Il来调节充放电的转换速率，即调节该第一输出端Vout+与该第二输出端Vout-输出的差分电压信号的上升下降时间，从而调节交点电压。同时为了抑制码间干扰，使用该第五场效应管Mpl与该第六场效应管Mp2来限制瞬态电平，以使得不同频率下该第一输出端Vout+与该第二输出端Vout-输出的差分电压信号达到的高电平保持一致。本实用新型交点下移电路结构简单，可以有效抑制来自电源的干扰，几乎不产生噪声，同时采用差分结构，可以抑制共模噪声，具有高的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比 (CMRR)0
权利要求1.一种交点下移电路，包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端及一第二输出端，所述第一输入端与所述第二输入端用于接收一对输入的差分电压信号，所述第一输出端与所述第二输出端用于输出一对差分电压信号，其特征在于所述交点下移电路还包括一电流源、一与所述电流源相连的第一电阻、一与所述电流源相连的第二电阻、一与所述第一输入端相连的第一开关元件、一与所述第二输入端相连的第二开关元件、一与所述第一输入端相连的第三开关元件、一与所述第三开关元件相连的第一电容、一与所述第一电容相连的第三电阻、一与所述第三电阻相连的第五开关元件、一与所述第二输入端相连的第四开关元件、一与所述第四开关元件相连的第二电容、一与所述第二电容相连的第四电阻及一与所述第四电阻相连的第六开关元件，所述第一开关元件的一端与所述第一电阻相连，另一端分别与所述第三开关元件、所述第一电容、所述第三电阻、所述第五开关元件、所述第六开关元件及所述第二输出端相连，所述第二开关元件的一端与所述第二电阻相连， 另一端分别与所述第四开关元件、所述第二电容、所述第四电阻、所述第六开关元件、所述第五开关元件及所述第一输出端相连。
2.如权利要求1所述的交点下移电路，其特征在于所述第一开关元件为一第一场效应管，所述第二开关元件为一第二场效应管，所述第三开关元件为一第三场效应管，所述第四开关元件为一第四场效应管，所述第五开关元件为一第五场效应管，所述第六开关元件为一第六场效应管，所述第一电阻与所述第二电阻分别为所述第一场效应管与所述第二场效应管的源极负反馈电阻。
3.如权利要求2所述的交点下移电路，其特征在于所述第一输入端与所述第一场效应管的栅极及所述第三场效应管的栅极相连，所述第一场效应管的源级与所述第一电阻的一端相连，所述第一场效应管的漏极与所述第三场效应管的漏极、所述第一电容的一端、所述第三电阻的一端、所述第五场效应管的源级及所述第六场效应管的栅极相连。
4.如权利要求3所述的交点下移电路，其特征在于所述第二输入端与所述第二场效应管的栅极及所述第四场效应管的栅极相连，所述第二场效应管的源级与所述第二电阻的一端相连，所述第二场效应管的漏极与所述第四场效应管的漏极、所述第二电容的一端、所述第四电阻的一端、所述第六场效应管的源级及所述第五场效应管的栅极相连。
5.如权利要求4所述的交点下移电路，其特征在于所述第一电阻与所述第二电阻的另一端通过所述电流源与一电源端相连，所述第一场效应管的源级、所述第一电容的另一端、所述第三电阻的另一端、所述第五场效应管的漏极、所述第六场效应管的漏极、所述第四电阻的另一端、所述第二电容的另一端及所述第四场效应管的源级共同连接一接地端。
6.如权利要求5所述的交点下移电路，其特征在于所述交点下移电路为对称结构， 所述第一场效应管与所述第二场效应管的结构相同，所述第五场效应管与所述第六场效应管的结构相同，所述第三场效应管与所述第四场效应管的结构相同。
7.如权利要求1所述的交点下移电路，其特征在于所述第一电阻及所述第二电阻与所述第三电阻及所述第四电阻匹配，所述第一电容与所述第二电容为负载电容。
8.如权利要求7所述的交点下移电路，其特征在于所述第一电阻与所述第二电阻的阻值相等，所述第三电阻与所述第四电阻的阻值相等，所述第一电容与所述第二电容的电容值相等。
专利摘要一种交点下移电路，包括一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端及一第二输出端、一电流源、一第一电阻、一第二电阻、一第一开关元件、一第二开关元件、一第三开关元件、一第一电容、一第三电阻、一第五开关元件、一第四开关元件、一第二电容、一第四电阻及一第六开关元件，第一开关元件的一端与第一电阻相连，另一端分别与第三开关元件、第一电容、第三电阻、第五开关元件、第六开关元件及第二输出端相连，第二开关元件的一端与第二电阻相连，另一端分别与第四开关元件、第二电容、第四电阻、第六开关元件、第五开关元件及第一输出端相连。本实用新型结构简单，可以有效抑制噪声。
文档编号H03F1/26GK201966873SQ201120135700
公开日2011年9月7日 申请日期2011年5月3日 优先权日2011年5月3日
发明者范方平, 郭向阳 申请人:四川和芯微电子股份有限公司