射频发射谐波抑制电路的制作方法

文档序号:7523942阅读:1162来源:国知局
专利名称:射频发射谐波抑制电路的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种射频发射电路,具体是涉及一种谐波抑制电路。
背景技术
目前,遥控玩具车一般使用射频发射电路来发射信号,此种电路在发射控制车子动作的编码调制信号时,除了会发射有用的基波信号外,同时也会发射无用的谐波信号。从理论上讲谐波信号不会影响基波信号对车子的控制,但是射频发射谐波属于辐射干扰源, 所此欧洲的R&TTE指令以及美国的FCC标准均对谐波信号的功率增益作了相关规定,如果产品要出口到欧美国家的话,则谐波增益必须符合R&TTE和FCC的要求,因此有必要对谐波信号进行抑制。

实用新型内容为了解决现有技术存在的问题,本实用新型提供一种可抑制谐波信号,并使其信号增益明显降低的电路。为了实现以上目的,本实用新型的技术方案如下一种射频发射谐波抑制电路,电源与三极管的集电极之间串联电感,编码调制信号输入端与三极管的基极之间并联第一电容(Cl),编码调制信号输出端与三极管的集电极并联,三极管的集电极接入地端,所述编码调制信号输出端与三极管的发射极之间并联第二电容(以)和第三电容(C3),第二电容 (C2)和第三电容(C3)串联。进一步地,所述编码调制信号输出端与三极管的发射极之间并联第二电容(C2)、 第三电容(C3)和第四电容(C4),第二电容(C2)、第三电容(C3)和第四电容串联。采用上述电路后,本实用新型和现有技术相比所具有的优点是谐波信号增益大幅度降低,通过调节C2和C3的容值,使其滤波频率点与谐波频率重叠,即可有效抑制谐波, 使其增益大幅度降低,可达到R&TTE和FCC标准要求。

图1为本实用新型射频发射谐波抑制电路示意图。下面,结合最佳实施例对本实用新型进一步具体描述。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型射频发射谐波抑制电路,电源与三极管的集电极之间串联电感,编码调制信号输入端与三极管的基极之间并联第一电容(Cl),编码调制信号输出端与三极管的集电极并联,三极管的集电极接入地端,编码调制信号输出端与三极管的发射极之间并联第二电容(以)和第三电容(C3),第二电容(以)和第三电容(O)串联。编码调制信号由IN端输入,经过放大器之后从OUT端输出。在未使用本实用新型之前,谐波信号增益偏高达到42dBm,不符合R&TTE和FCC要求(通过折算R&TTE和FCC对谐波增益的限制在一般频谱仪上读值应为30dBm以下)。若使用本实用新型,谐波信号增益下降到^dBm,能够符合R&TTE和FCC的要求,而基波信号只是稍微减弱,不影响总体发射信号的强度。由此可见,本实用新型在不影响发射信号强度的前提下,能有效地抑制谐波成份,使产品更加“干净”。
权利要求1.一种射频发射谐波抑制电路,电源与三极管的集电极之间串联电感,编码调制信号输入端与三极管的基极之间并联第一电容(Cl),编码调制信号输出端与三极管的集电极并联,三极管的集电极接入地端,其特征在于所述编码调制信号输出端与三极管的发射极之间并联第二电容(C2)和第三电容(C3),第二电容(C2)和第三电容(C3)串联。
2.根据权利要求1所述的一种射频发射谐波抑制电路,其特征在于所述编码调制信号输出端与三极管的发射极之间并联第二电容(C2)、第三电容(O)和第四电容(C4),第二电容(C2)、第三电容(C3)和第四电容串联。
专利摘要本实用新型公开了一种射频发射谐波抑制电路,电源与三极管的集电极之间串联电感,编码调制信号输入端与三极管的基极之间并联第一电容,编码调制信号输出端与三极管的集电极并联,三极管的集电极接入地端,编码调制信号输出端与三极管的发射极之间并联第二电容和第三电容,第二电容和第三电容串联。采用本实用新型电路后,谐波信号增益大幅度降低,通过调节第二电容和第三电容的容值,使其滤波频率点与谐波频率重叠,即可有效抑制谐波,使其增益大幅度降低,可达到R&TTE和FCC标准要求。
文档编号H03B5/04GK202111664SQ20112020429
公开日2012年1月11日 申请日期2011年6月17日 优先权日2011年6月17日
发明者陈雁升 申请人:广东星辉车模股份有限公司
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