专利名称：高频层叠元器件及层叠型高频滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种在多个绝缘体层中以规定图案形成电极来实现期望的电路功能的高频层叠元器件及利用该高频层叠元器件的结构的层叠型高频滤波器。
背景技术：
一直以来，将各种高频层叠元器件利用于便携式电话等无线设备。高频层叠元器件，例如专利文献1所示，由层叠有多个绝缘体层的结构构成。在高频层叠元器件中，对多个绝缘体层形成规定电极图案，藉此形成电感器或电容器。此外，利用另一电极图案将由这些电极图案构成的电感器或电容器相连接，藉此实现例如带通滤波器等的电路功能。由于这种高频层叠元器件安装于另一电路基板来使用，因此具有安装用的端子电极。一般而言，端子电极形成在高频层叠元器件的端面(侧面)或底面。因而，需要设置将构成上述电感器或电容器等的电路功能部的电极图案与端子电极加以连接的走线用电极。例如，在专利文献1，为了将规定层的电极图案连接于底面的接地电极，在层叠体的端面 (侧面)形成有将它们相连接的电极。然而，在例如专利文献1记载的层叠结构中，构成电路功能部的电极与接地电极的走线电极变长，寄生电感器Lg的影响变大。若存在寄生电感器Lg，则在高频带的衰减特性劣化。因此，即使构成例如带通滤波器等的滤波器，也无法获得期望的通过特性。作为解决这种寄生电感器Lg的问题的方法，有图1所示的接地阻抗调整电路。图 1是表示包含接地阻抗调整电路的高频层叠元器件的等效电路。如图1所示，高频层叠元器件具备第1、第2输入输出端口 Piol、Pio2、电路功能部、寄生电感器Lg，且具备将三个电容器C1、C2、C12连接成π型的接地阻抗调整电路。通过具备这种接地阻抗调整电路，可在期望的频带形成衰减极，因此可防止寄生电感器Lg造成的在高频带的衰减特性劣化。又，同样地，作为由层叠有多个绝缘体层的高频层叠元器件构成的层叠型高频滤波器，有例如专利文献2记载的结构。在专利文献2记载的层叠型高频滤波器中，对多个绝缘体层形成规定电极图案， 藉此形成电感器或电容器。根据由这些电极图案构成的电感器或电容器形成多个LC谐振器。在多个LC谐振器中，两端的LC谐振器分别连接于输入输出端子，相邻的LC谐振器的电感器彼此电磁场耦合，从而形成具备由多级构成的LC谐振器的滤波器电路。在这种滤波器电路中，通过具备跳越过多级LC谐振器、用以将两端的输入输出端子电容耦合的跳跃耦合用电容器，可获得期望的特性。此外，构成跳跃耦合用电容器的电极，如专利文献2的图42的160所示的电极或图45的260所示的电极那样，以将形成作为输入输出端子的输入输出用电极的层叠体的两端部相连结的方向较长延伸的形状形成。现有技术文献
专利文献专利文献1 日本专利特开平8-46401号公报专利文献2 :W02007-119356号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题然而，将上述接地阻抗调整电路形成于层叠基板的情况下，产生如下所示的问题。 图2是表示现有接地阻抗调整电路的层叠体IOP的图。图3是表示图2的结构的接地阻抗调整电路的通过特性的图。图4(A)是具备3级LC谐振器的带通滤波器的等效电路图，图 4(B)是使用现有结构的接地阻抗调整电路来构成图4(A)所示的带通滤波器的情况下的通过特性图。如图2所示，接地阻抗调整电路的层叠体IOP是层叠有5层绝缘体层901P 905P 的结构。在最下层(第1层)的绝缘体层901P中，形成有输入输出用电极201、202及接地电极110。接地电极110形成于绝缘体层901P的底面，出入用电极201、202以从绝缘体层 901P的相对两端面朝向底面的方式分别形成。此外，输入输出用电极201、202形成在最上层(第5层)的绝缘体层905P以外的各层的端面。在第2层的绝缘体层902P中，形成有内层接地电极120。内层接地电极120利用导电性通孔与接地电极110相连接。在第3层的绝缘体层903P中，形成有电容器用电极131、132，且形成有将电容器用电极131与未图示的输入输出用电极201加以连接的走线电极、及将电容器用电极132与输入输出用电极202加以连接的走线电极。在第4层的绝缘体层904P中，形成有电容器用电极140。通过上述结构，电容器用电极131与内层接地电极120的相的区域成为图1的电容器Cl。电容器用电极132与内层接地电极120的相对区域成为图1的电容器C2。电容器用电极140与电容器用电极131、132的相对区域成为图1的电容器C12。此外，将具备该接地阻抗调整电路的元件安装于印刷基板等时，印刷基板接地电位与接地阻抗调整电路的接地电位的电位差成为寄生电感器Lg。因此，在上述结构中，成为在寄生电感器Lg中包含通孔形成的电感器的结构。在上述结构中，如图3所示，构成接地阻抗调整电路的电容器在高频带中，尤其会产生因电容器Cl、C2的自谐振点，且因利用电容器C12耦合而使应该已改善的通过特性局部劣化。例如，在电容器Cl中，由电容器用电极131的残留电感与构成在电容器用电极131 与接地电极120之间的电容产生自谐振。因此，即使使用这种接地阻抗调整电路构成图4(A)所示的带通滤波器，也会如图 4 (B)所示那样在衰减带产生谐振点，无法获得良好频率特性。又，如专利文献2所示，形成各LC谐振器的电感器的电极沿着连结上述两端部的方向以规定间隔配置。因而，构成跳跃耦合用电容器的电极若为上述形状，则配置成从层叠方向观察时横越多个电感器用的电极。在这种结构中，构成跳跃耦合用电容器的电极对电感器间的耦合造成大的影响， 增加插入损耗。因此，作为滤波器的特性(通过特性或衰减特性)劣化。
鉴于上述各种课题，本发明的目的在于，通过抑制谐振点的产生或抑制插入损耗的增加原因，来实现具有优异特性的高频层叠元器件及层叠型高频滤波器。用于解决技术问题的技术方案本发明涉及高频层叠元器件，其具有一对输入输出端子；连接于该一对输入输出端子间的实现规定功能的电路功能部；以及接地阻抗调整电路，该接地阻抗调整电路由连接于一对输入输出端子间的串联电容器、及分别连接于该串联电容器的两端与地之间的第1并联电容器及第2并联电容器构成。该高频层叠元器件利用层叠了形成有规定电极图案的多个绝缘体层的层叠体，至少形成接地阻抗调整电路。该高频层叠元器件进一步至少具备分别形成在层叠体的不同绝缘体层的内层接地电极。形成并联电容器的电极配置在内层接地电极之间。在该结构中，通过使并联电容器挟持于二个内层接地电极间，可抑制该并联电容器的自谐振。藉此，可抑制图4(B)所示的谐振点。又，本发明的高频层叠元器件中，利用内层接地电极形成第1并联电容器及第2并联电容器的一相对电极，该第1并联电容器及第2并联电容器分别以彼此相对的相对电极构成。第1并联电容器及第2并联电容器的另一相对电极配置在二个内层接地电极之间。在该结构中，第1并联电容器及第2并联电容器的一相对电极成为直接接地电极， 且这些电容器也挟持于内层接地电极间。藉此，可进一步提高频率特性。又，本发明的高频层叠元器件中，第1并联电容器及第2并联电容器的另一相对电极兼用以彼此相对的相对电极构成的串联电容器的一相对电极。在该结构中，可省略串联电容器与第1并联电容器及第2并联电容器的走线电极。 藉此，可进一步使频率特性优异且更小型化。又，本发明的高频层叠元器件中，电路功能部是具有规定频率通过特性的滤波器。 在该结构中，示出电路功能部的具体例，如上所述那样通过将电路功能部作为滤波器，本申请的结构能更有效地发挥作用。又，本发明的高频层叠元器件中，电路功能部由形成在多个层叠体的电极图案构成。在该结构中，示出电路功能部的具体形状。这样，通过使电路功能部形成在层叠体内， 能仅以单一层叠体实现高频层叠元器件。又，本发明的高频层叠元器件中，在电路功能部包含电容器，该电容器兼用作构成接地阻抗调整电路的串联电容器、第1并联电容器及第2并联电容器的至少一个电容器。在该结构中，示出在电路功能部包含电容器的情形的具体形状。这样，通过使电路功能部与接地阻抗调整电路至少一部分兼用，可小型化。又，本发明的高频层叠元器件中，电路功能部由安装于层叠体的安装元器件构成。 在层叠体中，形成有将安装元器件进行安装的安装用连接盘。在该结构中，示出电路功能部的具体形状。这样，通过将电路功能部作为安装元器件，可根据需要轻易变更构成电路功能部的各电路元件，变更后也可实现优异的频率特性。又，本发明涉及高频层叠元器件，其具有一对输入输出端子；以及接地阻抗调整电路，该接地阻抗调整电路由连接于该一对输入输出端子间的串联电容器、及分别连接于该串联电容器的两端与地之间的第1并联电容器及第2并联电容器构成。该高频层叠元器件利用层叠了形成有规定电极图案的多个绝缘体层的层叠体，形成接地阻抗调整电路。
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该高频层叠元器件进一步至少具备分别形成在层叠体的不同中间层的二个内层接地电极。形成串联电容器的电极配置在二个内层接地电极之间。在该结构中，作为高频层叠元器件，示出仅由接地阻抗调整电路构成的情形。通过使用这种结构的高频层叠元器件，能使连接于该元器件的其他电路功能部的频率特性得到提尚。又，本发明的高频层叠元器件中，利用内层接地电极形成第1并联电容器及第2并联电容器的一相对电极。第1并联电容器及第2并联电容器的另一相对电极配置在二个内层接地电极之间。在该结构中，在仅由接地阻抗调整电路构成的高频层叠元器件中，第1并联电容器及第2并联电容器的一相对电极成为直接接地电极，且这些电容器也挟持于内层接地电极间。藉此，可进一步提高频率特性。又，本发明的高频层叠元器件中，第1并联电容器及第2并联电容器的另一相对电极兼用串联电容器的一相对电极。在该结构中，在仅由接地阻抗调整电路构成的高频层叠元器件中，可省略串联电容器与第1并联电容器及第2并联电容器的走线电极。藉此，可进一步使频率特性优异且更小型化。又，本发明涉及层叠型高频滤波器。层叠型高频滤波器，具备一对输入输出端子； 多级LC谐振器，该多级LC谐振器高频连接于该一对输入输出端子间；以及跳跃耦合用电容器，该跳跃耦合用电容器直接连接于一对输入输出端子间。层叠型高频滤波器利用层叠了形成有规定电极图案的多个绝缘体层的层叠体，形成构成LC谐振器的电感器及电容器、与跳跃耦合用电容器。此外，本发明的层叠型高频滤波器中，在构成电感器的电极图案与构成跳跃耦合用电容器的电极图案之间，配置有内层接地电极。在该结构中，构成跳跃耦合用电容器的电极图案不会对多个LC谐振器的电感器间的耦合造成影响。藉此，可在电感器间获得期望的耦合，可抑制插入损耗增加。又，本发明的层叠型高频滤波器具备分别连接于一对输入输出端子与地之间的输入输出用电容器。层叠型高频滤波器利用层叠体的电极图案形成输入输出用电容器，至少跳跃耦合用电容器利用形成在不同绝缘体层的内层接地电极挟持配置。在该结构中，以输入输出用电容器与跳跃耦合用电容器构成π型电路。通过构成这种η型电路，能使衰减特性得到提高。尤其是，通过将η型的并联电容器挟持于内层接地电极间，可抑制并联电容器的自谐振。藉此，能使衰减特性得到进一步提高。又，本发明的层叠型高频滤波器中，形成输入输出用电容器的电极图案也利用形成在不同绝缘体层的内层接地电极挟持配置。在该结构中，通过将所有电容器挟持于内层接地电极间，能使衰减特性进一步得到提高。又，本发明的层叠型高频滤波器中，在LC谐振器的电感器的电极图案的两端，形成用于连接于LC谐振器的电容器及地的通孔，电感器由该电感器的电极图案与二个通孔构成。在该结构中，电感器由电极图案与连接于该电极图案的二个通孔构成。由此，电感器的电极环状延伸，能使电感器间的耦合变强。而且，通过将电感器的电极形成为环状，可提高电感器的Q值，改善滤波器的插入损耗。又，本发明的层叠型高频滤波器中，连接于各电感器的电极图案的通孔形成在从侧面观察层叠体时大致重迭的位置。在该结构中，能使构成相邻电感器的通孔的间隔接近。藉此，能使电感器间的耦合变强。又，本发明的层叠型高频滤波器中，构成电感器的电极图案设在多个绝缘体层上。 设在多个绝缘体层上的各电极图案并联连接于二个通孔。在该结构中，通过使电极图案存在多个，能进一步使电感器间的耦合变强。又，本发明的层叠型高频滤波器中，连接有电感器的电极图案的地是形成在与层叠体的底面不同的规定绝缘体层的内层接地电极。在该结构中，由于电感器未连接于直接外部连接用的接地电极，因此可减少起因于该接地电极的涡电流损耗。又，本发明的层叠型高频滤波器中，连接有电感器的电极图案的内层接地电极是配置在构成电感器的电极图案与构成跳跃耦合用电容器的电极图案之间的内层接地电极。在该结构中，连接有电感器的地兼用作区分上述电感器与跳跃耦合用电容器的内层接地电极，因此可减少层叠体的结构要素。又，本发明的层叠型高频滤波器中，构成多个LC谐振器的电感器的内的任意相邻的电感器的电极图案的、与电容器连接的通孔的连接位置位于不同的端部。在该结构中，能以相邻的电感器使电流的流动方向相反。又，本发明的层叠型高频滤波器中，构成多个LC谐振器的电感器的内的任意相邻的电感器的电极图案形成在同一绝缘体层。在该结构中，相邻的电感器的电极图案接近，能使电感器间的耦合变强。又，本发明的层叠型高频滤波器中，用于连接于外部地的外部接地电极与形成一对输入输出端子的外部输入输出端子排列形成在层叠体的底面。在该结构中，由于用于将层叠型高频滤波器安装于外部的电路基板的电极位于层叠体的底面，因此能使安装面积变小。又，本发明的层叠型高频滤波器中，具备接地阻抗调整电路，该接地阻抗调整电路由连接于一对输入输出端子间的串联电容器、及分别连接于该串联电容器的两端与地之间的第1并联电容器及第2并联电容器构成。串联电容器兼用作构成跳跃耦合用电容器的电极图案。在该结构中，由于接地阻抗调整电路的串联电容器与跳跃耦合用电容器兼用，因此能将层叠型高频滤波器形成为更小型。发明效果根据本发明，即使使用由电容器的π型电路构成的接地阻抗调整电路，也可抑制谐振点的产生。又，根据本发明，可抑制层叠体内的电极图案间的不必要的耦合，可抑制插入损耗的增加原因。藉此，可实现特性优异的高频层叠元器件及层叠型高频滤波器。
图1表示包含接地阻抗调整电路的高频层叠元器件的等效电路。
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图2是表示现有接地阻抗调整电路的层叠结构的图。图3是表示图2的结构的接地阻抗调整电路的通过特性的图。图4是具备3级LC谐振器的带通滤波器的等效电路图、及使用现有结构的接地阻抗调整电路构成带通滤波器的情况下的通过特性图。图5是表示第1实施方式的高频层叠元器件的外观立体图及表示层叠结构的图。图6是具备由第1实施方式的结构构成的3级LC谐振器的带通滤波器的通过特性图。图7是第1实施方式的高频层叠元器件即层叠型高频滤波器的通过特性图及现有结构的通过特性图。图8是表示第2实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图9是表示第3实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图10是第3实施方式的高频层叠元器件即层叠型高频滤波器的等效电路图。图11是表示第4实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图12是表示与电感器的层数对应的插入损耗的变化的表，是将通带的通过特性放大的图。图13是表示第5实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图14是由层叠体IOE构成的高频层叠元器件的等效电路图。图15是由层叠体IOE构成的低通滤波器的通过特性图。图16是表示第6实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图17是表示第7实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图18是由层叠体IOG构成的高频层叠元器件的等效电路图。图19是由层叠体IOG构成的带通滤波器的通过特性图。图20是表示第8实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图21是由层叠体IOG构成的带通滤波器的通过特性图。图22是表示第9实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图23是表示第9实施方式的高频层叠元器件的另一层叠结构(层叠体101’ )的图。图M是表示第10实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。图25是表示第10实施方式的高频层叠元器件的另一层叠结构的图。
具体实施例方式针对本发明第1实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。在本实施方式中，作为高频层叠元器件以带通滤波器(band pass filter =BPF)为例进行说明。图 5(A)是本实施方式的高频层叠元器件的外观立体图，图5(B)是本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。此外，图5所示的高频层叠元器件IOA是具备3级LC并联电路的带通滤波器，等效电路与上述图4(A)相同。高频层叠元器件由层叠有10层绝缘体层901 910的层叠体IOA构成。构成层叠体IOA的各绝缘体层901 910由规定厚度(微米级)的平板构成。在层叠体IOA的一端面，形成有输入输出用电极201，在相对的另一端面，形成有输入输出用电极202。又，以下，将形成有输入输出用电极201、202的侧面称为“端面”，将与其正交的侧面称为“侧面”。在最下层(第1层)的绝缘体层901中，形成有输入输出用电极201、202及接地电极110。接地电极110形成在绝缘体层901的底面，输入输出用电极201、202从绝缘体层 901的相对二端面朝向底面分别形成。此外，图5中，输入输出用电极201、202形成在最上层(第10层)绝缘体层910以外的各层的端面。在最上层绝缘体层910中，也可形成输入输出用电极201、202。在第2层绝缘体层902中，形成有内层接地电极120。内层接地电极120遍布绝缘体层902的大致整个面形成。在第3层绝缘体层903中，形成有具有规定面积的电容器用电极131、132。在第3 层绝缘体层903中，形成有将电容器用电极131与一端面的未图示的输入输出用电极201 加以连接的走线电极。在第3层绝缘体层903中，形成有将电容器用电极132与另一端面的输入输出用电极202加以连接的走线电极。在第4层绝缘体层904中，形成有电容器用电极140。电容器用电极140以与第3 层绝缘体层903的电容器用电极131、132 —部分相对的方式形成。在第5层绝缘体层905中，与第3层绝缘体层903的电容器用电极131、132同样地，形成有电容器用电极151、152。电容器用电极151形成为沿着层叠方向观察时与电容器用电极131相对。电容器用电极152形成为沿着层叠方向观察时与电容器用电极132相对。在第5层绝缘体层905中，形成有将电容器用电极151与一端面的未图示的输入输出用电极201加以连接的走线电极。在第5层绝缘体层905中，形成有将电容器用电极152 与另一端面的输入输出用电极202加以连接的走线电极。在第6层绝缘体层906中，形成有内层接地电极160。内层接地电极160遍布绝缘体层906的大致整个面形成。在第7层绝缘体层907中，形成有具有规定面积的电容器用电极171、172、173。在第8层绝缘体层908中，形成有输入输出用的走线电极181、182。走线电极181 连接于一端面的未图示的输入输出用电极201。走线电极182连接于另一端面的输入输出用电极202。在第9层绝缘体层909中，形成有电感器用的线状电极191、192、193。线状电极 191、192、193呈在沿着端面的方向延伸的形状。线状电极191、192、193以规定间隔分开形成。在最上层即第10层绝缘体层910中，未形成任何东西，是作为层叠体IOA的盖起到作用的层。在层叠体IOA中，进一步形成有如下所示的导电性的通孔群。如图5所示，各通孔呈在层叠方向延伸的形状。通孔800形成为将绝缘体层901的接地电极110、绝缘体层902的内层接地电极 120、绝缘体层906的内层接地电极160加以连接。通孔800形成在接近各层的相对的各侧面的位置的二个部位。通孔801形成为将绝缘体层908的走线电极181、绝缘体层907的电容器用电极 171、线状电极191加以连接。通孔801连接于线状电极191的延伸方向的一端附近。通孔811形成为将绝缘体层906的内层接地电极160、线状电极191加以连接。通孔811连接于线状电极191的延伸方向的另一端附近。通孔812形成为将绝缘体层906的内层接地电极160、线状电极192加以连接。通孔812连接于线状电极192的延伸方向的一端附近。通孔802形成为将绝缘体层907的电容器用电极172、线状电极192加以连接。通孔802连接于线状电极192的延伸方向的另一端附近。通孔803形成为将绝缘体层908的走线电极182、绝缘体层907的电容器用电极 173、线状电极193加以连接。通孔803连接于线状电极193的延伸方向的一端附近。通孔813形成为将绝缘体层906的内层接地电极160、线状电极193加以连接。通孔813连接于线状电极193的延伸方向的另一端附近。通过以上的结构，输入输出用电极201成为图4(A)的第1输入输出端口 Piol，输入输出用电极202成为图4(A)的第2输入输出端口 Pio2。电容器用电极131与内层接地电极120的组合及电容器用电极151与内层接地电极160的组合成为图4 (A)的电容器Cl (相当于本发明的“第1并联电容器”)。电容器用电极132与内层接地电极120的组合及电容器用电极152与内层接地电极160的组合成为图4(A)的电容器C2(相当于本发明的“第2并联电容器”)。电容器用电极140与电容器用电极131、132的组合及电容器用电极140与电容器用电极151、152的组合成为图4(A)的电容器C12(相当于本发明的“串联电容器”)。该电容器C12还兼用作本发明的“跳跃耦合用电容器”。通过上述结构，可构成电容器C12、Cl、C2呈π型连接的接地阻抗调整电路。此外，可实现将该接地阻抗调整电路的所有电容器C12、Cl、C2以二个内层接地电极120、160
沿着层叠方向挟持的结构。电容器用电极171与内层接地电极160的组合、电容器用电极131与内层接地电极120的组合、及电容器用电极151与内层接地电极160的组合成为图4(A)的谐振用电容器Crl。电容器用电极173与内层接地电极160的组合、电容器用电极132与内层接地电极 130的组合、及电容器用电极152与内层接地电极160的组合成为图4㈧的谐振用电容器 Cr2。电容器用电极172与内层接地电极160的组合成为图4(A)的谐振用电容器Cr3。线状电极191与通孔801、811成为图4(A)的谐振用电感器Lrl。该谐振用电感器 Lrl成为以连接于内层接地电极160的一侧为基点、从层叠体IOA的输入输出用电极202 — 侧的端面观察时逆时针旋转的环形状。线状电极192与通孔802、812成为图4(A)的谐振用电感器Lr2。该谐振用电感器 Lr2成为以连接于内层接地电极160的一侧为基点、从层叠体IOA的输入输出用电极202 — 侧的端面观察时顺时针旋转的环形状。线状电极193与通孔803、813成为图4(A)的谐振用电感器Lr3。该谐振用电感器 Lr3成为以连接于内层接地电极160的一侧为基点、从层叠体IOA的输入输出用电极202 — 侧的端面观察时逆时针旋转的环形状。又，通过将线状电极191及通孔801、811与线状电极192及通孔802、812以规定间隔配置，可实现图4(A)的耦合电感M12，且通过将线状电极192及通孔802、812与线状电极193及通孔803、813以规定间隔配置，可实现图4(A)的耦合电感M23。又，通孔800的接地电极110与内层接地电极120之间的部分成为寄生电感器Lg。
如上所述，通过使用本实施方式的层叠结构，可实现将3级LC谐振器与包含寄生电感器Lg的接地阻抗调整电路一体具备的层叠型高频滤波器的高频层叠元器件。在这种结构中，如上所述，通过将构成接地阻抗调整电路的电容器C12、Cl、C2以内层接地电极挟持，可抑制这些电容器的自谐振。尤其是，如本实施方式那样以具有对称性的方式形成有电极图案的情况下，虽容易产生自谐振，但通过以内层接地电极挟持，可抑制自谐振。图6是具备由本实施方式的结构构成的3级LC谐振器的带通滤波器的通过特性图。如图6所示，通过使用本实施方式的结构，可抑制现有结构的如图4(B)所示的谐振点的产生。藉此，能使较通带更高频侧的衰减特性得到提高。即，能使带通滤波器的频率特性得到提高。又，在谐振用电感器Lrl的线状电极191及通孔801、811，谐振用电感器Lr2的线状电极192及通孔802、812，谐振用电感器Lr3的线状电极193及通孔803、813，与跳跃耦合用电容器的电容器用电极140之间，配置有内层接地电极160。藉此，跳跃耦合用电容器的电容器用电极140不会作用于谐振用电感器Lrl、Lr2、Lr3的电磁场耦合。藉此，可抑制谐振用电感器Lrl、Lr2、Lr3进行耦合时的损耗，能使作为滤波器的插入损耗降低。藉此，可实现频带特性优异的层叠型高频滤波器。图7(A)是由本实施方式的结构构成的带通滤波器的通过特性图，图7(B)是成为相同等效电路的现有结构的带通滤波器的通过特性图。如图7所示，通过本实施方式的结构，可在现有结构无法形成的通带的低频侧附近的衰减带(2. 2GHz附近)，设置衰减极。藉此，能改善滤波器的通过特性及衰减特性，可实现频带特性优异的层叠型高频滤波器。又，如上所述，利用电容器用电极140构成的电容器C12与电容器C1、C2 —起作用为连接于输入输出端子Piol，Pio2间的π型电路。藉此，可实现改善通带的高频侧的衰减特性的接地阻抗调整电路。其结果，可实现频带特性更优异的层叠型高频滤波器。又，而且，如上所述，由于构成此等电容器C12、Cl、C2的电容器用电极挟持于内层接地电极120、160间，因此可抑制这些电容器的自谐振、尤其抑制还作用为并联电容器的电容器C1、C2的自谐振。藉此，可实现频带特性更优异的层叠型高频滤波器。又，构成谐振用电感器Lrl、Lr2、Lr3的各线状电极191、192、193皆形成在相同的绝缘体层909。因此，与这些线状电极分别形成在不同的绝缘体层的情形相比，可缩短线状电极间隔。藉此，也可加强电感器间的耦合。又，连接于各线状电极191、192、193的通孔形成为从层叠体IOA的形成有输入输出用电极201、202的端面侧观察时重迭。在该结构中，可缩短通孔间的距离。藉此，也可加强电感器间的耦合。又，相邻的谐振用电感器Lrl与谐振用电感器Lr2以内层接地电极160为基点，成为相反的卷绕方向。又，相邻的谐振用电感器Lr2与谐振用电感器Lr3以内层接地电极160 为基点，成为相反的卷绕方向。通过实现这种谐振用电感器间的耦合，可抑制滤波器的通带的脉动(ripple)。又，构成电感器的线状电极191、192、193及通孔801、811、802、812、803、813直接连接于内层接地电极160，未直接连接于形成在层叠体IOA的底面的外部接地电极110。藉此，可抑制起因于该外部接地电极110的涡电流损耗。其结果，可改善各LC谐振器的Q。又，通过使用上述结构，电容器C12兼用跳跃耦合用电容器与接地阻抗调整电路的串联电容器。因而，与分别形成这些电容器的情形相比，可减少层叠体IOA的结构要素。 藉此，能更小型地形成具有如上所述的优异的频带特性的层叠型高频滤波器。又，配置在构成谐振用电感器Lrl、Lr2、Lr3的电极图案与构成电容器C12的电极图案之间的内层接地电极160兼用作构成谐振用电感器Lrl、Lr2、Lr3的线状电极191、192、 193及通孔801、811、802、812、803、813直接连接的内层接地电极。藉此，与分别形成的情形相比，可减少层叠体IOA的结构要素。藉此，能更小型地形成具有如上所述的优异的频带特性的层叠型高频滤波器。接着，针对第2实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图8是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。本实施方式的高频层叠元器件在层叠体IOB的底面，形成有输入输出用电极111、 112。又，在层叠体IOB的最下层绝缘体层901与层叠体内部中具有最下位置的内层接地电极120的绝缘体层902之间，具备另一层绝缘体层911。其他结构与上述第1实施方式所示的高频层叠元器件相同，因此省略说明。在最下层的绝缘体层901的底面，形成有接地电极110及输入输出用底面电极 111、112。这些输入输出用底面电极111、112形成为挟持接地电极110。输入输出用底面电极111连接于端面的输入输出用电极201，输入输出用底面电极112连接于端面的输入输出用电极202。在最下层的上面，配置有绝缘体层911。在绝缘体层911中，形成有具有规定面积的电容器用电极211、212。电容器用电极211形成为与绝缘体层901的输入输出用底面电极111相对。电容器用电极212形成为与绝缘体层901的输入输出用底面电极112相对。 在绝缘体层911中，形成有将电容器用电极211与一端面的未图示的输入输出用电极201 加以连接的走线电极。在绝缘体层911中，形成有将电容器用电极212与另一端面的输入输出用电极202加以连接的走线电极。通过上述结构，与上述第1实施方式同样地，可抑制接地阻抗调整电路的电容的自谐振，可实现频率特性得到提高的高频层叠元器件。即，可实现具有优异的频带特性的层叠型高频滤波器。而且，通过使用本实施方式的结构，可抑制在输入输出用底面电极111、 112与内层接地电极120之间产生的寄生电容，可进一步提高频率特性。接着，针对第3实施方式的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图9是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。本实施方式的高频层叠元器件的层叠体10C，相对于第2实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOB的不同之处在于，LC谐振器为4个，且将内层接地电极120与接地电极110加以连接的通孔的结构不同。其他结构与上述第2实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOB相同，因此仅说明变更部位，省略相同部位的说明。在绝缘体层907中，形成有具有规定面积的电容器用电极171、172、173、174。在绝缘体层909中，形成有电感器用的线状电极191、192、193、194。线状电极191、 192、193、194呈在沿着端面的方向延伸的形状。线状电极191、192、193、194以规定间隔分开形成。
通孔800由通孔800A、800B构成。通孔800A形成为将绝缘体层901的接地电极 110、绝缘体层902的内层接地电极120加以连接。通孔800A形成在一个部位。通孔800B 形成为将绝缘体层902的内层接地电极120、绝缘体层906的内层接地电极160加以连接。 通孔800B形成在接近各层的相对的各侧面的位置的二个部位。通孔801形成为将绝缘体层908的走线电极181、绝缘体层907的电容器用电极 171、线状电极191加以连接。通孔801连接于线状电极191的延伸方向的一端附近。通孔811形成为将绝缘体层906的内层接地电极160、线状电极191加以连接。通孔811连接于线状电极191的延伸方向的另一端附近。通孔812形成为将绝缘体层906的内层接地电极160、线状电极192加以连接。通孔812连接于线状电极192的延伸方向的一端附近。通孔802形成为将绝缘体层907的电容器用电极172、线状电极192加以连接。通孔802连接于线状电极192的延伸方向的另一端附近。通孔813形成为将绝缘体层906的内层接地电极160、线状电极193加以连接。通孔813连接于线状电极193的延伸方向的一端附近。通孔803形成为将绝缘体层907的电容器用电极173、线状电极193加以连接。通孔803连接于线状电极193的延伸方向的另一端附近。通孔804形成为将绝缘体层908的走线电极182、绝缘体层907的电容器用电极 174、线状电极194加以连接。通孔804连接于线状电极194的延伸方向的一端附近。通孔814形成为将绝缘体层906的内层接地电极160、线状电极194加以连接。通孔814连接于线状电极194的延伸方向的另一端附近。图10是第3实施方式的层叠型高频滤波器的等效电路图。输入输出用电极201成为图10的第1输入输出端口 Piol，输入输出用电极202成为图10的第2输入输出端口 Pio2。电容器用电极140与电容器用电极131、132的组合及电容器用电极140与电容器用电极151、152的组合成为图10的跳跃耦合用电容器C12。该电容器C12也与上述实施方式相同，兼用接地阻抗调整电路的串联电容器。线状电极191与通孔801、811成为图10的谐振用电感器Lrl。该谐振用电感器 Lrl成为以连接于内层接地电极160的一侧为基点、从层叠体IOC的输入输出用电极202 — 侧的端面观察时逆时针旋转的环形状。线状电极192与通孔802、812成为图10的谐振用电感器Lr2。该谐振用电感器 Lr2成为以连接于内层接地电极160的一侧为基点、从层叠体IOC的输入输出用电极202 — 侧的端面观察时顺时针旋转的环形状。线状电极193与通孔803、813成为图10的谐振用电感器Lr3。该谐振用电感器 Lr3成为以连接于内层接地电极160的一侧为基点、从层叠体IOC的输入输出用电极202 — 侧的端面观察时顺时针旋转的环形状。线状电极194与通孔804、814成为图10的谐振用电感器Lr4。该谐振用电感器 Lr4成为以连接于内层接地电极160的一侧为基点、从层叠体IOC的输入输出用电极202 — 侧的端面观察时逆时针旋转的环形状。通过将线状电极191及通孔801、811与线状电极192及通孔802、812以规定间隔配置，可实现图10的耦合电感M12。通过将线状电极192及通孔802、812与线状电极193及通孔803、813以规定间隔配置，可实现图10的耦合电感M23。通过将线状电极193及通孔803、813与线状电极194及通孔804、814以规定间隔配置，可实现图10的耦合电感M34。电容器用电极171与内层接地电极160的组合、电容器用电极151与内层接地电极160的组合、及电容器电极131与内层接地电极120成为图10的谐振用电容器Crl。电容器用电极172与内层接地电极160的组合成为图10的谐振用电容器Cr2。电容器用电极 173与内层接地电极160的组合成为图10的谐振用电容器Cr3。电容器用电极174与内层接地电极160的组合、电容器用电极152与内层接地电极160的组合、及电容器用电极132 与内层接地电极160的组合成为图10的谐振用电容器Cr4。电容器用电极131与内层接地电极120的组合及电容器用电极151与内层接地电极160的组合成为图10的电容器Cl。电容器用电极132与内层接地电极120的组合及电容器用电极152与内层接地电极160的组合成为图10的电容器C2。如上所述，本实施方式的层叠体IOC中，通过构成如上述图9所示的结构，可构成如图10的等效电路所示的具备4级LC谐振器的带通滤波器。根据上述构成，与上述各实施方式相同，也能使频率特性得到提高。而且，如本实施方式那样，通过变更直接连接于接地电极110的通孔的个数，能进一步使通带附近的衰减特性得到提高。又，本实施方式的结构中，在谐振用电感器Lrl的线状电极191及通孔801、811，谐振用电感器Lr2的线状电极192及通孔802、812，谐振用电感器Lr3的线状电极193及通孔803、813，谐振用电感器Lr4的线状电极194及通孔804、814，与跳跃耦合用电容器的电容器用电极140之间，配置有内层接地电极160。藉此，跳跃耦合用电容器的电容器用电极 140不会作用于谐振用电感器Lrl、Lr2, Lr3, Lr4的电磁场耦合。藉此，可抑制谐振用电感器Lrl、Lr2, Lr3, Lr4进行耦合时的损耗，能使作为滤波器的插入损耗降低。藉此，可实现频带特性优异的层叠型高频滤波器。接着，针对第4实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图11是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。本实施方式的高频层叠元器件的层叠体10D，相对于第3实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOC的不同之处在于，LC谐振器的电感器的形状不同。其他结构与上述第3实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOC相同，因此仅说明变更部位，省略相同部位的说明。本实施方式的层叠体10D，具有三层形成有电感器用的线状电极的绝缘体层。在形成有走线电极181、182的绝缘体层908的上层，配置有绝缘体层909C。在绝缘体层909C 中，形成有电感器用的线状电极191C、192C、193C、194C。线状电极191C、192C、193C、194C呈在沿着端面的方向延伸的形状。线状电极191C、192C、193C、194C以规定间隔分开形成。在绝缘体层909C的上层，配置有绝缘体层909B。在绝缘体层909B中，形成有电感器用的线状电极191B、192B、193B, 194B。缘体层909B的线状电极191B、192B、193B, 194B形成为在沿着层叠方向观察的状态下与绝缘体层909C的线状电极191C、192C、193C、194C重迭。在绝缘体层909B的上层，配置有绝缘体层909A。在绝缘体层909A中，形成有电感器用的线状电极191A、192A、193A、194A。缘体层909A的线状电极191A、192A、193A、194A 形成为在沿着层叠方向观察的状态下与绝缘体层909B、909C的线状电极191Β、192Β、19!3Β、 194Β、191C、192C、193C、194C 重迭。通孔801、811形成为将线状电极191A、191B、191C导通。通孔802、812形成为将线状电极192A、192B、192C导通。通孔803,813形成为将线状电极193AU93BU93C导通。 通孔804、814形成为将线状电极194A、194B、194C导通。通过上述结构，谐振用电感器Lrl、Lr2, Lr3, Lr4成为三层结构，与单层结构时相比，更提高谐振用电感器间的耦合度。藉此，插入损耗降低，通过特性得到提高。图12(A) 是表示与电感器的层数对应的插入损耗的变化的表，图12(B)是将通带的通过特性放大的图。从图12可知，通过使电感器的层数增加，可提高插入损耗及通过特性。藉此，能使作为高频层叠元器件的特性进一步得到提高。接着，针对第5实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图13是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。本实施方式的高频层叠元器件的层叠体10E，相对于第3实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOC的不同之处在于，相当于电路功能部的层的结构不同。其他结构与上述第3实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOC相同，因此仅说明变更部位，省略相同部位的说明。绝缘体层901、911、902、903、904、905、906及最上层绝缘体层910的结构与第3实施方式的高频层叠元器件的层叠体IOC相同。此外，本实施方式的结构中，在最上层绝缘体层910中，形成有输入输出用电极201、202。该输入输出用电极201、202，与上述实施方式相同，形成也好不形成也罢。在形成有内层接地电极160的绝缘体层906的上层，配置有绝缘体层912。在绝缘体层912中，以将输入输出用电极201、202导通的规定宽度形成有直线状的线状电极195。 该线状电极195作用为电感器。图14是由层叠体IOE构成的高频层叠元器件的等效电路图。如图14所示，由层叠体IOE构成的高频层叠元器件，在输入输出端子Piol、Pio2间串联连接有电感器La，作用为将该电感器La与接地阻抗调整电路并联连接的低通滤波器(low pass filter :LPF)。图15是由层叠体IOE构成的低通滤波器的通过特性图。如图15所示，通过使用本实施方式的结构，可提高高频侧的衰减特性，构成频率特性优异的低通滤波器。接着，针对第6实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图16是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。本实施方式的高频层叠元器件的层叠体10F，相对于第5实施方式的层叠体IOE的不同之处在于，相当于电路功能部的层的结构不同。其他结构与上述第5实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOE相同，因此仅说明变更部位，省略相同部位的说明。绝缘体层901、911、902、903、904、905、906及最上层绝缘体层910的结构与层叠体 IOE相同。
17
在形成有内层接地电极160的绝缘体层906的上层，配置有绝缘体层91!3B。在绝缘体层91 中，形成有从上层侧观察时以逆时针旋转从外侧卷绕至内侧的卷绕形的线状电极196B。卷绕形的线状电极196B的最外周端附近连接有输入输出用电极201。在绝缘体层91 的上层，配置有绝缘体层913A。在绝缘体层913A中，形成有从上层侧观察时卷绕连接于上述卷绕形的线状电极196B的形状的线状电极196A。线状电极 196A的一端附近利用通孔820连接于绝缘体层91 的线状电极196B的最内周端附近。线状电极196A的另一端连接于输入输出用电极201。即使是上述结构，与上述第5实施方式相同地，可构成频率特性优异的低通滤波
ο接着，针对第7实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图17是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。本实施方式的高频层叠元器件的层叠体10G，相对于第5实施方式的层叠体IOE的不同之处在于，相当于电路功能部的层的构成不同。其他结构与上述第3实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOE相同，因此仅说明变更部位，省略相同部位的说明。在形成有内层接地电极160的绝缘体层906的上层，配置有绝缘体层914。在绝缘体层914中，形成有T字状电极197。T字状电极197是从上层观察时沿着分别成大致90° 的三方向延伸形状的电极。T字状电极197中延伸方向平行的二个线状电极之一连接于输入输出用电极201，另一电极连接于输入输出用电极202。T字状电极197中剩余的一个线状电极以不露出层叠体的侧面的规定长度形成，经由通孔820与内层接地电极160连接。图18是由层叠体IOG构成的高频层叠元器件的等效电路图。如图18所示，由层叠体IOG构成的高频层叠元器件，在输入输出端子Piol、Pio2间连接有电感器Lb、Lc的串联电路，作用为在电感器Lb、Lc的连接点与地之间连接有电感器Ld的T型带通滤波器(band pass filter :BPF)。图19是由层叠体IOG构成的带通滤波器的通过特性图。如图19所示，通过使用本实施方式的结构，可提高通带的高频侧的衰减特性，构成频率特性优异的带通滤波器。而且，本实施方式中，由于将电感器Lb、Lc形成为直线状，因此可构成低损耗的带通滤波器。 此时，通过变更通孔820的连接位置，可将电感器Lb、Lc间的电感调整成最适值。接着，针对第8实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图20是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。本实施方式的高频层叠元器件的层叠体10H，相对于第7实施方式的层叠体IOG的不同之处在于，相当于电路功能部的层的结构不同。其他结构与上述第7实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOG相同，因此仅说明变更部位，省略相同部位的说明。绝缘体层901、911、902、903、904、905、906及最上层绝缘体层910的结构与层叠体 IOG相同。在形成有内层接地电极160的绝缘体层906的上层，配置有绝缘体层915。在绝缘体层915中，形成有十字形状电极198。十字形状电极198是从上层观察时沿着分别成大致 90°的四个方向延伸形状(十字形状)的电极。十字形状电极198中延伸方向平行的各一对线状电极之内的一对线状电极连接于输入输出用电极201、202。十字形状电极198中剩余的一对线状电极以不露出层叠体的侧面的规定长度形成为分别往相反方向延伸。
图21是由层叠体IOH构成的带通滤波器的通过特性图。如图21所示，通过使用本实施方式的结构，可提高通带的高频侧的衰减特性，构成频率特性优异的带通滤波器。而且，本实施方式中，由于将电感器Lb、Lc形成为直线状，因此可构成低损耗的带通滤波器。 此时，通过变更通孔820的连接位置，可将电感器Lb、Lc间的电感调整成最适值。接着，针对第9实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图22是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。本实施方式的高频层叠元器件的层叠体101，相对于第5实施方式的层叠体IOE的不同之处在于，相当于电路功能部的层的结构不同，构成有该电路功能部的绝缘体层成为最上层。其他结构与上述第5实施方式所示的高频层叠元器件的层叠体IOE相同，因此仅说明变更部位，省略相同部位的说明。绝缘体层901、911、902、903、904、905、906的结构与层叠体IOG相同。在形成有内层接地电极160的绝缘体层906的上层，配置有绝缘体层916。在绝缘体层916中，形成有分别与输入输出用电极201、202导通的规定宽度的直线状的走线电极 199A、199B。在该走线电极199A、199B的相对端部，安装有片状电感器300。即使是上述结构，与上述第5实施方式相同，也可构成频率特性优异的高频层叠元器件。而且，若为本实施方式的结构，通过将片状电感器300置换为其他电路元件(其他电感的片状电感器或滤波器元件等)，可构成具有另一特性的频率特性优异的高频层叠元器件。即，可容易形成多种频率特性优异的高频层叠元器件。此外，图22中，以第5实施方式的结构为基础，作成可安装其他电路元件的结构， 但如图23所示，也可以第7实施方式的结构为基础，形成具有可安装同样的其他电路元件的结构的高频层叠元器件。图23是表示本实施方式的高频层叠元器件的另一层叠结构(层叠体101’)的图。当然，可以第8实施方式的结构为基础，形成具有可安装同样的其他电路元件的结构的高频层叠元器件。若为图23的结构，能以安装电路元件与线状电极的组合， 构成电路功能部。接着，针对第10实施方式所涉及的高频层叠元器件，参照附图进行说明。图对是表示本实施方式的高频层叠元器件的层叠结构的图。上述各实施方式中，示出了将接地阻抗调整电路与电路功能部一体形成在层叠体的例子。然而，如本实施方式所示，也可以是在层叠体中仅具备接地阻抗调整电路的结构。如图M所示，本实施方式的高频层叠元器件的层叠体IOJ由省略第2实施方式的图8所示的层叠体IOB的绝缘体层907、908、909的结构构成。通过上述结构，可形成由接地阻抗调整电路单体构成的高频层叠元器件。此外，使这种高频层叠元器件接近分置的滤波器元件元器件，并安装于电路基板上。藉此，可提高分置的滤波器元件元器件的频率特性。又，将该接地阻抗调整电路形成在电路基板内，能使元器件整体小型化。又，对这种仅由接地阻抗调整电路构成的高频层叠元器件，也可如上述第3实施方式等所示那样，在最下层内层接地电极120与接地电极110之间与比内层接地电极120 更上层侧，通孔的个数可不同。图25是表示本实施方式的高频层叠元器件的另一层叠构成的图。此外，具备上述电路功能部的实施方式中，示出了将LC谐振用的电容器与接地阻抗调整电路的电容器分别形成的例子。然而，也可将连续的多个LC谐振器的两端的LC谐振器的电容器构成为兼用作接地阻抗调整电路的第1并联电容器Cl及第2并联电容器C2。 藉此，层叠体的结构要素变少，可将层叠体的结构形成为更简单且小型。又，具备上述电路功能部的滤波器的实施方式中，有时在输入输出端子Piol、Pio2 间设定跳跃耦合用的电容。此时，能将该跳跃耦合用的电容兼用作接地阻抗调整电路的串联电容器C12。藉此，层叠体的结构要素变少，可将层叠体的结构形成为更简单且小型。又，具备上述电路功能部的实施方式中，示出了将LC谐振用的电容器与接地阻抗调整电路的电容器分别形成的例子。然而，也可将连续的多个LC谐振器的两端的LC谐振器的电容器构成为兼用作接地阻抗调整电路的第1并联电容器Cl及第2并联电容器C2。 藉此，层叠体的结构要素变少，可将层叠体的结构形成为更简单且小型。又，在上述结构中，将LC谐振器的电容器用的电极适当设定成可获得期望的电容。然而，根据电容决定该电容器用的电极的形状时，形成为至少不同时与相邻的线状电极的两方重迭更佳。标号说明IOA 10J、10Γ、10J，、IOP 层叠体901P 905P、901 916 绝缘体层201、202 输入输出用电极110:接地电极111、112 输入输出用底面电极120、160 内层接地电极131、132、151、152、171、172、173、211、212 电容器用电极181、182:走线电极191 194、191A 194A、191B 194B、191C 194C 线状电极800、800A、800B、801、802、803、804、811、812、813、814、820 通孔
权利要求
1.一种高频层叠元器件，具有 一对输入输出端子；连接于该一对输入输出端子间的实现规定功能的电路功能部；以及接地阻抗调整电路，该接地阻抗调整电路由连接于所述一对输入输出端子间的串联电容器、及分别连接于该串联电容器的两端与地之间的第1并联电容器及第2并联电容器构成；利用层叠了形成有规定电极图案的多个绝缘体层的层叠体，形成所述接地阻抗调整电路，该高频层叠元器件的特征在于至少具备分别形成在所述层叠体的不同绝缘体层的内层接地电极； 形成所述并联电容器的电极配置在所述内层接地电极之间。
2.如权利要求1所述的高频层叠元器件，其特征在于，所述第1并联电容器及所述第2并联电容器由彼此相对的相对电极构成； 所述第1并联电容器及所述第2并联电容器的一相对电极由所述内层接地电极形成； 所述第1并联电容器及所述第2并联电容器的另一相对电极配置在所述内层接地电极之间。
3.如权利要求1或2所述的高频层叠元器件，其特征在于， 所述串联电容器由彼此相对的相对电极构成；所述第1并联电容器及所述第2并联电容器的另一相对电极兼用所述串联电容器的一相对电极。
4.如权利要求1至3中任一项所述的高频层叠元器件，其特征在于， 所述电路功能部是具有规定频率通过特性的滤波器。
5.如权利要求1至4中任一项所述的高频层叠元器件，其特征在于， 所述电路功能部由形成在所述多个绝缘体层的电极图案构成。
6.如权利要求5所述的高频层叠元器件，其特征在于，在所述电路功能部包含电容器，该电容器兼用作构成所述接地阻抗调整电路的所述串联电容器、第1并联电容器及所述第2并联电容器的至少一个电容器。
7.如权利要求1至4中任一项所述的高频层叠元器件，其特征在于， 所述电路功能部由安装于所述层叠体的安装元器件构成；在所述层叠体中，形成有将所述安装元器件进行安装的安装用连接盘。
8.一种高频层叠元器件，具有 一对输入输出端子；以及接地阻抗调整电路，该接地阻抗调整电路由连接于该一对输入输出端子间的串联电容器、及分别连接于该串联电容器的两端与地之间的第1并联电容器及第2并联电容器构成；利用层叠了形成有规定电极图案的多个绝缘体层的层叠体，形成所述接地阻抗调整电路，该高频层叠元器件的特征在于至少具备分别形成在所述层叠体的不同中间层的二个内层接地电极； 形成所述串联电容器的电极配置在所述二个内层接地电极之间。
9.如权利要求8所述的高频层叠元器件，其特征在于，所述第1并联电容器及所述第2并联电容器的一相对电极由所述内层接地电极形成； 所述第1并联电容器及所述第2并联电容器的另一相对电极配置在所述二个内层接地电极之间。
10.如权利要求8或9所述的高频层叠元器件，其特征在于，所述第1并联电容器及所述第2并联电容器的另一相对电极兼用所述串联电容器的一相对电极。
11.一种层叠型高频滤波器，具备 一对输入输出端子；多级LC谐振器，该多级LC谐振器高频连接于该一对输入输出端子间；以及跳跃耦合用电容器，该跳跃耦合用电容器直接连接于所述一对输入输出端子间； 利用层叠了形成有规定电极图案的多个绝缘体层的层叠体，形成构成所述LC谐振器的电感器及电容器、以及所述跳跃耦合用电容器，该层叠型高频滤波器的特征在于 所述层叠体包含形成在所述绝缘体层上的内层接地电极；在构成所述电感器的电极图案与构成所述跳跃耦合用电容器的电极图案之间，配置有内层接地电极。
12.如权利要求11所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，具备分别连接于所述一对输入输出端子与地之间的输入输出用电容器；利用所述层叠体的电极图案，形成该输入输出用电容器；至少所述跳跃耦合用电容器由形成在不同绝缘体层的内层接地电极挟持配置。
13.如权利要求12所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，形成所述输入输出用电容器的电极图案也由形成在所述不同绝缘体层的内层接地电极挟持配置。
14.如权利要求11至13中任一项所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，在所述LC谐振器的电感器的电极图案的两端，形成用于连接于所述LC谐振器的电容器及地的通孔，电感器由该电感器的电极图案与二个通孔构成。
15.如权利要求14所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，连接于各电感器的电极图案的通孔形成在从侧面观察所述层叠体时大致重迭的位置。
16.如权利要求14或15所述的层叠型高频滤波器，其特征在于， 构成所述电感器的电极图案设在多个绝缘体层；设在该多个绝缘体层的各电极图案并联连接于所述二个通孔。
17.如权利要求14至16中任一项所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，连接有所述电感器的电极图案的地是形成在与层叠体的底面不同的规定绝缘体层中的内层接地电极。
18.如权利要求17所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，连接有所述电感器的电极图案的内层接地电极是配置在构成所述电感器的电极图案与构成所述跳跃耦合用电容器的电极图案之间的内层接地电极。
19.如权利要求14至18中任一项所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，构成所述多个LC谐振器的电感器内的任意相邻的电感器的电极图案的、与所述电容器连接的通孔的连接位置位于不同的端部。
20.如权利要求11至19中任一项所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，构成所述多个LC谐振器的电感器内的任意相邻的电感器的电极图案形成在同一绝缘体层。
21.如权利要求11至20中任一项所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，用于连接于外部地的外部接地电极与形成所述一对输入输出端子的外部输入输出端子排列形成在所述层叠体的底面。
22.如权利要求11至21中任一项所述的层叠型高频滤波器，其特征在于，具备接地阻抗调整电路，该接地阻抗调整电路由连接于所述一对输入输出端子间的串联电容器、及分别连接于该串联电容器的两端与地之间的第1并联电容器及第2并联电容器构成；所述串联电容器兼用作构成所述跳跃耦合用电容器的电极图案。
全文摘要
构成高频层叠元器件的层叠体(10A)在最下层(第1层)绝缘体层(901)的底面具备接地电极(110)。在第2层绝缘体层(902)中，在大致整个面上配置有内层接地电极(120)。在第3层绝缘体层(903)至第5层绝缘体层(905)中，形成有构成接地阻抗调整电路的串联电容器(C12)的电容器用电极(140)与构成第1并联电容器及第2并联电容器的电容器用电极。在第6层绝缘体层(906)中，在大致整个面上配置有内层接地电极(160)。内层接地电极(120、160)利用通孔(800)与接地电极(110)导通。
文档编号H03H7/01GK102549690SQ201180004106
公开日2012年7月4日 申请日期2011年2月24日 优先权日2010年3月18日
发明者谷口哲夫 申请人:株式会社村田制作所