专利名称：膜体声波谐振器、滤波器、双工器和模块的制作方法
技术领域：
本发明的某一方面涉及膜体声波谐振器、滤波器、双工器和模块，具体地涉及具有位于谐振区域的边缘处的厚隔膜区域的膜体声波谐振器、滤波器、双工器和模块。
背景技术：
因为诸如移动电话之类的无线通信设备的快速普及，对于高频滤波器的需求快速地增长。具体而言，需要具有小的尺寸和高的陆变度(precipitousness)的声波滤波器。声波滤波器具有声波谐振器。例如，在高于2GHz频带的高频带中，作为具有小尺寸和低损耗的谐振器，膜体声波谐振器被关注。膜体声波谐振器具有下部电极、上部电极以及位于下部电极和上部电极之间的压电隔膜。下部电极和上部电极隔着压电隔膜彼此面对的区域是对谐振有贡献的谐振区域。在谐振隔膜的厚度方向上传播的声波主要对谐振特性有贡献。当在厚度方向上传播的声波在横向上传播时可能出现杂波。 日本专利申请特开No. 2006-109472 (此后称为文件I)公开了一种技术，其中通过在谐振区域的边缘处设置作为上部电极的一部分且比谐振区域的中央部分薄的薄隔膜，横向上声波的传播被限制且杂波被限制。日本专利申请特开No. 2007-6501(此后称为文件2)和 Proceeding of IEEE international ultrasonic symposium 2006，pp456_459 (此后称为文件3)公开了一种技术，其中通过在薄隔膜区域的外部设置作为上部电极的一部分且比谐振区域的中央部分厚的厚隔膜区域，横向上的声波的传播被更多地限制且杂波被更多地限制。然而，使用文件I的方法，损耗可能增大。使用文件2和文件3的方法，当上部电极具有3个不同厚度时，制造成本可能增大。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器包括基板；设置在所述基板上的下部电极；设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及设置在所述压电隔膜上的上部电极，其中所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且所述厚隔膜区域的宽度小于在与所述压电隔膜的厚度方向相交叉的方向上传播的声波的波长。根据本发明的另一个方面，提供了另一种膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器包括基板；下部电极；设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及设置在所述压电隔膜上的上部电极；其中所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且当所述膜体声波谐振器的谐振频率是“fr”、所述压电隔膜的硬度是“ell”且所述压电隔膜的密度是“ P ”时，所述厚隔膜区域的宽度由以下公式表示Irjj
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AV P根据本发明的另一个方面，提供了一种包括上述膜体声波谐振器中的一个的滤波器。根据本发明的另一个方面，提供了另一种滤波器，所述滤波器包括并联地耦合在输入端子和输出端子之间的一个或多个并联谐振器；以及用作串联谐振器且串联地耦合在输入端子和输出端子之间的一个或多个膜体声波谐振器。 根据本发明的另一个方面，提供了一种包括上述滤波器的双工器。根据本发明的另一个方面，提供了一种包括上述膜体声波谐振器中的一个的模块。
图IA例示串联谐振器的配置图；图IB例示并联谐振器的配置图；图IC例示串联谐振器和并联谐振器的通过特性；图2A例示单梯型滤波器的配置图；图2B例示单梯型滤波器的通过特性；图3A例示膜体声波谐振器的顶视图；图3B例示沿着图3A中的A-A线截取的剖面图；图4A至图4C例示另一个膜体声波谐振器的剖面图；图5A例示厚度纵向振动的频散曲线的示意图；图5B例示实现图5A的频散曲线的谐振器的通过特性的史密斯圆图的示意图；图6例示梯型滤波器的通过特性的示意图；图7例示频率-传播系数关系的示意图；图8A至图81例示每个驻波的示意图；图9A例示根据第一对比例的谐振器的谐振区域的边缘附近的示意性剖面图；图9B例示压电隔膜的位移的示意图；图IOA例示根据第二对比例的谐振器的谐振区域的边缘附近的示意性剖面图；图IOB例示压电隔膜的位移；图IlA和图IlB例示第二对比例的谐振区域的中央部分和薄隔膜区域中的频散曲线.图12A例示根据第三对比例的谐振器的谐振区域的边缘附近的示意性剖面图；图12B例示压电隔膜的位移的示意图；图13A至图13C例示第三对比例的谐振区域的中央部分、薄隔膜区域和厚隔膜区域的频散曲线；图14A例示根据第四对比例的谐振器的谐振区域的边缘附近的示意性剖面图；图14B例示压电隔膜的位移的示意图；图15A和图15B例示第四对比例的谐振区域的中央部分和厚隔膜区域的频散曲线.
图16例示AIN的频散曲线的计算结果；图17 例不用于第一实施方式中的模拟的结构；图18A至图18D例示第一实施方式的模拟结果；图19例示用于第三对比例中的模拟的配置图；图20A至图20D例示第一实施方式和第三对比例的模拟结果；图21例示基准谐振器和第一实施方式和第三对比例的谐振器的通过特性的史密斯圆图；图22A和图22B例示根据第二实施方式的膜体声波谐振器的剖面图；图23例示根据第三实施方式的梯型滤波器的电路图；图24例示根据第四实施方式的双工器的电路图；图25例示根据第五实施方式的通信模块的框图；以及图26例示根据第六实施方式的振荡模块的框图。
具体实施例方式首先，将参考梯型滤波器给出杂波的描述。图IA例示串联谐振器的配置图。图IB例示并联谐振器的配置图。图IC例示串联谐振器和并联谐振器的通过特性。如图IA所例示，串联谐振器S具有一对信号端子。这一对信号端子中的一个是输入端子Tin。另一个是输出端子Tout。如图IB所示，并联谐振器P具有一对信号端子。这一对信号端子中的一个耦合到接地端子。另一个耦合到将输入端子Tin和输出端子Tout耦合的线路。图IC的横轴指示频率。图IC的纵轴指示通过量。实线S指示串联谐振器S的通过特性。点线P指示并联谐振器P的通过特性。如图IC所例示，串联谐振器S的通过特性具有谐振点f;s (谐振频率)和反谐振点fas (反谐振频率)。在谐振点匕处，通过量最大。在反谐振点4,处，通过量最小。在另一个方面，并联谐振器P的通过特性具有谐振点&和反谐振点fap。在谐振点f;p处，通过量最小。在反谐振点fap处，通过量最大。图2A例示单梯型滤波器的配置图。图2B例示单梯型滤波器的通过特性。如图2A所例示，串联滤波器S串联地耦合到输入端子Tin和输出端子Tout。并联谐振器P耦合在输出端子Tout和地之间。例如，该单梯型滤波器被设计为使串联谐振器S的谐振点大致对应于并联谐振器P的反谐振点fap。图2B的横轴指示频率。图2B的纵轴指示通过量。对于图2A的结构，串联谐振器S的通过特性和并联谐振器P的通过特性组合成图2B的通过特性。在串联谐振器S的谐振点和并联谐振器P的反谐振点fap附近，通过量最大。另一方面，在串联谐振器S的反谐振点fas和并联谐振器P的谐振点f；p附近，通过量最小。并联谐振器P的谐振点f；p和串联谐振器S的反谐振点fas之间的频带是通带。小于并联谐振器P的谐振点f；p的频带和大于串联谐振器S的反谐振点fas的另一频带是衰减带。因而，梯型滤波器用作带通滤波器。接下来，给出作为谐振器的膜体声波谐振器的描述。图3A例示膜体声波谐振器的顶视图。图3B例示沿图3A中的A-A线截取的剖面图。如图3A和图3B所示，在基板10上设置有下部电极12。在该下部电极12上设置有压电隔膜14。在该压电隔膜14上设置有上部电极16。谐振区域20是下部电极12隔着压电隔膜14面对上部电极16的区域。基板10具有位于谐振区域20下方的空隙18。图4A至图4C例示另一个膜体声波谐振器的剖面图。在图4A中，在基板10的上面中形成有凹陷。在基板10和下部电极12之间形成有空隙18。在图4B中，基板10的上面是平坦的。下部电极12形成为使得在下部电极12和基板10之间形成有空隙18。在图4C中，在基板10和下部电极12之间设置有用于反射声波的声反射隔膜19，来代替空隙18。可以使用以下的隔膜作为声反射隔膜19，其中具有高声学阻抗且具有声波的波长的厚度的隔膜和具有低声学阻抗且具有该波长的厚度的隔膜被交替地层叠。如图3A至图4C所例示，膜体声波谐振器是由薄隔膜制成的脆弱器件且设置在基板10上，从而不会因为处理而损坏。然而，优选地，基板10从谐振区域20声学绝缘以实现优选的谐振特性。因此，优选地，空隙18或声反射隔膜19包括谐振区域20。空隙18或声反射隔膜19可以被设置在部分地包括谐振区域20的区域中。当在下部电极12和上部电极16之间施加高频波信号时，膜体声波谐振器通过使 用在压电隔膜14中激励的厚度纵向振动的体波来实现谐振特性。膜体声波谐振器使用厚度纵向振动的体波的振动能量在压电隔膜14的厚度方向上的传播。然而，存在振动能量在与压电隔膜14的厚度方向相交叉的方向(例如，垂直于厚度方向的方向(诸如压电隔膜14的平面方向))上的传播。在与压电隔膜14的厚度方向相交叉的方向上传播的振动能量与在厚度方向上的振动能量的传播的主振动交叠且被视为杂波。图5A例示厚度纵向振动的频散曲线的示意图。在图5A中，横轴指示在压电隔膜14的平面方向上的传播系数(波数)。纵轴指示频率。纵轴的右侧指示传播系数的实数。在右侧的频率范围中，存在在压电隔膜14的平面方向上的能量传播。纵轴的左侧指示传播系数的虚数。在左侧的频率范围中，不存在在压电隔膜14的平面方向上的能量传播。S卩，声波不在压电隔膜14的平面方向上传播。频散曲线与频率轴相交叉的点是截止频率。在图5A中，在高于截止频率的频率，声波不在压电隔膜14的平面方向上传播。另一方面，在低于截止频率的频率，声波在压电隔膜14的平面方向上传播。一般而言，截止频率大致对应于谐振器的谐振频率。如图5A所例示，对于具有0. 3或更小的泊松比的物质，在低于截止频率的频率处频散曲线指示实数。例如，以(002)方向阵列的氮化铝是具有0. 3或更小的泊松比的物质的示例。图5B例示实现图5A的频散曲线的谐振器的通过特性的史密斯圆图的示意图。如图5B所例示，在低于谐振点的频率处产生杂波。因而，对于实现图5的频散曲线的谐振器，在低于谐振频率的频率处，压电隔膜14的平面方向上的传播系数指示实数。因此，声波在压电隔膜14的平面方向上传播，且产生杂波。另一方面，在高于谐振频率的频率处，压电隔膜14的平面方向上的传播系数指示虚数。因此，声波不在压电隔膜14的平面方向上传播，且不产生杂波。图6例示梯型滤波器的通过特性的示意图。梯型滤波器包括实现图5B的通过特性的谐振器。图6的点线指示不考虑图5B的杂波的影响的情况下的梯型滤波器的通过特性。图6的实线指示考虑图5B的杂波的影响的情况下的梯型滤波器的通过特性。如图6所例示，如果考虑杂波，在通带中产生多个纹波。因为谐振器的每个杂波交叠，所以产生纹波。谐振器的杂波劣化了滤波器的插入损耗且在通带中产生纹波。因此，需要限制谐振器的杂波。
给出活塞模式的描述以描述杂波的限制。图7例示频率-传播系数关系的示意图。图8A至图81例示每个驻波的示意图。如图8A所例示，描述了作为具有长度“d”的激励区域的、边缘不被支承的压电板24。在压电板24中，产生从零阶到高阶的驻波。零阶驻波到七阶驻波的频率被称为“《0”至“《7”。图SB至图81的粗实线指示零阶至七阶驻波。在图7中，零阶驻波对应于传播系数是零的声波。即，“《0”大致等于谐振频率。一阶驻波至六阶驻波对应于传播系数是2 /(d/1)至2 /(d/6)的声波。如图8B至图81所示，在活塞模式中，压电板24的边缘不被支承。因此，在边缘处，声波的位移指示最大值。该位移模式被称为活塞模式。在活塞模式中，当位移量被在压电板24的长度方向上积分时，除零阶驻波以外的其它驻波是零。这是因为对于除零阶驻波以外的其它驻波，压电板24的表面上的电荷的总量是零。因此，不会电学地输出除谐振响应以外的其它响应，且不产生杂波。对于零阶驻波，传播系数是零。并且在压电板24的平面方向上没有传播。因此，不产生杂波。如上所述，在活塞模式中不产生杂波。然而，在实际的谐振器中，谐振区域20被基 板10支承。因此，压电板的边缘并不是完全自由的。参考第一对比例，给出其中产生杂波的模型的描述。图9A例示根据第一对比例的谐振器的谐振区域的边缘附近的示意性剖面图。图9B例示压电隔膜的位移的示意图。图9A例示根据第一对比例在隔膜区域20的边缘附近的基板10、下部电极12、压电隔膜14、上部电极16以及空隙18的示意图。图9B例示在图9A的压电隔膜14的平面方向上压电隔膜14相对于位置X的位移。虚线指示理想情况。理想地，在谐振区域20的边缘，压电隔膜14的位移突变到零。然而，压电隔膜14的实际位移如实线所指示相对于位置X平滑地波动。这是因为，由于压电隔膜14的边缘并不完全自由，被基板10支承的区域的压电隔膜14进行简单的阻尼振动。在谐振区域20中，因为谐振区域20经受振动的干扰，活塞模式失真。在这种情况下，谐振区域的平面方向上的电荷的总量在除零阶驻波以外的其它驻波中具有有限值。因此，杂波响应被电学地输出。接下来，给出第二对比例的描述。第二对比例对应于文件I。图IOA例示根据第二对比例的谐振器的谐振区域的边缘附近的示意性剖面图。图IOB例示压电隔膜的位移。如图IOA所示，在谐振区域20的边缘设置有薄隔膜区域30。在薄隔膜区域30中，上部电极16的厚度小。其它结构与图9A的结构相同。因此，省略其描述。图IlA和图IlB例示第二对比例的谐振区域的中央部分和薄隔膜区域中的频散曲线。如图IlA所示，谐振区域20的谐振频率fr大致是谐振区域20的中央部分的截止频率f0o频率区域40是低于截止频率f0的频率处的区域，其中产生杂波。如图IlB所示，在薄隔膜区域30中，上部电极16薄。因此，截止频率f0向高频侧偏移。因而，与谐振区域20的中央部分中的声波相同频率的声波的波数变得更大。因此，如图IOB所例示，相对于实际位置X的位移变得更接近理想位移。因此，与第一对比例相比，在第二对比例中，杂波被限制。接下来，给出第三对比例的描述。第三对比例对应于文件2和文件3。图12A例示根据第三对比例的谐振器的谐振区域的边缘附近的示意性剖面图。图12B例示压电隔膜14的位移的示意图。如图12A所例示，与图IOA不同，在薄隔膜区域30的外部设置有厚隔膜区域32。在厚隔膜区域32中，上部电极16的厚度大于谐振区域20的中央部分的厚度。其它结构如图IOA相同。因此，省略其解释。图13A至图13C例示第三对比例的谐振区域的中央部分、薄隔膜区域和厚隔膜区域的频散曲线。图13A和图13B的频散曲线与图IlA和图IlB的频散曲线相同。因此，如图12B所例示，相对于位置X的位移大致与图IOB的位移相同。如图13C所例示，在厚隔膜区域32中，上部电极16厚。因此，截止频率f0向低频侧移动。因而，在厚隔膜区域32中，在谐振区域20的谐振频率fr处，声波的频散系数是虚数。因此，不建立传播。因而，在厚隔膜区域32中可以衰减在压电隔膜14的平面方向上传播的声波。因此，可以限制杂波。然而，在第二和第三对比例中，如图IlB和13B所例示，在薄隔膜区域30中，相对于谐振区域20的谐振频率fr，截止频率f0向高频侧偏移。在这种情况中，在比谐振区域20的谐振频率fr更高的频率处，传播系数是理想数。因此，对谐振没有贡献的声波未被衰减。因此，发生损耗。接下来，给出第四对比例的描述。图14A例示根据第四对比例的谐振器的谐振区 域的边缘附近的示意性剖面图。图14B例示压电隔膜14的位移的示意图。如图14A所例示，在谐振区域20的边缘设置有厚隔膜区域32。在厚隔膜区域32中，上部电极16的厚度大于谐振区域20的中央部分的厚度。其它结构与图9A相同。因此，省略其解释。图15A和图15B例示第四对比例的谐振区域的中央部分和厚隔膜区域的频散曲线。图15A和图15B的频散曲线与图13A和图13B的频散曲线相同。如图15B所示，在厚隔膜区域32中，在谐振区域20的谐振频率fr，声波的频散系数是虚数。因此，不建立传播。因而，在厚隔膜区域32中，可以衰减在压电隔膜14的平面方向上传播的声波。因此可以减小损耗。然而，在第四对比例中，未设置薄隔膜区域30。因此，如图IlB所例示，截止频率f0不增加。在这种情况中，和第一对比例一样，相对于位置X，位移平滑地波动。因此，不能够限制杂波。如图2B所示，在串联谐振器S中，当在比谐振频率f,s更低的频带中产生杂波时，杂波对于通带具有影响。另一方面，在并联谐振器P中，即使在比谐振频率f；p更低的频带中产生杂波，该杂波也处于通带之外。在文件I中，提出了将能够限制杂波的第二对比例的谐振器用作串联谐振器，且将能够限制损耗的第四对比例的谐振器用作并联谐振器。然而，在该方法中，在串联谐振器的上部电极16中设置薄隔膜区域30。在并联谐振器的上部电极16中设置厚隔膜区域32。当在上部电极16中设置薄隔膜区域30和厚隔膜区域32时，上部电极16的处理变复杂。并且，制造成本增加。类似地，对于在单个谐振器的上部电极16中设置薄隔膜区域30和厚隔膜区域32的第三对比例的谐振器，制造成本增加。将给出实现低损耗和低成本且限制杂波的实施方式的描述。第一实施方式图16例示AlN的频散曲线的计算结果。图16的横轴指示波数。图16的纵轴指示频率。在下部电极12是具有350nm的厚度的钥隔膜、上部电极16是具有300nm的厚度的钥隔膜且压电隔膜14是具有1050nm的厚度的AlN隔膜的条件下，计算出该频散曲线。在图16中，模式TE是厚度纵向振动模式。模式TS是厚度横向振动模式。模式TEl指示的实线是膜体声波谐振器的功能的主模式。主模式TEl的波数是理想数。其中频率与波数一同减小的区域是产生杂波的区域(图16的TEl的虚线区域)。此处，在图16中，关注与主模式TEl相同的厚度纵向振动模式的低阶振动模式TEO (用虚线例示)。在图16中，主模式TEl是一阶模式。模式TEO是零阶模式。模式TEO不具有谐振点且对于谐振没有贡献。即，模式TEO不用于机械振动且不贡献于电学特性。发现，如果在谐振区域20的边缘使用模式TE0，则在不增加损耗的条件下限制了杂波。图17例示用于第一实施方式中的模拟的结构。如图17所例示，对具有位于谐振区域20的边缘处的厚隔膜区域32的谐振器，使用有限元法进行模拟。图17的结构与图14A相同。谐振区域20的中央(左侧点线)是镜面界面。在模拟中，谐振区域20的宽度Wr (整个谐振区域20的宽度的一半)是40 y m，厚隔膜区域32的上部电极16的相对于谐振区域20的中央部分的高度“t”以及厚隔膜区域32的宽度W是参数。高度“t”是0的谐振器是基准谐振器。计算了谐振点的Q值、反谐振点的另一个Q值、有效机电耦合系数Keff2以及杂波增量。多个杂波以远离谐振点为顺序是一阶杂波、二阶杂波、三阶杂波、 !!阶杂波。计算一阶杂波至三阶杂波的总衰减量作为杂波增量。通过从总衰减量减去基准谐振器的总衰减量获得杂波增量。当杂波增量为负时，与基准谐振器相比，杂波被限制。图18A至图18D例示第一实施方式的模拟结果。图18A例示谐振点的Q值-厚隔膜区域32的宽度W的关系。图18B例示反谐振点的Q值-宽度W的关系。图18C例示有效机电耦合系数Keff2-宽度W的关系。图18D例示杂波增量-宽度W的关系。宽度W是零的黑圆圈指示基准谐振器的值。白方块是在高度“t”是25nm的情况中的计算结果。白三角是在高度“t”是IOOnm的情况中的计算结果。而白圆圈是在高度“t”是200nm的情况中的计算结果。如图18D所例示，在很多情况中，当厚隔膜区域32的宽度W是800 ii m或更小时，对于任意高度“t”，杂波增量为负。即，与基准谐振器相比，杂波被限制。如图18A至图18C所示，在厚隔膜区域32的宽度W是SOOiim或更小的范围中，谐振点的Q值、反谐振点的Q值以及有效机电耦合系数Keff2倾向于稍微增加。因此，即使厚隔膜区域32的宽度W是800iim或更小，谐振特性也不会受到不利影响。表I示出在产生一阶杂波至三阶杂波的频率处且高度“t”是200nm的模式TEO的波长。表I示出，不管杂波的阶数如何，模式TEO的波长是I. 69 至I. 7 Pm。因此，限制杂波的厚隔膜区域32的宽度W是模式TEO的波长的一半或更小。表I
权利要求
1.一种膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器包括 基板； 设置在所述基板上的下部电极； 设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及 设置在所述压电隔膜上的上部电极， 其中 所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且 所述厚隔膜区域的宽度小于在与所述压电隔膜的厚度方向相交叉的方向上传播的声波的波长。
2.一种膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器包括 基板； 下部电极； 设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及 设置在所述压电隔膜上的上部电极； 其中 所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且 当所述膜体声波谐振器的谐振频率是“fr”、所述压电隔膜的硬度是“ell”且所述压电隔膜的密度是“ P ”时，所述厚隔膜区域的宽度由以下公式表示
3.根据权利要求I所述的膜体声波谐振器，其中，所述在与所述压电隔膜的厚度方向相交叉的方向上传播的声波是具有与所述膜体声波谐振器振荡的声波的主模式相同的振动模式的低阶声波。
4.根据权利要求3所述的膜体声波谐振器，其中，所述厚隔膜区域的宽度是所述在与所述压电隔膜的厚度方向相交叉的方向上传播的声波的波长的一半或更小。
5.根据权利要求I至4中任意一项所述的膜体声波谐振器，其中，在所述谐振区域的下部电极下方设置有空隙或声学多层隔膜。
6.根据权利要求I至4中任意一项所述的膜体声波谐振器，其中，所述压电隔膜的在所述谐振区域外的部分比所述压电隔膜的在所述谐振区域中的其它部分薄。
7.根据权利要求I至4中任意一项所述的膜体声波谐振器，其中 在所述厚隔膜区域中，所述下部电极和所述上部电极中的一个比所述谐振区域的中央部分厚；并且 所述下部电极和所述上部电极中的另一个比所述谐振区域薄。
8.根据权利要求I至4中任意一项所述的膜体声波谐振器，其中，所述压电隔膜的泊松比是0. 3或更小。
9.一种滤波器，所述滤波器包括根据权利要求I至4中任意一项所述的膜体声波谐振器。
10.一种滤波器，所述滤波器包括 并联地耦合在输入端子和输出端子之间的一个或更多个并联谐振器；以及一个或更多个根据权利要求I所述的膜体声波谐振器，所述膜体声波谐振器用作串联谐振器且串联地耦合在所述输入端子和所述输出端子之间。
11.根据权利要求10所述的滤波器，其中 所述一个或更多个并联谐振器包括基板；设置在所述基板上的下部电极；设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及设置在所述压电隔膜上的上部电极，其中，所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且 所述一个或更多个并联谐振器的所述厚隔膜区域的宽度大于所述一个或多个串联谐振器的所述厚隔膜区域的宽度。
12.—种双工器，所述双工器包括根据权利要求10或11所述的滤波器。
13.一种双工器，所述双工器包括 耦合在公共端子和第一端子之间的第一滤波器；以及 耦合在所述公共端子和第二端子之间且具有比所述第一滤波器的通带高的通带的第二滤波器， 其中，所述第一滤波器是根据权利要求10所述的滤波器。
14.一种模块，所述模块包括根据权利要求I至4中任意一项所述的膜体声波谐振器。
全文摘要
本发明涉及膜体声波谐振器、滤波器、双工器和模块。膜体声波谐振器包括基板；设置在所述基板上的下部电极；设置在所述下部电极上的压电隔膜；以及设置在所述压电隔膜上的上部电极，其中所述下部电极和所述上部电极中的至少一个具有位于谐振区域的边缘处的具有比所述谐振区域的中央部分的厚度更厚的厚度的厚隔膜区域，所述谐振区域是所述下部电极和所述上部电极隔着所述压电隔膜彼此面对的区域；并且所述厚隔膜区域的宽度小于在与所述压电隔膜的厚度方向相交叉的方向上传播的声波的波长。
文档编号H03H9/46GK102801400SQ20121016506
公开日2012年11月28日 申请日期2012年5月24日 优先权日2011年5月24日
发明者原基扬, 堤润 申请人:太阳诱电株式会社