专利名称：Rcd缓冲电路印刷基板、缓冲电路板及缓冲电路的制作方法
技术领域：
本实用新型属于缓冲电路技术领域，尤其涉及RCD缓冲电路印刷基板、缓冲电路板及缓冲电路。
背景技术：
在IGBT开关电路中，由于寄生电感的存在，关断时会产生感生电势加在IGBT模块上，使IGBT模块的集电极-发射极，即C极-E极产生过冲电压应力。因此，需要设置IGBT 开关电路的缓冲电路来缓解这种应カ对IGBT模块的冲击。目前市场上的IGBT开关电路如图I所示，包括IGBT模块和IGBT开关电路的缓冲电路。上述IGBT模块包括第一 IGBT模块101和第二 IGBT模块102。上述IGBT开关电路的缓冲电路包括由电容Cl与快恢复ニ极管Vl —体封装的P型RCD缓冲电容模块103、由电容C2与快恢复ニ极管V2 —体封装的N型RCD缓冲电容模块104、外接电阻Rl以及外接电阻R2。其中上述P型RCD缓冲电容模块103的C极的引出端和E极的引出端通过紧固件固定于上述第一 IGBT模块101的C极的连接处和E极的连接处，上述N型RCD缓冲电容模块104的C极的引出端和E极的引出端通过紧固件固定于第二 IGBT模块102的C极的连接处和E极的连接处。上述P型RCD缓冲电容模块103的电容Cl与该P型RCD缓冲电容模块103的C极相连接，上述P型RCD缓冲电容模块103的快恢复ニ极管Vl与该P型RCD缓冲电容模块103的E极相连接，上述N型RCD缓冲电容模块104的电容C2与该N型RCD缓冲电容模块104的E极相连接，上述N型RCD缓冲电容模块104的快恢复ニ极管V2与该N型RCD缓冲电容模块104的C极相连接，外接电阻Rl分别与上述P型缓冲电容模块103的快恢复ニ极管Vl的正极处引出的导线、上述N型RCD缓冲电容模块104的E极相连接，外接电阻R2分别与N型RCD缓冲电容模块104中的快恢复ニ极管V2的负极处引出的导线、上述P型RCD缓冲电容模块103的C极相连接。上述P型RCD缓冲电容模块103和N型RCD缓冲电容模块104均是一体封装的，电容容量固定，且需要外接电阻Rl、R2才能构成IGBT开关电路的缓冲电路，造成了该缓冲电路的适配性不强、集成性不高。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型的目的在于提供RCD缓冲电路印刷基板、缓冲电路板及缓冲电路，以解决现有技术中由于缓冲电容模块一体封装的结构，使电容容量固定，并且需要外接电阻才能组成缓冲电路而造成的适配性不强、集成度不高的问题。为了解决上述问题，提出的技术方案如下ー种RCD缓冲电路印刷基板，包括[0011]C极连接处、E极连接处、薄膜电容第一焊接处、薄膜电容第二焊接处、快恢复ニ极管第一焊接处、快恢复ニ极管第二焊接处、铝外壳电阻器第一焊接处、铝外壳电阻器第二焊接处、与所述铝外壳电阻器第一焊接处相连接的电阻外接焊接处；与所述薄膜电容第一焊接处相连接的电容外接焊接处；其中所述C极连接处和所述E极连接处中的任ー个与所述薄膜电容第一焊接处相连接，另ー个与所述快恢复ニ极管第一焊接处相连接；所述薄膜电容第二焊接处、所述快恢复ニ极管第二焊接处、所述铝外壳电阻器第ニ焊接处互相连接。优选的，所述C极连接处和所述E极连接处均包括开孔以及所述开孔周围的铜箔， 所述开孔的形状具体为长条形。ー种RCD缓冲电路板，包括如权利要求I所述的印刷基板；薄膜电容，所述薄膜电容的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的薄膜电容第一焊接处与薄膜电容第二焊接处；快恢复ニ极管，所述快恢复ニ极管的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的快恢复ニ极管第一焊接处与快恢复ニ极管第二焊接处；铝外壳电阻器，所述铝外壳电阻器的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的铝外壳电阻器第一焊接处与铝外壳电阻器第二焊接处。 优选的，所述缓冲电路板还包括将所述铝外壳电阻器加强固定在所述印刷基板上的紧固件。ー种IGBT开关电路的缓冲电路，包括P型RCD缓冲电路板和N型RCD缓冲电路板，所述P型RCD缓冲电路板和N型RCD缓冲电路板均为如权利要求3所述的RCD缓冲电路板；其中所述P型RCD缓冲电路板的薄膜电容第一焊接处与所述P型RCD缓冲电路板的C极连接处相连接；所述P型RCD缓冲电路板的电阻外接焊接处与所述N型RCD缓冲电路板的电容外接焊接处相连接；所述N型RCD缓冲电路板的薄膜电容第一焊接处与所述N型RCD缓冲电路板的E极连接处相连接；所述N型RCD缓冲电路板的电阻外接焊接处与所述P型RCD缓冲电路板的电容外接焊接处相连接；所述P型RCD缓冲电路板的C极连接处和E极连接处分别与第一 IGBT模块的C极连接处和E极连接处相连接；所述N型RCD缓冲电路板的C极连接处和E极连接处分别与第二 IGBT模块的C极连接处和E极连接处相连接。 优选的，所述缓冲电路还包括分别连接所述P型RCD缓冲电路板的C极连接处与所述第一 IGBT模块的C极连接处，所述P型RCD缓冲电路板的E极连接处与所述第一 IGBT模块的E极连接处，所述N型RCD缓冲电路板的C极连接处与所述第二 IGBT模块的C极连接处，所述N型RCD缓冲电路板的E极连接处与所述第二 IGBT模块的E极连接处的四组连片。优选的，所述连片为折弯的铜连片。优选的，所述缓冲电路还包括加强固定所述连片的紧固件。优选的，所述缓冲电路还包括将所述铝外壳电阻器加强固定在所述印刷基板上的紧固件。优选的，所述C极连接处和所述E极连接处均包括开孔以及所述开孔周围的铜箔，所述开孔的形状具体为长条形。从上述的技术方案可以看出，在本实用新型公开的RCD缓冲电路印刷基板、缓冲电路板及缓冲电路中，不需要进行一体封装，又因为一定范围内的薄膜电容的外形和大小相似，使薄膜电容的容量在一定范围内可调；并且，焊接在印刷基板上的铝外壳电阻器可以替代外接电阻，从而解决了现有技术中缓冲电路适配性不强、集成度不高的问题。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中IGBT开关电路的缓冲电路结构示意图；图2是本实用新型实施例公开的P型RCD缓冲电路印刷基板的结构示意图；图3为本实用新型实施例公开的N型RCD缓冲电路印刷基板的结构示意图；图4是本实用新型实施例公开的IGBT开关电路的缓冲电路结构示意图。
具体实施方式
为了引用和清楚起见，下文中使用的技术名词、简写或缩写总结解释如下。IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管。RCD :R 为 Resistance,指电阻；C 为 Capacitance,指电容；D 为 Diode,指ニ极管。为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。本实用新型实施例公开了ー种RCD缓冲电路印刷基板，具体包括P型RCD缓冲电路印刷基板和N型RCD缓冲电路印刷基板，以解决现有技术的缓冲电路适配性不强、集成度不高的问题。图2所示为上述P型RCD缓冲电路印刷基板的结构示意图,包括C极连接处201、E极连接处202、薄膜电容第一焊接处203、薄膜电容第二焊接处204、快恢复ニ极管第一焊接处205、快恢复ニ极管第二焊接处206、铝外壳电阻器第一焊接处207、铝外壳电阻器第二焊接处208、与上述铝外壳电阻器第一焊接处207相连接的电阻外接焊接处209、与上述薄膜电容第一焊接处203相连接的电容外接焊接处210 ；其中上述C极连接处201与上述薄膜电容第一焊接处203相连接；上述E极连接处202与上述快恢复ニ极管第一焊接处205相连接；上述薄膜电容第二焊接处204、上述快恢复ニ极管第二焊接处206、上述铝外壳电阻器第二焊接处208互相连接。图3所示为上述N型RCD缓冲电路印刷基板的结构示意图,包括C极连接处301、E极连接处302、薄膜电容第一焊接处303、薄膜电容第二焊接处304、快恢复ニ极管第一焊接处305、快恢复ニ极管第二焊接处306、铝外壳电阻器第一焊接处307、铝外壳电阻器第二焊接处308、与上述铝外壳电阻器第一焊接处307相连接的电阻外接焊接处309、与上述薄膜电容第一焊接处303相连接的电容外接焊接处310 ；其中上述E极连接处302与上述薄膜电容第一焊接处303相连接；上述C极连接处301与上述快恢复ニ极管第一焊接处305相连接；上述薄膜电容第二焊接处304、上述快恢复ニ极管第二焊接处306、上述铝外壳电阻器第二焊接处308互相连接。图2和图3中，斜线部分表示在印刷基板顶层的铜箔，横线部分表示在印刷基板底层的铜箔。进ー步的，上述P型RCD缓冲电路印刷基板的C极连接处201和E极连接处202以及上述N型RCD缓冲电路基板的C极连接处301和E极连接处302均包括开孔以及所述开孔周围的铜箔，所述开孔的形状具体为长条形。不同规格的IGBT模块的E极连接处和C极连接处之间的距离不同，当上述P型RCD缓冲电路印刷基板的C极连接处201和E极连接处202以及上述N型RCD缓冲电路基板的C极连接处301和E极连接处302的开孔的形状均为长条形时，可以更好地适配不同规格的IGBT模块。与之相对应的，本实用新型还公开了ー种使用如上所述的RCD缓冲电路印刷基板的RCD缓冲电路板，具体包括P型RCD缓冲电路板和N型RCD缓冲电路板。上述P型RCD缓冲电路板，除了如上所述的P型RCD缓冲电路印刷基板之外，还包括薄膜电容Cl，上述薄膜电容Cl的两个引脚分别焊接在上述印刷基板的薄膜电容第一焊接处203与薄膜电容第二焊接处204 ；快恢复ニ极管VI，上述快恢复ニ极管Vl的两个引脚分别焊接在上述印刷基板的快恢复ニ极管第一焊接处205与快恢复ニ极管第二焊接处206 ； 铝外壳电阻器R1，上述铝外壳电阻器Rl的两个引脚分别焊接在上述印刷基板的铝外壳电阻器第一焊接处207与铝外壳电阻器第二焊接处208。上述N型RCD缓冲电路板，除了如上所述的N型RCD缓冲电路印刷基板之外，还包括薄膜电容C2，上述薄膜电容C2的两个引脚分别焊接在上述印刷基板的薄膜电容第一焊接处303与薄膜电容第二焊接处304 ；快恢复ニ极管V2，上述快恢复ニ极管V2的两个引脚分别焊接在上述印刷基板的快恢复ニ极管第一焊接处305与快恢复ニ极管第二焊接处306 ；铝外壳电阻器R2，上述铝外壳电阻器R2的两个引脚分别焊接在上述印刷基板的铝外壳电阻器第一焊接处307与铝外壳电阻器第二焊接处308。 上述薄膜电容Cl和上述薄膜电容C2均采用引线的形式，不需要进行内部封装；且一定容量范围的薄膜电容的尺寸变化不大，都可用于上述RCD缓冲电 路板的焊接。因此薄膜电容的容量可以根据电路的实际应用情况进行调节，以选择最适合该电路的电容容量，使电路的性能保持稳定。在本实用新型的其他实施例中，上述RCD缓冲电路板还包括将上述铝外壳电阻器加强固定在上述印刷基板上的紧固件，以保持上述RCD缓冲电路板的稳定性。与之相对应，本实用新型实施例还公开了使用上述RCD缓冲电路板的IGBT开关电路的缓冲电路，具体包括P型RCD缓冲电路板401和N型RCD缓冲电路板402，如图4所示，其中上述P型RCD缓冲电路板401的薄膜电容第一焊接处203与上述P型RCD缓冲电路板401的C极连接处201相连接；上述P型RCD缓冲电路板401的电阻外接焊接处209与上述N型RCD缓冲电路板402的电容外接焊接处310相连接；上述N型RCD缓冲电路板402的薄膜电容第一焊接处303与上述N型RCD缓冲电路板402的E极连接处302相连接；上述N型RCD缓冲电路板402的电阻外接焊接处309与上述P型RCD缓冲电路板401的电容外接焊接处210相连接；上述P型RCD缓冲电路板401的C极连接处201和E极连接处202分别与第一IGBT模块101的C极连接处和E极连接处相连接；上述N型RCD缓冲电路板402的C极连接处301和E极连接处302分别与第二IGBT模块102的C极连接处和E极连接处相连接。在本实用新型的其他实施例中，上述缓冲电路还包括连接上述P型RCD缓冲电路板401的C极连接处201与上述第一 IGBT模块101的C极连接处，连接上述P型RCD缓冲电路板401的E极连接处202与上述第一 IGBT模块101的E极连接处，连接上述N型RCD缓冲电路板402的C极连接处301与上述第二 IGBT模块102的C极连接处，连接上述N型RCD缓冲电路板402的E极连接处302与上述第二 IGBT模块102的E极连接处的四组连片。具体的，上述连片为折弯的铜连片。当上述RCD缓冲电路板不能很好的适用于上述缓冲电路时，可以适当的改变上述铜连片的形状，以更好的适配IGBT模块。在本实用新型的其他实施例中，上述缓冲电路还包括加强固定上述连片的紧固件。对于半桥逆变电路，其缓冲电路包括ー组如上所述的P型RCD缓冲电路板401和N型RCD缓冲电路板402。对于单相全桥逆变电路，其缓冲电路包括两组如上所述的P型RCD缓冲电路板401和N型RCD缓冲电路板402。 以上上述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.ー种RCD缓冲电路印刷基板，其特征在于，包括 C极连接处、E极连接处、薄膜电容第一焊接处、薄膜电容第二焊接处、快恢复ニ极管第一焊接处、快恢复ニ极管第二焊接处、铝外壳电阻器第一焊接处、铝外壳电阻器第二焊接处、与所述铝外壳电阻器第一焊接处相连接的电阻外接焊接处；与所述薄膜电容第一焊接处相连接的电容外接焊接处； 其中 所述C极连接处和所述E极连接处中的任ー个与所述薄膜电容第一焊接处相连接,另一个与所述快恢复ニ极管第一焊接处相连接； 所述薄膜电容第二焊接处、所述快恢复ニ极管第二焊接处、所述铝外壳电阻器第二焊接处互相连接。
2.根据权利要求I所述的印刷基板，其特征在于，所述C极连接处和所述E极连接处均包括开孔以及所述开孔周围的铜箔，所述开孔的形状具体为长条形。
3.—种RCD缓冲电路板，其特征在于，包括 如权利要求I所述的印刷基板； 薄膜电容，所述薄膜电容的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的薄膜电容第一焊接处与薄膜电容第二焊接处； 快恢复ニ极管，所述快恢复ニ极管的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的快恢复ニ极管第一焊接处与快恢复ニ极管第二焊接处； 铝外壳电阻器，所述铝外壳电阻器的两个引脚分别焊接在所述印刷基板的铝外壳电阻器第一焊接处与铝外壳电阻器第二焊接处。
4.根据权利要求3所述的缓冲电路板，其特征在于，还包括将所述铝外壳电阻器加强固定在所述印刷基板上的紧固件。
5.ー种IGBT开关电路的缓冲电路，其特征在于，包括P型RCD缓冲电路板和N型RCD缓冲电路板，所述P型RCD缓冲电路板和N型RCD缓冲电路板均为如权利要求3所述的RCD缓冲电路板； 其中 所述P型RCD缓冲电路板的薄膜电容第一焊接处与所述P型RCD缓冲电路板的C极连接处相连接； 所述P型RCD缓冲电路板的电阻外接焊接处与所述N型RCD缓冲电路板的电容外接焊接处相连接； 所述N型RCD缓冲电路板的薄膜电容第一焊接处与所述N型RCD缓冲电路板的E极连接处相连接； 所述N型RCD缓冲电路板的电阻外接焊接处与所述P型RCD缓冲电路板的电容外接焊接处相连接； 所述P型RCD缓冲电路板的C极连接处和E极连接处分别与第一 IGBT模块的C极连接处和E极连接处相连接； 所述N型RCD缓冲电路板的C极连接处和E极连接处分别与第二 IGBT模块的C极连接处和E极连接处相连接。
6.根据权利要求5所述的缓冲电路，其特征在于，还包括分别连接所述P型RCD缓冲电路板的C极连接处与所述第一 IGBT模块的C极连接处，所述P型RCD缓冲电路板的E极连接处与所述第一 IGBT模块的E极连接处，所述N型RCD缓冲电路板的C极连接处与所述第二 IGBT模块的C极连接处，所述N型RCD缓冲电路板的E极连接处与所述第二 IGBT模块的E极连接处的四组连片。
7.根据权利要求6所述的缓冲电路，其特征在于，所述连片为折弯的铜连片。
8.根据权利要求6所述的缓冲电路，其特征在于，还包括 加强固定所述连片的紧固件。
9.根据权利要求5所述的缓冲电路，其特征在于，还包括将所述铝外壳电阻器加強固定在所述印刷基板上的紧固件。
10.根据权利要求6所述的缓冲电路，其特征在于，所述C极连接处和所述E极连接处均包括开孔以及所属开孔周围的铜箔，所述开孔的形状具体为长条形。
专利摘要本实用新型公开了RCD缓冲电路印刷基板、缓冲电路板及缓冲电路，以解决由于现有的IGBT开关电路的缓冲电路的适配性不强、集成度不高的问题。该RCD缓冲电路印刷基板包括C极连接处、E极连接处、薄膜电容第一焊接处、薄膜电容第二焊接处、快恢复二极管第一焊接处、快恢复二极管第二焊接处、铝外壳电阻器第一焊接处、铝外壳电阻器第二焊接处、与所述铝外壳电阻器第一焊接处相连接的电阻外接焊接处；与所述薄膜电容第一焊接处相连接的电容外接焊接处。可以看出，本实用新型公开的RCD缓冲电路印刷基板，不需要进行一体封装，且焊接在印刷基板上的铝外壳电阻器可以替代外接电阻，从而解决了上述问题。
文档编号H03K17/567GK202444695SQ20122005201
公开日2012年9月19日 申请日期2012年2月16日 优先权日2012年2月16日
发明者刘伟志, 卢刚, 毛春华, 黄炬彩 申请人:福建龙净环保股份有限公司