具有弹性波装置的电子部件的制作方法
【专利摘要】电子部件(51)具有：具有安装面(53a)的安装基板(53)；安装于安装面(53a)的SAW装置(1)；以及覆盖SAW装置(1)且填充于SAW装置(1)与安装面(53a)之间的密封部(59)。SAW装置(1)具有：元件基板(3)；设置于元件基板(3)的第1主面(3a)的激励电极(5)；以及覆盖激励电极(5)的罩(9)。另外，SAW装置(1)按照使罩(9)的顶面(9a，9b)与安装面(53a)对置的方式安装于安装面(53a)。密封部(59)包含：树脂(61)；以及热膨胀率低于树脂(61)的绝缘性的填料(63)。填料(63)的含有率，在包含罩(9)与安装面(53a)之间的区域的至少一部分在内的区域(例如区域AR1)与在其他的区域(例如AR2以及AR3)不同。
【专利说明】具有弹性波装置的电子部件
【技术领域】
[0001]本发明涉及具有弹性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)装置等弹性波装置的电子部件。
【背景技术】
[0002]所谓的晶圆级封装的弹性波装置是已知的(例如专利文献I)。专利文献I的弹性波装置具有:由压电体构成的元件基板、设置于元件基板的主面的激励电极、覆盖激励电极的罩、以及与激励电极连接且从罩的上表面露出的端子。弹性波装置配置为使罩的顶面与安装基板的安装面对置，通过焊料来连接端子与安装面的焊盘。而且，弹性波装置由密封树脂包覆而密封。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:国际公开第2009/057699号
[0006]发明要解决的课题
[0007]弹性波装置利用弹性波(机械性的振动)，因此具有仅对电信号进行处理的装置所没有的特征。例如，元件基板的变形会对在元件基板传播的弹性波的频率造成影响，甚至导致弹性波装置的可靠性显著下降。另外，专利文献I的罩在激励电极上形成有空间，换言之，厚度变化，热膨胀量局部性地不同。因此，关于密封树脂，也优选能将这样的事实纳入考量。即，期望提供适当密封了弹性波装置的电子部件。
【发明内容】
[0008]用于解决课题的手段
[0009]本发明的一形态所涉及的弹性波元件具有:安装基板，其具有安装面；弹性波装置，其安装于所述安装面；以及密封部，其覆盖所述弹性波装置，且填充于所述弹性波装置与所述安装面之间，所述弹性波装置具有:元件基板；激励电极，其设置于所述元件基板的主面；以及罩，其覆盖所述激励电极，所述弹性波装置按照使所述罩的顶面与所述安装面对置的方式安装于所述安装面，所述密封部包含:树脂；以及绝缘性的填料，其热膨胀率比所述树脂低，所述填料的含有率，在包含所述罩与所述安装面之间的区域的至少一部分在内的区域与在其他的区域不同。
[0010]本发明的其他形态所涉及的电子部件具有:安装基板，其具有安装面；弹性波装置，其安装于所述安装面；以及密封部，其覆盖所述弹性波装置，且填充于所述弹性波装置与所述安装面之间，所述弹性波装置具有:元件基板；激励电极，其设置于所述元件基板的主面；以及罩，其覆盖所述激励电极，所述弹性波装置按照使所述罩的顶面与所述安装面对置的方式安装于所述安装面，所述密封部包含:树脂；以及绝缘性的填料，其热膨胀率比所述树脂低，比分布于包含所述罩与所述安装面之间的区域的至少一部分在内的区域的填料的粒径更大的粒径的填料分布在其他的区域。[0011]发明效果
[0012]根据上述的构成，能适当地密封弹性波装置。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本发明的实施方式所涉及的SAW装置的立体图。
[0014]图2是将图1的SAW装置的一部分破断来表示的立体图。
[0015]图3是图1的II1-1II线处的断面图。
[0016]图4是图3的区域IV的放大图。
[0017]图5(a)?图5(d)是说明图1的SAW装置的制造方法的断面图。
[0018]图6(a)?图6(c)是表示图5(d)的后续的断面图。
[0019]图7是表示SAW装置的变形例的放大断面图。
[0020]图8 (a)以及图8 (b)是表示SAW装置的变形例的放大断面图。
[0021]图9(a)以及图9(b)是表示SAW装置的变形例的放大断面图。
[0022]图10(a)以及图10(b)是表示SAW装置的变形例的立体图。
【具体实施方式】
[0023]以下，参照附图来说明本发明的实施方式所涉及的SAW装置。此外，以下的说明中所用的图是示意性的，附图上的尺寸比率等不必与现实一致。
[0024](SAW装置等的构成)
[0025]图1是本发明的实施方式所涉及的SAW装置I的外观立体图。另外，图2是将SAW装置I的一部分破断来表示的立体图。
[0026]此外，SAW装置I可以将任一方向设为上方或者下方，但在以下的实施方式中，为了方便，不仅定义正交座标系xyz，而且将z方向的正侧(图1的纸面上方侧)设为上方，并针对罩9等,使用上表面、下表面等术语。
[0027]SAff装置I由所谓的晶圆级封装(WLP)形的SAW装置构成。SAW装置I具有:元件基板3、设置于元件基板3的第I主面3a上的激励电极5(图2)、设置于第I主面3a上且与激励电极5连接的焊盘7、覆盖激励电极5且使焊盘7露出的罩9 (图1)、以及设置于元件基板3的第2主面3b的背面部11。
[0028]SAW装置I经由多个焊盘7的任一个来进行信号的输入。所输入的信号由激励电极5等进行滤波。然后，SAW装置I经由多个焊盘7的任一个来输出滤波后的信号。各构件的具体的构成如下。
[0029]元件基板3由压电基板构成。具体而言，例如，元件基板3由钽酸锂单晶、铌酸锂单晶等具有压电性的单晶的基板构成。元件基板3例如形成为长方体状，具有矩形形状的相互平行且平坦的第I主面3a以及第2主面3b。元件基板3的大小适当设定即可，例如厚度(z方向)为0.2mm?0.5mm, I边的长度(x方向或者y方向)为0.5mm?2mm。
[0030]激励电极5在第I主面3a上形成为层状(平板状)。激励电极5具有:所谓的IDT(Interdigital Transducer ;叉指换能器)、以及一对梳状电极13。各梳状电极13具有:元件基板3中的沿弹性表面波的传播方向(在本实施方式中X方向)延伸的母线13a、以及从母线13a起沿与上述传播方向正交的方向(在本实施方式中y方向)延伸的多个电极指13b。2个梳状电极13彼此设置为:各电极指13b相互啮合(交叉)。
[0031]此外，图2是示意图，因此示出了具有数根电极指13b的2对梳状电极13。实际中可以设置具有比此更多电极指的多对梳状电极13。另外，既可以构成以串联连接或并联连接等方式对多个激励电极5进行连接而成的梯型SAW滤波器，还可以构成在X方向上排列多个激励电极5而成的2重模式SAW谐振器滤波器。
[0032]焊盘7在第I主面3a上形成为层状。焊盘7的平面形状适当设定即可，例如为圆形。焊盘7的数量以及配置位置根据由激励电极5构成的滤波器的构成等来适当设定。在本实施方式中，例示了 6个焊盘7沿第I主面3a的外周排列的情况。
[0033]在第I主面3a上，除了激励电极5以及焊盘7之外，设置有用于激励电极5彼此的连接、激励电极5与焊盘7的连接或焊盘7彼此的连接的的布线15(图2)。布线15在第I主面3a上形成为层状。此外，布线15不仅可以具有形成于第I主面3a上的部分，还可以具有使绝缘体相对于该部分以夹于其间的状态而立体交叉的部分。
[0034]激励电极5、焊盘7以及布线15(的第I主面3a上所形成的部分)例如由彼此相同的导电材料构成。导电材料例如是Al-Cu合金等Al合金。另外，激励电极5、焊盘7以及布线15例如形成为彼此相同的厚度，这些的厚度例如是100?300nm。
[0035]此外，焊盘7除了具有与激励电极5相同的材料以及厚度的层之外，还可以基于提高与凸块(参照图3)的连接性等目的而具有连接强化层。例如，焊盘7可以具有:重叠于Al-Cu合金的层的镍的层、以及重叠于镍的层的金的层。
[0036]罩9具有:设置于第I主面3a上且在第I主面3a的俯视下包围激励电极5的框部17(第I层，图1以及图2)、以及重叠于框部17来塞住框部17的开口的盖部19(第2层，图1)。而且，通过由第I主面3a(严格地说后述的保护层25)、框部17以及盖部19包围的空间，形成了使激励电极5的振动容易的振动空间21(图2)。
[0037]框部17是通过在大致恒定的厚度的层形成I个以上(在本实施方式中2个)作为振动空间21的开口而构成的。框部17的厚度(振动空间21的高度)例如为数ym?30ymo盖部19是由大致恒定的厚度的层构成的。盖部19的厚度例如为数ym?30μπι。
[0038]框部17的内缘以及外缘的平面形状以及盖部19的平面形状适当设定即可。在本实施方式中，框部17(的外缘)以及盖部19设为在大致矩形中于焊盘7的位置形成有缺口的形状，使得在避开位于振动空间21的4角落侧的焊盘7的同时能较宽地确保振动空间21的面积。
[0039]盖部19的外缘在至少一部分(在本实施方式中整体)比框部17的外缘更位于内侦U。即，将盖部19的平面形状设为形成得比框部17的外缘的平面形状更小。因此，框部17的上表面的外周侧从盖部19露出。换言之，罩9具有:第I顶面9a (图1);以及位于第I顶面9a的外周，且较之于第I顶面9a，距离第I主面3a的高度更低的第2顶面9b (图1)。此外，将框部17的外缘与盖部19设为相似形，第2顶面9b优选以恒定的宽度遍布罩9的整周设置。
[0040]框部17以及盖部19既可以由同一材料形成，也可以由彼此不同的材料形成。在本申请中，为了说明方便，在断面图(图3等)中也明示框部17与盖部19的边界线，但在现实的制品中，框部17与盖部19可以由同一材料来一体形成。
[0041]罩9 (框部17以及盖部19)由感光性的树脂形成。感光性的树脂例如是通过丙烯酸基或甲基丙烯酸基等的自由基聚合而硬化的、聚氨酯丙烯酸酯系、聚酯丙烯酸酯系、环氧丙烯酸酯系的树脂。
[0042]背面部11尽管未图示，但例如具有:覆盖元件基板3的第2主面3b的大致整面的背面电极、以及覆盖背面电极的绝缘性的保护层。通过背面电极，基于温度变化等对充电至元件基板3表面的电荷进行放电。通过保护层来抑制元件基板3的损伤。此外，以下有时也省略背面部11的图示或说明。
[0043]此外，尽管在图1以及图2中省略了图示，但在元件基板3的第I主面3a上，设置有覆盖激励电极5等的保护层25 (参照图6 (c))。保护层25有助于激励电极5的氧化防止等。保护层25例如由氧化硅(SiO2等)、氧化铝、氧化锌、氧化钛、氮化硅、或者硅形成。保护层25的厚度例如为激励电极5的厚度的1/10程度(10?30nm)，或者比激励电极5更厚，为 200nm ?700nm。
[0044]图3是表示安装有SAW装置I的电子部件51的一部分的断面图，与图1的II1-1II线对应。
[0045]电子部件51具有:安装基板53、设置于安装基板53的安装面53a上的焊盘55、配置于焊盘55上的凸块57、经由凸块57而安装于安装面53a的SAW装置1、以及密封SAW装置I的密封部59。
[0046]此外，电子部件51，例如，此外还具有IC等电子元件并构成模块，该IC等电子元件安装于安装面53a，并经由安装基板53与SAW装置I连接，且与SAW装置I 一起通过密封部59被密封。其中，在安装面53a，可以不安装SAW装置I以外的电子元件。例如，安装基板53可以仅作为SAW装置I与其他的电路基板的中介，另外，安装面53a的宽度可以与SAW装置I相等。
[0047]安装基板53例如与焊盘55 —起，或与焊盘55以及凸块57 —起，由印刷布线板构成。印刷布线板既可以是刚性基板，也可以是柔性基板。另外，印刷布线板既可以是I层板，也可以是2层板，还可以是多层板。另外，印刷布线板的基材、绝缘材料、以及导电材料从适当的材料中选择即可。
[0048]凸块57由通过加热而熔融与焊盘7粘接的金属形成。凸块57例如由焊料构成。焊料既可以是Pb-Sn合金焊料等的使用了铅的焊料,也可以是Au-Sn合金焊料、Au-Ge合金焊料、Sn-Ag合金焊料、Sn-Cu合金焊料等的无铅焊料。此外，凸块57可以由导电性粘接剂形成。
[0049]SAW装置I配置为使罩9的顶面侧与安装面53a对置。而且，通过将凸块57与焊盘7粘接而安装于安装面53a。焊盘55、凸块57以及焊盘7的总共的厚度大于罩9的厚度，在罩9的顶面(第I顶面9a)与安装面53a之间形成有间隙。该间隙的大小例如为10?20 μ m0
[0050]密封部59例如以环氧树脂、硬化材以及填料为主成分。密封部59不仅从背面部11侧以及侧方来覆盖SAW装置I，而且填充于SAW装置I与安装基板53之间。
[0051]图4是图3的区域IV的放大图。
[0052]密封部59具有:树脂61 ;以及混入树脂61的填料63S、63M以及63L(以下，有时省略S、M以及L。)。
[0053]树脂61例如是环氧树脂。填料63由热膨胀率低于树脂61的绝缘性粒子构成。作为绝缘性粒子的材料，能列举硅土、矾土、苯酚、聚乙烯、玻璃纤维、石墨等。优选使用无机材料(例如硅土)。填料63优选表面为曲面状，更优选填料63为球状。
[0054]填料63S、63M以及63L仅彼此的大小不同。具体而言，若将填料63S、63M以及63L的粒径分别设为Ds、Dm以及Dl,则Ds < Dm < Dl。
[0055]填料63的粒径例如通过如下而得到:使用电场发射型电子显微镜等来对密封部59的研磨面或破断面进行摄像，获取包含给定数(例如数十)的填料63在内的放大断面图像，并在该图像中测量填料63的最大直径。
[0056]此外，填料63S、63M以及63L的大小可以取代粒径而基于断面积或体积来进行比较。
[0057]另外，尽管在图4中例示了填料63的粒径阶段性(离散地)变化的情况，换言之，粒径Ds、Dm以及分别成为大致恒定的情况，但填料63的粒径也可以连续地变化。
[0058]关于粒径Ds，若将第I顶面9a与安装面53a的距离设为S1,则Ds < S1,优选小于距离S1的2/3，或者，优选小于距离S1的一半。例如，若距离S1为18 μ m,则粒径Ds小于18 μ m，优选小于12 μ m，或者，优选小于9 μ m。此外，粒径Ds的下限值例如为0.5 μ m。
[0059]关于粒径DM，若将第2顶面9b与安装面53a的距离设为S2，则Dm <S2。另外，粒径Dm在与Ds < Dm的条件不发生矛盾的范围内，优选小于距离S2的2/3，或者，优选小于距离S2的一半。例如，若距离S2为48 μ m,则粒径Ds小于48 μ m,优选小于32 μ m,或者,优选小于24 μ m。
[0060]另外，粒径Dm在 与上述的上限所涉及的条件以及Ds < Dm < Dl的条件不发生矛盾的范围内，为距离S1的一半以上，优选距离S1的2/3以上，或者，优选距离S1以上。例如，若距离S1为18 μ m,则粒径Dm为9 μ m以上(粒径Ds小于9 μ m)，优选12 μ m以上(粒径Ds小于12 μ m),或者,优选18 μ m以上。
[0061]例如，若将元件基板3的第I主面3a (严格地说保护层25的表面)与安装面53a的距离设为s3，则粒径^为< S3。另外，粒径^在与Dm < Dl的条件不发生矛盾的范围内，优选小于距离S3的2/3，或者，优选小于距离S3的一半。例如，若距离&为78μπι，则粒径Dl小于78 μ m,优选小于52 μ m,或者，优选小于39 μ m(粒径Dm例如小于24 μ m)。
[0062]另外，粒径在与上述的上限所涉及的条件以及Dm < Dl的条件不发生矛盾的范围内，为距离S2的一半以上，优选距离S2的2/3以上，或者，优选距离S2以上。例如，若距离S2为48 μ m，则粒径Dl为24 μ m以上(粒径Dm小于24 μ m)，优选32 μ m以上(粒径Dm小于32 μ m),或者,优选48 μ m以上。
[0063]在第I顶面9a与安装基板53的安装面53a之间的区域ARl (间隙的大小为距离S1的区域)，仅分布有填料63S。在第2顶面9b与安装面53a之间的区域AR2 (间隙的大小为距离S2的区域)，分布有填料63S以及63M。在元件基板3的第I主面3a与安装面53a之间的区域AR3 (间隙的大小为距离S3的区域)以及元件基板3的侧方以及第2主面3b侧的区域，分布有填料63S、63M以及63L。
[0064]另外，若将区域ARl中的填料63 ^3S)的含有率(体积率)、区域AR2中的填料63 (63S以及63M)的含有率、以及区域AR3中的填料63 (63S.63M以及63L)的含有率分别设为P1、P2以及P3，则成为Pl <P2 <P3。以满足Pl < P2 < P3为前提，例如，含有率Pl为10~50%，含有率P2为30~70%，含有率P3为50~90%。[0065]此外，填料63的含有率通过如下而得到:例如使用电场发射型电子显微镜等来对密封部59的研磨面或破断面进行摄像，从其断面图像来测量填料63的面积比率，并针对多断面，对该面积比率取平均。
[0066](SAW装置等的制造方法)
[0067]图5(a)?图6(c)是说明SAW装置I以及电子部件51的制造方法的断面图(与图1的II1-1II线对应)。制造工序从图5(a)起到图6(c)为止依次进行。
[0068]与SAW装置I的制造方法对应的图5 (a)?图6 (a)的工序在所谓的晶圆制程中实现。即，通过进行分割，从而以作为元件基板3的母基板为对象，进行薄膜形成或光刻法等，其后，通过进行切割，多个SAW装置I并行地形成。其中，在图5(a)?图6(a)中，仅图示与I个SAW装置I对应的部分。另外，导电层或绝缘层随制程的进行而形状发生变化，但在变化的前后有时使用公共的符号。
[0069]如图5 (a)所示，首先，在元件基板3的第I主面3a上形成:激励电极5、焊盘7以及布线15(在图5(a)中未图示)。具体而言，首先，通过溅射法、蒸镀法或者CVD(ChemicalVapor Deposition ;化学气相沉积)法等薄膜形成法，在第I主面3a上形成金属层。接下来，对于金属层，通过利用了缩小投影曝光机(stepper)和RIE (Reactive 1n Etching ;反应式离子蚀刻)装置的光刻法等来进行图案成形。通过图案成形，来形成激励电极5、布线15以及焊盘7。
[0070]若形成激励电极5等，则如图5(b)所示，形成保护层25。具体而言，首先，通过适当的薄膜形成法来形成作为保护层25的薄膜。薄膜形成法例如为溅射法或CVD。接下来，通过光刻法等来去除薄膜的一部分，以使焊盘7露出。由此，形成保护层25。
[0071]若形成保护层25，则如图5(c)所示，形成作为框部17的由感光性树脂构成的薄膜。薄膜例如通过粘贴膜而形成。膜例如具有基膜31、以及重叠于基膜31的作为框部17的树脂层，在使树脂层紧贴保护层25后，如箭头yl所示，剥去基膜31。此外，作为框部17的薄膜可以通过与保护层25同样的薄膜形成法来形成。
[0072]若形成作为框部17的薄膜，则如图5(d)所示，通过光刻法等来去除薄膜的一部分，形成构成振动空间21的开口、以及使焊盘7露出的缺口。另外，即使在切割线上，也以恒定的宽度来去除薄膜。如此来形成框部17。此外，在作为框部17的薄膜通过膜的粘贴来形成的情况下，剥去基膜31的工序可以在光刻之后进行。
[0073]若形成框部17，则如图6(a)所示，形成盖部19。盖部19的形成方法大致与框部17的形成方法相同。具体而言，首先，形成作为盖部19的由感光性树脂构成的薄膜。薄膜例如与框部17同样地，通过膜的粘贴来形成。薄膜通过光刻法等，去除外周部分来进行图案成形。
[0074]若形成盖部19，则如图6(b)以后所示，SAW装置I从晶圆中切出，并安装于安装基板53。如图6(b)所示，在SAW装置I的安装前，在SAW元件I的焊盘7上设置凸块57，在安装基板53的安装面53a设置有焊盘55。凸块57例如通过蒸镀法、电镀法或印刷法来形成，因表面张力的影响等而形成为大致球状或半球状。此外，凸块57既可以在切出SAW装置I前形成，也可以在切出后形成。
[0075]而且，SAff装置I按照使罩9的顶面(第I顶面9a以及第2顶面9b)与安装面53a对置的方式配置。凸块57与焊盘55抵接来支撑SAW装置I。其后，使SAW装置I以及安装基板53通过回流炉等来进行临时加热，并通过凸块57的熔融以及凝固来固定凸块57与焊盘55。
[0076]其后，如图6 (C)所示，SAff装置I被成为密封部59的材料(包含填料63的熔融状态的树脂61)包覆。成为密封部59的材料例如通过传递模塑法或印刷法而被提供至SAW装置I的周围。提供至SAW装置I的周围的密封部59基于被施加的压力，如箭头y3所示，流入SAff装置I与安装面53a之间。然后，若树脂61凝固，则如图3所示，制造电子部件51。
[0077]在熔融状态的树脂61流入SAW装置I与安装面53a之间的过程中，填料63S、63M以及63L也流入区域AR3。但是，在区域AR2，仅填料63S以及63M流入，进而，在区域AR1，仅填料63S流入。即，在树脂61向依次变窄的区域AR3、AR2以及ARl流入时，仿佛成为进行了过滤那样的状态，实现参照图4说明的填料63S、63M以及63L的分布。
[0078]此外，例如，仅填料63S流入区域ARl的绝对的条件是Ds < S1 < DM( < Ds)，但实际上，大概仅小于距离SI的2/3或小于其一半的粒径的填料63流入区域ARl。这被认为是，随着间隙变窄，树脂61的流体阻力的增加所带来的影响。
[0079]若树脂61 —边过滤一边依次流入区域AR3、AR2以及AR1，则填料63的数量逐渐减少，且所减少的填料63的体积大，因此填料63的含有率P1、P2以及P3如上所述，成为Pl< P2 < P3。
[0080]在以上的实施方式中，电子部件51具备:具有安装面53a的安装基板53、安装于安装面53a的SAW装置1、以及覆盖SAW装置I且填充于SAW装置I与安装面53a之间的密封部59。SAW装置I具有:元件基板3、设置于元件基板3的第I主面3a的激励电极5、以及覆盖激励电极5的罩9。另外，SAW装置I按照使罩9的顶面(9a，9b)与安装面53a对置的方式安装于安装面53a。密封部59包含:树脂61、以及热膨胀率低于树脂61的绝缘性的填料63。填料63的含有率在包含罩9和安装面53a之间的区域的至少一部分在内的区域(例如区域ARl)、与其他的区域(例如AR2以及AR3)不同。
[0081]因此，能对应于SAW装置I的位置来控制密封部59的热膨胀率。其结果是，例如，能考虑罩9的形状或热膨胀率，局部性地调整密封部59的热膨胀率，从而整体上抑制SAW装置I的变形。
[0082]另外，在本实施方式中，元件基板3的第I主面3a在罩9的外周露出，填料63的含有率较之于在罩9与安装面53a之间(区域ARl以及AR2)，在第I主面3a与安装面53a之间(区域AR3)更高。
[0083]因此，例如，关于密封部59，其热膨胀率在与罩9重叠的区域接近罩9的热膨胀率(一般而言，相对高)，在不与罩9重叠的区域接近元件基板3或安装基板53的热膨胀率(一般而言，相对低)。其结果是，例如能谋求罩9与密封部59之间的xy平面方向上的热应力的缓和(紧贴强度提高)以及元件基板3等与密封部59之间的xy平面方向上的热应力的缓和(紧贴强度提高)这两者。另外，将抑制因xy平面方向上的热应力而引起的罩9的开裂。
[0084]另外，在本实施方式中，比分布于罩9与安装面53a之间的填料63的最大粒径(Dm)更大的粒径(?)的填料63L分布于第I主面3a与安装面53a之间。
[0085]因此，基于粒径相对大的填料63L的钉扎效应，来有效地抑制区域AR3中的开裂。开裂会从易产生应力集中的端部发生，因此通过在罩9的外周抑制开裂加深，来有效地谋求罩9的保护。另外，在罩9的外周侧且填料63的含有率高的区域AR3，在填料63的粒径大的情况下，能利用实施方式的制造方法。即，能过滤树脂61来调整填料63的含有率。
[0086]另外，在本实施方式中，罩9具有:与安装面53a对置的第I顶面9a、以及比第I顶面9a更远离安装面53a地与安装面53a对置的第2顶面％。填料63的含有率较之于在第I顶面9a与安装面53a之间(区域ARl)，在第2顶面9b与安装面53a之间(区域AR2)更闻。
[0087]因此，例如，在仅密封部59与罩9 (第I顶面9a)紧贴的区域AR1，缓和密封部59与第I顶面9a在xy平面方向上的应力差来使紧贴强度提高，另一方面，在密封部59与罩9于xy平面方向上接合的区域AR2，使密封部59的热膨胀率下降，能抑制密封部59从安装面53a脱落。
[0088]另外，在本实施方式中，罩9具有--第I主面3a的俯视下包围激励电极5的框部17、以及重叠于框部17以塞住框部17的开口的盖部19。第I顶面9a由盖部19的顶面构成，第2顶面9b由框部17的顶面当中从盖部19露出的部分构成。
[0089]在此，罩9在z方向的热膨胀通过框部17产生对第I主面3a进行按压的力。另外，罩9的z方向的热膨胀量在框部17以及盖部19重叠的部分(俯视下包围振动空间21的部分)大于仅盖部19的部分(振动空间21上的部分)。因此，第I主面3a在功能表面(弹性波振动的表面)的外周侧被按压，产生功能表面的挠曲变形。该变形对SAW的频率等造成影响。然而，通过去除盖部19的一部分(第2顶面9b上的部分)，进而使密封部59与第2顶面9b重叠的部分的热膨胀率低，来有效地抑制功能表面的变形。另外，若着眼于制造工序，则能利用框部17以及盖部19来简便地构成第I顶面9a以及第2顶面％。
[0090]另外，在本实施方式中，第2顶面9b由框部17的顶面当中从盖部19的外周侧露出的部分构成。
[0091]在此，导致功能表面(第I主面3a)的挠曲变形的力矩随外周侧的按压力增大而变大。因此，通过在盖部的外周使热膨胀率下降，能有效地抑制功能表面的挠曲变形。另外，若着眼于制造工序，则能利用通过在外周侧形成第2顶面9b来过滤树脂61从而调整填料63的含有率的方法。
[0092]另外，在本实施方式中，比分布于第I顶面9a与安装面53a之间(区域ARl)的填料63S的最大粒径(Ds)更大的粒径(Dm)的填料63M分布于第2顶面9b与安装面53a之间(区域AR2)。
[0093]因此，基于粒径相对大的填料63M的钉扎效应，来有效地抑制区域AR2中的开裂。而且，通过抑制开裂从区域AR2向区域ARl侧进展，来有效地谋求罩9的保护。另外，在第I顶面9a的外周侧且填料63的含有率比区域ARl更高的区域AR2，在填料63的粒径较之于区域ARl更大的情况下，能利用实施方式的制造方法。即，能过滤树脂61来调整填料63的含有率。
[0094] 从另一观点出发，本实施方式的电子部件51具备:具有安装面53a的安装基板53、安装于安装面53a的SAW装置1、以及覆盖SAW装置I且填充于SAW装置I与安装面53a之间的密封部59。SAW装置I具有:元件基板3、设置于元件基板3的第I主面3a的激励电极5、以及覆盖激励电极5的罩9。另外，SAW装置I按照使罩9的顶面(9a，9b)与安装面53a对置的方式安装于安装面53a。密封部59包含:树脂61、以及热膨胀率低于树脂61的绝缘性的填料63。而且，粒径比分布于包含罩9与安装面53a之间的区域的至少一部分在内的区域(例如区域ARl)的填料63的粒径更大的填料63分布于其他的区域(例如区域 AR3)。
[0095]因此，例如，在开裂易发生的罩9的外周侧能有效地发挥钉扎效应。另外，若着眼于制造工序，则还能通过树脂61的过滤来控制填料63的含有率。
[0096]本发明不限于以上的实施方式，可以以各种方式来实施。
[0097]弹性波装置不限于SAW装置。例如，弹性波装置既可以是压电薄膜谐振器，也可以是弹性边界波装置(在此，包含于广义的SAW装置)。此外，在弹性边界波装置，在激励电极上不需要空隙(振动空间)。换言之，罩不需具有框部和盖部，仅由I层形成即可。另外，在弹性边界波装置，可以兼用保护层和罩。 [0098]另外，在弹性波装置，保护层以及背面部不是必须的要件，可以省略。反之，弹性波装置可以追加位于框部与盖部之间的导电层、重叠于罩的顶面的金属性的加强层(在此，可以采用罩的一部分)等适当的层。另外，也可以元件基板上的焊盘与安装基板上的焊盘不是由凸块连接，而是在元件基板上的焊盘上设置贯通罩的柱状的端子，由凸块来连接该柱状的端子与安装基板上的焊盘。
[0099]元件基板、框部以及盖部的外缘的相对关系可以适当设定，填料的含有率或粒径彼此不同的区域也可以适当设定。图7~图9(b)示出例子。
[0100]在图7中，例不了:兀件基板3的第I主面3a未从罩9露出，另外，罩9仅具有由盖部19构成的第I顶面9a而不具有第2顶面9b的情况。
[0101]在第I顶面9a与安装面53a之间的区域AR1，仅分布有填料63 S，在其外侧的区域AR4，不仅分布有填料63S还分布有填料63L以及/或者63M(在图7中仅图示63L)。另外，填料63的含有率在区域AR4高于在区域ARl。
[0102]在图8(a)以及图8(b)中例示了:元件基板3的第I主面3a从罩9露出，但罩9仅具有由盖部19构成的第I顶面9a而不具有第2顶面9b的情况。
[0103]在图8(a)中，在第I顶面9a与安装面53a之间的区域AR1，仅分布有填料63S，在其外侧的区域AR5，不仅分布有填料63S还分布有填料63M以及/或者63L (在图8 (a)中仅图示63L)。另外，填料63的含有率在区域AR5高于在区域ARl。
[0104]在图8(b)中，在第I顶面9a与安装面53a之间的区域AR1，仅分布有填料63S，在第I主面3a与安装面53a之间的区域AR6，不仅分布有填料63S还分布有填料63M以及/或者63L (在图8 (a)中仅图示63L)，在其外侧的区域AR7，不仅分布有填料63S、填料63M以及/或者631^(在图8(&)中仅图示63L)，还分布有填料63LL。另外，填料63的含有率在区域AR6高于在区域AR1，在区域AR7高于在区域AR6。
[0105]关于填料63LL，其粒径I满足> Dlo粒径在与> Dl的条件不产生矛盾的范围内，为距离S3的一半以上，优选距离S3的2/3以上，或者，优选距离S3以上。例如，若距离S3为78 μ m,则粒径Dll为39 μ m以上(粒径Dl小于39 μ m)，优选为52 μ m以上(粒径队小于52 μ m)，或者，优选78 μ m以上。填料63LL的上限值例如为SAW装置I的总厚度的一半程度，作为一例，为300 μ m。
[0106]此外，在图8(b)的例子中，可以设为:仅填料63S以及63LL混入树脂61，在区域ARl以及AR6仅分布有填料63S，在区域AR7分布有填料63S以及63LL。[0107]图9(a)以及图9(b)中，仅是包含在树脂61中的填料63的粒径与实施方式不同。
[0108]在图9(a)中，在第I顶面9a与安装面53a之间的区域AR1，仅分布有填料63S，在其外侧的区域AR8，不仅分布有填料63S还分布有填料63M。即，未分布有填料63L，且在第I主面3a与安装面53a之间的区域、以及第2顶面9b与安装面53a之间的区域，填料63的分布没有不同。此外，填料63的含有率在区域AR8高于在区域ARl。
[0109]在图9(b)中，在第I顶面9a与安装面53a之间的区域AR1，仅分布有填料63S，在其外侧的区域AR9，分布有填料63S以及63M，在其更外侧的区域AR7，分布有填料63S、63M以及63LL。即，在第I主面3a与安装面53a之间的区域、以及第2顶面9b与安装面53a之间的区域，填料63的分布没有不同，但在这些的区域(AR9)与其外侧的区域AR7之间，填料63的分布不同。此外，填料63的含有率在区域AR9高于在区域AR1，在区域AR7高于在区域 AR9。
[0110]此外，在图9(b)的例子中，可以设为:仅填料63S以及63LL混入树脂61，在区域ARl以及AR9仅分布有填料63S，在区域AR7分布有填料63S以及63LL。另外，在图9(a)以及图9 (b)的例子中，可以是，仅填料63S以及63L混入树脂61，不管第2顶面9b是否存在，都设为与图8(a)同样的填料63的分布。另外，可以是，仅填料63 S、63L以及63LL混入树脂61，不管第2顶面9b是否存在都可以设为与图8(b)同样的填料63的分布。
[0111]尽管在实施方式中，将框部的外缘的平面形状和盖部的平面形状设为了相似形状，但也可以不将它们设为相似形状。图10(a)以及图10(b)示出不将这些平面形状设为相似形状的罩的例子。
[0112]在图10(a)的SAW装置101中，框部117不仅外缘形成为矩形，而且形成有使焊盘7露出的开口 117h。此外，在框部117，与图2的框部17同样地，形成有构成振动空间21的开口(由盖部119塞住，未图示)。另外，盖部119的平面形状在与框部117的外缘相同的矩形被设为形成有使开口 117h露出的缺口 119h的形状。而且，不仅由盖部119的顶面来构成第I顶面109a，而且由框部117的顶面当中从缺口 119h露出的部分来构成第2顶面109b。
[0113]在图10(b)的SAW装置201，框部117设为与图10(a)所示相同。盖部219设置为:按每个振动空间21 (由盖部219塞住，未图示)，形成为与振动空间21为相似形状。而且，由I个框部117和2个盖部219来构成I个罩209。此外，既可以将2个盖部219采用为一个盖部，反之，也可以将框部117由适当的虚拟线进行分割来采用，还可以采用按每个振动空间21来设置罩的方式。而且，不仅由盖部219的顶面来构成第I顶面209a，而且由框部117的顶面当中从盖部219露出的部分来构成第2顶面209b。
[0114]尽管在实施方式中，填料的含有率高的区域与含有粒径大的填料的区域一致，但也可以将它们设为不一致。同样，可以将填料的含有率高的区域、与填充密封部的间隙大的区域设为不一致。换言之，填料的含有率或粒径的调整不限于利用间隙的大小的变化来过滤含有填料的树脂。例如，通过将填料的含有率不同的树脂或填料的粒径不同的树脂依次提供至弹性波装置的周围，能使含有率或粒径在适当的位置发生变化。
[0115]弹性波装置的制造方法不限于实施方式中例示的方法。
[0116]例如，SAW装置可以相对于对安装基板进行批量生产的母基板进行安装。另外，在此情况下，SAff装置既可以在从对SAW装置进行批量生产的母基板切出后，相对于安装基板的母基板进行安装，也可以在切出前相对于安装基板的母基板进行安装。
[0117]另外，凸块可以不形成于SAW装置，而形成于安装基板。在此情况下，与形成于SAW装置的情况同样地，只要是在将SAW装置安装于安装基板前，则凸块既可以在将安装基板从安装基板的母基板切出前形成，也可以在切出后形成。
[0118]另外，在将上述的切出后的SAW装置安装于安装基板的母基板的情况下，作为密封部的材料(树脂以及填料)既可以在切断安装基板的母基板后供应，也可以在切断前供应。另外，在将上述的切出前的SAW装置安装于安装基板的母基板的情况下，作为密封部的材料既可以在将安装基板的母基板与SAW装置的母基板一起切断后供应，也可以仅在切断SAW装置的母基板后(安装基板的母基板的切断前)供应。
[0119]另外，例如，不需要振动空间的罩无需个别形成框部和盖部，可以通过一次的光刻等来一体形成罩整体。另外，例如，可以是，需要振动空间的罩在作为振动空间的区域形成牺牲层，其后，在牺牲层上形成作为罩的树脂层，从树脂层内溶解牺牲层，并使之流出，由此来予以形成。
[0120]符号说明
[0121]I…SAW装置(弹性波装置)、3…兀件基板、3a...第I主面、5…激励电极、9…罩、53...安装基板、53a…`安装面、59...密封部、61...树脂、63...填料。
【权利要求】
1.一种电子部件，具有: 安装基板，其具有安装面； 弹性波装置，其安装于所述安装面；和 密封部，其覆盖所述弹性波装置，且填充于所述弹性波装置与所述安装面之间， 所述弹性波装置具有: 兀件基板； 激励电极，其设置于所述元件基板的主面；和 罩，其覆盖所述激励电极， 所述弹性波装置按照使所述罩的顶面与所述安装面对置的方式安装于所述安装面， 所述密封部包含: 树脂；和 绝缘性的填料，其热膨胀率比所述树脂低， 在包含所述罩与所述安装面之间的区域的至少一部分在内的区域的所述填料的含有率不同于在其他的区域的所述填料的含有率。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中， 所述元件基板的所述主面在所述罩的外周露出， 较之于在所述罩与所述安装面之间，所述填料的含有率在所述主面与所述安装面之间更高。
3.根据权利要求2所述的电子部件，其中， 比分布于所述罩与所述安装面之间的填料的最大粒径更大的粒径的填料分布在所述主面与所述安装面之间。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的电子部件，其中， 所述罩具有: 第I顶面，其与所述安装面对置；和 第2顶面，其比所述第I顶面更远离所述安装面地与所述安装面对置， 较之于在所述第I顶面与所述安装面之间，所述填料的含有率在所述第2顶面与所述安装面之间更高。
5.根据权利要求4所述的电子部件，其中， 所述罩具有: 框部，其在所述元件基板的所述主面的俯视下包围所述激励电极；和 盖部，其重叠于所述框部以塞住所述框部的开口， 所述第I顶面由所述盖部的顶面构成，所述第2顶面由所述框部的顶面当中从所述盖部露出的部分构成。
6.根据权利要求5所述的电子部件，其中， 所述第2顶面由所述框部的顶面当中从所述盖部的外周侧露出的部分构成。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的电子部件，其中， 比分布于所述第I顶面与所述安装面之间的填料的最大粒径更大的粒径的填料分布在所述第2顶面与所述安装面之间。
8.—种电子部件，具有:安装基板，其具有安装面； 弹性波装置，其安装于所述安装面；和 密封部，其覆盖所述弹性波装置，且填充于所述弹性波装置与所述安装面之间， 所述弹性波装置具有: 元件基板； 激励电极，其设置于所述元件基板的主面；和 罩，其覆盖所述激励电极， 所述弹性波装置按照使所述罩的顶面与所述安装面对置的方式安装于所述安装面， 所述密封部包含: 树脂；和 绝缘性的填料，其热膨胀率比所述树脂低， 比分布于包含所述罩与所述安装面之间的区域的至少一部分在内的区域的填料的粒径更大的粒径的填料分布在其他的区域。
【文档编号】H03H9/25GK103703684SQ201280034704
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2012年7月27日 优先权日:2011年7月29日
【发明者】岩村和幸 申请人:京瓷株式会社