自偏置振荡器的制造方法

自偏置振荡器的制造方法
【专利摘要】在本文描述了自偏置振荡器。自偏置振荡器包括：具有可调节电阻或电容的第一微分器，第一微分器具有输出节点和输入节点；以及具有可调节电阻或电容的第二微分器，第二微分器具有耦合到第一微分器的输出节点的输入节点并具有耦合到第一微分器的输入节点的输出节点。
【专利说明】自偏置振荡器

【背景技术】
[0001、]传统电压控制振荡器（VCO)展示了取决于被提供到VCO的电源水平的振荡频率。 当电源水加时，振荡频率增加 ，因为形成vco的延迟元件变得更快。同样，当电源水平 降低时，振荡频率降低。这样的传统vco展示可导致vco的输出中的噪声/抖动的电源噪 声敏感性。 ~

【专利附图】

【附图说明】
[0002]从下面给出的详细描述中和从本公开的各种实施例的附图中将更充分地理解本 公开的实施例，然而这不应被理解为将本公开限制到特定的实施例，而是仅为了解释和理 解。
[0003]图1是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器的高级电路。
[0004]图2是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器。
[0005]图3是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器的电压控制电阻设备。
[0006]图4是根据本公开的另一实施例的自偏置振荡器的电压控制电阻设备。 _7]图5是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器的数字控制电阻设备。
[000S]图6是根据本公开的一个实施例的具有自偏置振荡器的锁相环路（PLL)。
[0009]图7是根据本公开的一个实施例的具有自偏置振荡器的数字锁相环路（DPLL)。 [0010]图8是根据本公开的一个实施例的包括具有自偏置振荡器的处理器的智能设备 的系统级视图。

【具体实施方式】
[0011]传统电压控制振荡器（VCO)(例如基于反相器的环形振荡器、伪微分反相器环、自 偏置电流模式逻辑（CML)环等）展示出对电源噪声的高敏感性。对电源噪声的高敏感性转 换到在由VCO产生的振荡信号中的抖动和噪声。为了补偿电源噪声的高敏感性，传统振荡 器在尺寸（W/L)上被制造得更大，从而导致较高的功耗和面积。
[0012] 环形振荡器拓扑由于其大的频率调谐范围而常常用在锁相环路（PLL)中，然而当 该环形振荡器拓扑涉及噪声抑制时具有差的性能（如电源抑制比所定义的）。自偏置微分 环形振荡器具有比基于反相器的传统环形振荡器更好的噪声抑制，然而以相当大的功率/ 面积成本为代价。这些环形振荡器的差性能是因为这些振荡器的振荡频率（f。）是其电源 (Vcc)的直接函数。这样的传统振荡器的振荡频率（f。）可被表示为： ? _3] f〇-N.C.Vcc
[0014] 其中，"N"是振荡器的延迟级的数量，且其中" I"是穿过振荡器的输出电容"C"的 电流。上面的方程说明f。与电源Vcc成反比。在电源Vcc上的任何噪声均可转换到在具 有频率f。的振荡信号上的抖动和噪声。
[0015] 在本文讨论的自偏置振荡器提供比传统VC0更好的电源抑制，因为自偏置振荡器 的输出的振荡频率不是自偏置振荡器的延迟元件或放大器的电源或增益的函数（或不是 强函数）。在一个实施例中，自偏置振荡器被其反馈电阻器自偏置。本文讨论的自偏置振荡 器比伪微分反相器环形振荡器或自偏置CML环形振荡器消耗少得多的功率，并比传统振荡 器消耗更少的面积。自偏置振荡器可在包括模拟脉冲锁相环路和数字锁相环路的任何振荡 器使用模型中使用。本文讨论的自偏置振荡器包括反相器、可变电阻和/或电容，这使设计 简单且对加工技术是高度可升级的。本文讨论的实施例设想其它技术效果。
[0016] 术语"标度（scaling) "在这里通常指将电路设计和布局从一种工艺技术转移到另 一工艺技术。
[0017] 在下面的描述中，讨论了很多细节以提供对本公开的实施例的更彻底的解释。然 而对于本领域技术人员明显的是，本公开的实施例可在没有这些特定细节的情况下被实 施。在其它实例中，公知的结构和设备以方框图形式而不是详细示出，以便避免使本公开的 实施例难理解。
[0018] 注意，在实施例的相应附图中，用线表示信号。一些线可以更粗，以指示更多的组 成信号路径，和/或具有在一端或多端处的箭头以指示主要信息流方向。这样的指示并不 旨在为限制性的。更确切地，线结合一个或多个实施例使用，以便于更容易理解电路或逻辑 单元。如设计需要或偏好指示的，任何所表示的信号可实际上包括可在任一方向上行进的 一个或多个信号，并可使用任何适当类型的信号方案来实现。
[0019] 在整个说明书中和权利要求中，术语"连接"意味着在所连接的事物之间的直接电 连接，而没有任何中间设备。术语"耦合"意指在所连接的事物之间的直接电连接或通过一 个或多个无源或有源中间设备的间接连接。术语"电路"意指布置成彼此协作以提供期望 功能的一个或多个无源和/或有源部件。术语"信号"意指至少一个电流信号、电压信号和 /或数据/时钟信号。"一"、"一个"和"该"的含义包括多个所指对象。"在…中"的含义包 括"在…中"和"在…上"。
[0020] 如在本文使用的，除非另有规定，描述公共对象的顺序形容词"第一"、"第二"和 "第三"等的使用仅表示相似的对象的不同实例被提及且并不旨在暗示如此描述的对象必 须在时间上、在空间上、在等级上或以任何其它方式以给定的顺序。术语"基本上"在本文 指在目标的10%内。
[0021] 为了本文描述的实施例的目的，晶体管是金属氧化物半导体（M0S)晶体管，其包 括漏极、源极、栅极和体端子。源极和漏极端子可以是相同的端子，并在本文可互换地使用。 本领域技术人员将认识到，在不偏离本公开的范围的情况下，可使用其它晶体管，例如双极 结晶体管-BJTPVN/NPN、BiCMOS、CMOS、eFET等。术语"MN"在本文表示η型晶体管（例 如NMOS、NPN BJT等），且术语"ΜΡ"表示ρ型晶体管（例如pm〇S、PNP BJT等）。
[0022]图1是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器1〇〇的高级电路。在一个实施例 中，自偏置振汤器100包括稱合到形成振荡器的第二微分器102的第一微分器101。第一微 分器101和第一微分器1〇2是提供与输入的时间导数成比例的输出的电路。
[0023]在这个实施例中，第一微分器101的输出节点Out耦合到第二微分器102的输入， 且第二微分器102的输出节点耦合到第一微分器的输入节点。在一个实施例中，第一微分 器101和第二微分器102由电源供电。电源的噪声对振荡器1〇〇的振荡频率有很少或没有 影响。
[0024]在一个实施例中，第一微分器的增益或传递函数与第二微分器的增益或传递函数 相同。在另一实施例中，第一微分器的增益或传递函数不同于第二微分器的增益或传递函 数。
[0025]本文讨论的电路100在输出节点Out上产生信号以具有振荡频率。在一个实施例 中，控制信号Vctrl分别被输入到第一和第二微分器101和102,以调节在输出节点 〇ut上 的信号的振荡频率。在一个实施例中，控制信号Vctrl是模拟信号以控制晶体管的电阻和/ 或电容。在另一实施例中，控制信号Vctrl是数字总线，以分别导通/截止在第一和第二微 分器101和102中的多个晶体管，以分别改变第一和第二微分器 1〇1和1〇2的电阻和z或 电容。
[0026]图2是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器2〇〇。在一个实施例中，第一和 弟一微分器101和102中的每个分别包括：如所不锅合在一起的放大器201和211、电阻设 备202和212以及电各设备 2〇3和2丨3。在一个实施例中，具有电阻的电阻设备202和 212稱合在放大器201和211的输出节点与放大器201和211的输入节点之间。在一个实 施例中，可借助于控制信号Vctrl来调节电阻设备202和212的电阻R f。
[0027]例如，晶体管用于提供有效电阻Rf，其中控制信号耦合到晶体管的栅极并控制晶 体管的电阻。在另一实施例中，晶体管耦合到用于提供电阻Rf的无源电阻器或有源电阻器 (例如总是导通晶体管），其中控制信号耦合到晶体管的栅极并控制晶体管的电阻和因而 组合的电阻R f (无源或有源电阻器和晶体管的组合电阻）。在另一实例中，控制信号是导通 /截止彼此并联耦合在一起的任何数量的晶体管以提供电阻心的数字总线。在一个实施例 中，只有晶体管提供有效电阻R f，g卩，没有耦合到晶体管的无源电阻器。
[0028]在一个实施例中,放大器201和211具有-A的增益（其中A = Vo/Vin)。在一个 实施例中，放大器201和211是具有串联耦合到n型设备的p型设备的反相器。在另一实 施例中，放大器201和211是运算放大器（0ΡΑΜΡ)。在其它实施例中，可使用其它形式的放 大器。
[0029]在一个实施例中，电容设备2〇3和213具有相应的第一和第二端子，它们相应的第 一端子耦合到放大器201和211的输入端204和214。电容设备203和213的第二端子形 成相应的第一和第二微分器101和102的输入端。在这个实施例中，（第二微分器1〇2的） 电容设备 213的第二端子耦合第一微分器101的输出节点Out。在这个实施例中，电容设备 2〇3的第二端子耦合到第二微分器 1〇2的输出端子In (也是第一微分器1〇ι的输入端子）。 [0030] 在本文讨论的实施例中，电容设备203和213具有C f的电容。在一个实施例中， 电容设备203和213是无源设备。在其它实施例中，电容设备203和213由在电容模式中 操作的有源设备（例如晶体管）形成。在其它实施例中，电容设备203和213被实现为任 何已知设计的变容二极管。在一个实施例中，通过使被称为金属电容器的金属层交错来实 现电容设备2〇 3和213。在其它实施例中，通过使金属层和在电容模式中可操作的有源晶体 管交错来实现电容设备2〇 3和213。在一个实施例中，电容设备203和213具有由控制信 号Vctrl或仅用于电容设备203和213的另一控制信号（未示出）控制的可变电容，该另 一控制信号不同于调节R f的控制电压。
[0031] 在一个实施例中，电阻设备202和212及电容设备203和213都具有由控制信号例 如（并包括）Vctrl可控制的相应的可变电阻和电容。在另一实施例中，只有电阻设备202 和212具有由控制信号（例如（并包括）Vctrl)可控制的可变电阻，而电容设备203和213 的电容具有固定的电容。在另一实施例，只有电容设备203和213具有由控制信号（例如 (并包括）Vctrl)可控制的可变电容，而电阻设备（202和212)的电阻具有固定的电阻。 [0032] 包括作为放大器201和211的反相器的第一微分器1〇1和/或第二微分器1〇2的 下面的小信号分析示出如图1和图2所示由耦合在一起的第一微分器101和第二微分器 1〇2形成的振荡器产生具有振荡频率的输出信号（在输出节点Out上），该振荡频率不是放 大器201和211的电源或增益的函数。
[0033] 第一微分器101和/或第二微分器102的S域中的传递函数可被表示为： 「00341 --- L0034」^ s + Amfij
[0035] 其中"A"是反相器201或211的增益，其被表示为反相器的p型和η型晶体管的 跨导的和之比，即，（gm+gJAg^+gJ，其中V。是节点Out处的输出电压，而 Vi是在节点In 处的输入电压，其中Rf是反馈电阻器2〇2/212的有效电阻，且其中Cf是电容设备203/213 的有效电容。
[0036] 根据对振荡的Bark-Hausen标准，下式被满足：
[0037] l+H(s)*H(s) = 0
[0038] 对上面的方程求解导致： %Λ
[0039] s -9- - Η 飞---- {^+\)R,Cf +\){RfCf)2
[0040] 假设A2>>1，对上述方程的解产生两个右半平面极对，给出为： -1 f 1 )
[0041] - 7*·^ ^\Λ J
[0042] 这说明振荡将开始，且然后极对将移动到在右半平面和左半平面之间的线，所以 振荡被维持。自偏置振荡器100/200的振荡频率被给出为：
[0043] k -
[0044] 本文的分析说明自偏置振荡器100/2〇0的振荡频率取决于第一微分器1〇2和/或 第二微分器102的相应的反馈电阻器202/212和电容设备203/213的电阻Rf和电容Cf。 [0045] 本文的分析说明在具有取决于电源电压（Vcc)的振荡频率的传统环形振荡器之 间的基本差异，且因此传统环形振荡器容易受到来自电源噪声的抖动。
[0046]图3是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器100/200的电压控制电阻设备 3〇0/2〇2/212。参考图1_2描述了图3的实施例。在这个实施例中，电阻设备300/202/212 包括晶体管，其栅极端子耦合到控制信号Vctrl。虽然本文的实施例讨论了 ^型晶体管MN1， 但也可使用能够响应于改变控制信号Vctrl的电压电平而提供可调节电阻的任何晶体管。 [00 47]例如在一个实施例中，晶体管是p型晶体管。在另一实施例中，晶体管是p型和n 型晶体管（例如传输通过栅极）的组合。虽然本文的实施例示出单个晶体管MN1，彼此串联 或并联的多个晶体管可被使用并由控制信号Vctrl控制以提供可调节电阻。
[0048]在一个实施例中，具有可调节电阻的晶体管与另一电阻设备(^串联耦合以提供有 ?电！1实細中，幢设SRl具有酸电阻。在另-实細中，使用无源帷 器（例^电阻器或分立电阻器；)来实现帷设备心。在其它实施例中，可使用电阻设备 氏的其它实现方式。例如，电阻设备&是总是导通的晶体管。在一个实施例中不使用电 阻设备 Rl，且有效电阻Rf由晶体管眶提供。 士
[0049] _ 4是根据本公开的另-实施例的自偏置振荡器1〇〇/2〇〇触压控制电阻设备 400/2〇2^212。参考图丨―2描述图4。在该实施例中，将提供可调节电阻的晶体管并联耦合 到帷设^以提供有效帷Rf。在一个实施例中，不棚电阻设备&，且有效电阻心由 并联晶体管提供。
[0050]虽然本文的实施例描述η型晶体管MN1，可使用能够响应于改变控制信号Vctrl的 电压电平而提供可调节电阻的任何晶体管。
[0051] 〃例如在一个实施例中，晶体管是？型晶体管。在另一实施例中，晶体管是p型和n 型晶体管（例如传输通过栅极）的组合。虽然本文的实施例示出单个晶体管MN1，彼此串联 或并联的多个晶体管可被使用并由控制信号 Vctrl控制以提供可调节电阻。
[0052]在一个实施例中，电阻设备&具有固定电阻。在另一实施例中，使用无源电阻器 (例如多电阻器或分ΛΔ电阻器）来实现电阻设备&。在其它实施例中，可使用电阻设备Ri 的其它实现方式。例如，电阻设备Rl是总是导通的晶体管。
[0053]图5是根据本公开的一个实施例的自偏置振荡器100/200的数字控制电阻设备 500/202/212。参考图1-2描述图5。在这个实施例中，多个数字控制晶体管耦合在一起以 提供可调节电阻，并耦合到电阻设备&以提供有效电阻 Rf。在一个实施例中，不使用电阻 设备&且数字控制晶体管提供有效电阻Rf。
[0054]在该实施例中，控制信号Vctrl是"N"位的数字总线Vctrl_digital[l:N]，其中 "N"是大于或等于1的整数。在一个实施例中，数字总线Vctrl_digital[1:N]的每个位耦 合到晶体管的栅极端子，其可根据所耦合的位信号的信号电平而导通或截止。
[0055]虽然本文的实施例描述了并联的η型晶体管MN1,可使用能够响应于改变控制信 号Vctrl的电压电平来提供可调节电阻的任何晶体管。例如，在一个实施例中，晶体管是ρ 型晶体管。在另一实施例中，晶体管是ρ型和η型晶体管（例如，传输通过栅极）的组合。 虽然本文的实施例示出与电阻设备札串联的晶体管丽丨-N，晶体管丽丨―Ν可与电阻设备& 并联。
[0056]在一个实施例中，电阻设备&具有固定电阻。在另一实施例中，使用无源电阻器 (例如多电阻器或分立电阻器）来实现电阻设备&。在其它实施例中，可使用电阻设备Ri 的其它实现方式。例如，电阻设备&是总是导通的晶体管。
[0057]图6是根据本公开的一个实施例的具有自偏置振荡器100/2〇〇的锁相环路 (PLL)600。在一个实施例中，PLL 600包括相位检测器601、电荷泵、滤波器603、振荡器100 和分频器605。为了不模糊本公开的实施例，示出了简化的p LL 600,而未详细示出。
[0058] 在这个实施例中，自偏置振荡器100/200用作PLL 600的电压控制振荡器，其中 自偏置振荡器100/200提供电压可调节输出时钟信号，该电压可调节输出时钟信号对于在 自偏置振荡器100/200的电源上的电源噪声具有小的或无敏感性。在一个实施例中，相位 检测器601比较参考时钟信号与通过由分频器 605划分输出时钟信号而产生的反馈时钟信 号。在一个实施例中，相位检测器601的输出是up/dn信号，其表示反馈时钟信号的相位是 否在参考时钟信号的相对相位前面或后面。任何已知的相位检测器架构可用于实现相位检 测器601。
[0059] 在一个实施例中，相位检测器6〇1的输出（up/dn)信号由电荷泵602接收。在一个 实施例中，电荷泵6〇2产生指示控制电压Vctrl是否应相对于其以前的值升高或降低的电 流或电压（例如，vcp)。在本文可使用任何已知的电荷泵。在一个实施例中，电荷栗的输出 vcp由模拟滤波器（例如RC网络）过滤，以产生控制信号Vctrl来控制电阻设备202/212 的电阻和/或电容以及自偏置振荡器100/2〇〇的电容设备2〇3/213。在一个实施例中，电阻 设备是参考图3-4讨论的设备。
[0060] 图7是根据本公开的一个实施例的具有自偏置振荡器100/200的数字锁相环 路（DPLL)7〇0。在一个实施例中，DPLL 700包括相位检测器601、控制器或有限状态机 (FSM)7〇l、数字滤波器7〇 2、数字自偏置振荡器1〇〇/2〇〇和分频器6〇5。为了不模糊本公开 的实施例，示出简化的DPLL 7〇0,而未详细示出。在一个实施例中，数字锁相环路是全数字 锁相环路（ADPLL)。
[0061] 在这个实施例中，自偏置振荡器100/2〇〇用作DPLL 700的数字控制振荡器，其中 自偏置振荡器100/200提供电压可调节输出时钟信号，该电压可调节输出时钟信号对自 偏置振荡器100/200的电源电压具有小的或没有敏感性。在一个实施例中，相位检测器 601 (如参考图6讨论的）比较参考时钟信号与通过由分频器605划分输出时钟信号而产生 的反馈时钟信号。在一个实施例中，相位检测器601的输出是up/dn信号，其表示反馈时钟 信号的相位是否在参考时钟信号的相对相位前面或后面。
[0062] 在一个实施例中，相位检测器6〇1的输出up/dn信号由控制器701接收，该控制器 701产生指示自偏置DC0 (数字控制振荡器）100/200的阶跃尺寸和振荡频率设置的数字代 码。在一个实施例中，控制器7〇1的输出代码由过滤代码中的噪声的数字滤波器702接收 并产生如参考图5描述的Vctrl_digital[l:N]信号。DC0 100/200的输出接着由分频器 605划分用于比较反馈信号与参考时钟信号。
[0063]参考振荡器性能参数，与传统反相器环形振荡器、伪微分反相器环形振荡器、自偏 置CML环形振荡器比较，本文讨论的实施例提供几个意想不到的结果。
[0064] 例如，本文讨论的实施例提供较低电源噪声抑制、较低峰间抖动、较低功耗、较低 Kvcc GHz/V、较低Kvctrl GHz/V和Kvctrl/Kvcc的较高比，其中Kvcc是相对于电源电压 (Vcc)的变化的振荡频率增益，且其中Kvctrl是相对于控制电压Vctrl的变化的振荡器的 频率增益。
[0065] 表1提供包括自偏置振荡器100/200的四个不同的振荡器的性能参数的比较。从 顶部起的三个振荡器是传统振荡器。性能结果基于IV电源（Vcc)和可操作来提供2-6GHZ 的振荡频率范围的振荡器。
[0066] 参数I(vcc)指示由振荡器消耗的电流以提供在相同的电源电平处的相同振荡频 率。参数"PSN"指示对相同的电源注入噪声的以皮秒为单位的峰间抖动。参数Kvcc是相 对于电源电压（Vcc)的变化的振荡频率增益。参数Kvctrl是相对于控制电压Vctrl的变 化的振荡器的频率增益。参数KVctrl/Kvcc关于控制敏感性是电源敏感的。
[0067] 表1:性能参数的比较
[0068]

【权利要求】
1. 一种装置，包括： 第一微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第一微分器具有输出节点和输入节点；以 及 第二微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第二微分器具有耦合到所述第一微分器 的输出节点的输入节点，并具有耦合到所述第一微分器的输入节点的输出节点。
2. 如权利要求1所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器包括： 放大器，其具有输入节点和输出节点；以及 电阻设备，其具有耦合到所述放大器的输入节点的节点。
3. 如权利要求1或2中的任一项所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器 包括： 可切换设备，其串联或并联地耦合到所述电阻设备，其中所述可切换设备具有耦合到 所述放大器的输出节点的节点。
4. 如权利要求3所述的装置，其中所述可切换设备具有由控制信号可控制的电阻。
5. 如权利要求1所述的装置，其中所述电阻设备具有由控制信号可控制的电阻。
6. 如权利要求2所述的装置，其中所述放大器是反相器或运算放大器（OPAMP)。
7. 如权利要求1所述的装置，其中所述第一微分器包括： 电容设备，其具有耦合到所述第一微分器的输入节点的第一节点和耦合到放大器的输 入端的第二节点。
8. 如权利要求2或7中的任一项所述的装置，其中所述电容设备是具有由控制信号可 控制的电容的变容二极管。
9. 如权利要求2或7中的任一项所述的装置，其中所述电容设备的第一节点耦合到所 述第二微分器的输出节点。
10. 如权利要求1所述的装置，其中所述第二微分器包括： 电容设备，其具有耦合到所述第二微分器的输入节点的第一节点和耦合到放大器的输 入端的第二节点。
11. 如权利要求2或10中的任一项所述的装置，其中所述电容设备是具有由控制信号 可控制的电容的变容二极管。
12. 如权利要求2或10中的任一项所述的装置，其中所述电容设备的第一节点耦合到 所述第二微分器的输出节点。
13. 如权利要求1所述的装置，还包括用于产生控制信号以调节所述第一微分器和所 述第二微分器的电阻或电容的电路。
14. 如权利要求1所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器耦合在一起用 于作为振荡器来操作。
15. 如权利要求1所述的装置，其中所述第一微分器的输出节点具有输出信号，所述输 出信号具有与被提供到所述第一微分器的放大器的电源无关的振荡频率。
16. -种装置包括： 第一微分器；以及 第二微分器，其耦合到所述第一微分器以形成振荡器，所述振荡器具有与所述第一微 分器和所述第二微分器的电源无关的振荡频率。
17. 如权利要求16所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器包括： 放大器，其具有输入节点和输出节点；以及 电阻设备，其具有耦合到所述放大器的输入节点的节点。
18. 如权利要求17所述的装置，其中所述第一微分器和所述第二微分器包括： 可切换设备，其串联或并联地耦合到所述电阻设备，其中所述可切换设备具有耦合到 所述放大器的输出节点的节点。
19. 如权利要求17所述的装置，其中所述电阻设备具有由控制信号可控制的电阻。
20. 如权利要求17所述的装置，其中所述放大器是反相器或运算放大器（OPAMP)。
21. -种系统，包括： 无线天线；以及 处理器，其可操作来经由所述无线天线与其它设备通信，所述处理器包括振荡器，所述 振荡器包括； 第一微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第一微分器具有输出节点和输入节点；以 及 第二微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第二微分器具有耦合到所述第一微分器 的输出节点的输入节点，并具有耦合到所述第一微分器的输入节点的输出节点。
22. 如权利要求21所述的系统，其中所述振荡器是根据装置权利要求2到15中的任一 项。
23. 如权利要求21所述的系统，还包括显示单元。
24. -种系统，包括： 无线天线；以及 处理器，其可操作来经由所述无线天线与其它设备通信，所述处理器包括振荡器，所述 振荡器包括； 第一微分器；以及 第二微分器，其耦合到所述第一微分器以形成振荡器，所述振荡器具有与所述第一微 分器和所述第二微分器的电源无关的振荡频率。
25. 如权利要求24所述的系统，其中所述振荡器是根据装置权利要求16到20中的任 一项。
26. 如权利要求24所述的系统，还包括显示单元。
27. -种电路，包括： 相位检测器，其比较参考时钟信号和反馈信号的相位；以及 振荡器，其直接或间接地产生所述反馈信号，所述振荡器包括： 第一微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第一微分器具有输出节点和输入节点；以 及 第二微分器，其具有可调节电阻或电容，所述第二微分器具有耦合到所述第一微分器 的输出节点的输入节点，并具有耦合到所述第一微分器的输入节点的输出节点。
28. 如权利要求27所述的电路，其中所述振荡器是根据装置权利要求1到15中的任一 项。
29. -种电路，包括： 相位检测器，其比较参考时钟信号和反馈信号的相位；以及 振荡器，其直接或间接地产生所述反馈信号，所述振荡器包括： 第一微分器；以及 第二微分器，其耦合到所述第一微分器以形成振荡器，所述振荡器具有与所述第一微 分器和第二微分器的电源无关的振荡频率。
30.如权利要求29所述的电路，其中所述振荡器是根据装置权利要求16到20中的任 一项。
【文档编号】H03K3/354GK104285375SQ201280071591
【公开日】2015年1月14日 申请日期:2012年3月19日 优先权日:2012年3月19日
【发明者】T·苏梅萨拉姆 申请人:英特尔公司