一种感光电压比较电路的制作方法

文档序号:7527131阅读:149来源:国知局
一种感光电压比较电路的制作方法
【专利摘要】一种感光电压比较电路,涉及电压比较电路领域,所述电路包括:第一二极管、第一电阻、第五电阻和第十电阻;当第二光信号强度大于第一光信号强度时,所述第二光信号经由第三二极管、第二光耦、第九电阻到地,所述第二光耦导通;当第一光信号强度大于第二光信号强度时,所述第一光信号经由第四二极管、第一光耦、第三电阻到地,第一光耦导通。该感光电压比较电路结构简单,不需要调零,且本发明只是通过二极管、三极管和光耦实现了电压比较,本发明降低了生产成本,避免了由于采用运放产生的干扰问题,提高了输出信号的精度。
【专利说明】—种感光电压比较电路

【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及电压比较电路领域,尤其涉及一种感光电压比较电路。

【背景技术】
[0002]电压比较器它可用作模拟电路和数字电路的接口,还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波。
[0003]简单的电压比较器结构简单,灵敏度高,但是抗干扰能力差,因此需要对它们进行改进。改进后的电压比较器有:滞回比较器和窗口比较器等。
[0004]现有的电压比较电路通常由运放电路组成,存在抗干扰能力差的问题,使得输出给微控制器的信号精度不高。


【发明内容】

[0005]本发明提供了一种感光电压比较电路,本发明避免了抗干扰能力差,提高了输出信号的精度,详见下文描述:
[0006]一感光电压比较电路,包括:5V电源,所述5V电源连接第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极分别连接第一电阻、第五电阻和第十电阻;
[0007]所述第一电阻分别连接第一三极管的集电极、第二三极管的基极;所述第一三极管的基极接第一光信号;所述第一三极管的发射极通过第二电阻接地;所述第二三极管的发射极接第二二极管的阳极,所述第二二极管的阴极通过第三电阻接地;
[0008]所述第二二极管的阴极连接第三二极管的阳极,所述第三二极管的阴极连接第四二极管的阴极,所述第四二极管的阳极分别连接第五二极管的阴极和第九电阻;所述第五二极管的阳极接第三三极管的发射极;所述第三三极管的基极分别连接第四三极管的集电极和第十电阻;所述第四三极管的基极接另一第二光信号;所述第四三极管的发射极接第H 电阻;
[0009]所述第一三极管、所述第二三极管、所述第三三极管、所述第四三极管工作在甲类状态,所述第二二极管、所述第五二极管为反向截止二极管,两路光信号经由所述第二三极管、所述第三三极管二次放大后分别与第三二极管、第四二极管连接;
[0010]当第二光信号强度大于第一光信号强度时,所述第二光信号经由第三二极管、第二光耦、第九电阻到地,所述第二光耦导通;
[0011]当第一光信号强度大于第二光信号强度时,所述第一光信号经由第四二极管、第一光耦、第三电阻到地,第一光耦导通。
[0012]所述第一二极管为反向截止二极管;所述第一电阻、所述第二电阻为所述第一三极管的偏置电阻;所述第三电阻为所述第二三极管的发射极偏置电阻;
[0013]所述第十电阻和所述第十一电阻为所述第四三极管的偏置电阻。
[0014]所述第五电阻为所述第二三极管、所述第三三极管的集电极共用的偏置电阻;所述第九电阻为所述第三三极管的发射极偏置电阻;
[0015]所述第二二极管、所述第五二极管为反向截止二极管。
[0016]所述第一光耦还连接第四电阻、第六电阻,所述第四电阻、所述第六电阻为第一光耦的偏置电阻;
[0017]所述第二光耦还连接第七电阻、第八电阻,所述第七电阻、所述第八电阻为第二光耦的偏置电阻。
[0018]本发明提供的技术方案的有益效果是:该感光电压比较电路结构简单,不需要调零,且本发明只是通过二极管、三极管和光耦实现了电压比较,输出了精确信号至后续的微控制器中,降低了生产成本,避免了由于采用运放产生的干扰问题。

【专利附图】

【附图说明】
[0019]图1为感光电压比较电路电路结构图。
[0020]附图中,各标号所代表的部件列表如下:
[0021]Dl:第一二极管;R51:第一电阻;
[0022]R55:第五电阻;R60:第十电阻;
[0023]Ql:第一三极管;Q2:第二三极管;
[0024]R52:第二电阻;D2:第二二极管;
[0025]R53:第三电阻;D3:第三二极管;
[0026]D4:第四二极管;D5:第五二极管;
[0027]R59:第九电阻;Q3:第三三极管;
[0028]Q4:第四三极管;R61:第i^一电阻;
[0029]T2:第二光耦;Tl:第一光耦;
[0030]R54:第四电阻;R56:第六电阻;
[0031]R57:第七电阻;R58:第八电阻。

【具体实施方式】
[0032]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0033]参见图1,一种感光电压比较电路,包括:5V电源,5V电源连接第一二极管Dl的阳极,第一二极管Dl的阴极分别连接第一电阻R51、第五电阻R55和第十电阻R60,第一二极管Dl为反向截止二极管;第一电阻R51分别连接第一三极管Ql的集电极、第二三极管Q2的基极;第一三极管Ql的基极接第一光信号;第一三极管Ql的发射极通过第二电阻R52接地,第一电阻R51、第二电阻R52为第一三极管Ql的偏置电阻;第二三极管Q2的发射极接第二二极管D2的阳极,第二二极管D2的阴极通过第三电阻R53接地,第三电阻R53为第二三极管Q2的发射极偏置电阻;
[0034]第二二极管D2的阴极连接第三二极管D3的阳极,第三二极管D3的阴极连接第四二极管D4的阴极,第四二极管D4的阳极分别连接第五二极管D5的阴极和第九电阻R59 ;第五二极管D5的阳极接第三三极管Q3的发射极;第三三极管Q3的基极分别连接第四三极管Q4的集电极和第十电阻R60 ;第四三极管Q4的基极接另一第二光信号;第四三极管Q4的发射极接第十一电阻R61,第十电阻R60和第十一电阻R61为第四三极管Q4的偏置电阻;
[0035]第五电阻R55为第二三极管Q2、第三三极管Q3的集电极共用的偏置电阻;第九电阻R59为第三三极管Q3的发射极偏置电阻;第一三极管Ql、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4工作在甲类状态,第二二极管D2、第五二极管D5为反向截止二极管,左右两路光信号经由第二三极管Q2、第三三极管Q3 二次放大后分别与第三二极管D3、第四二极管D4连接;
[0036]当第二光信号强度大于第一光信号强度时,第二光信号经由第三二极管D3、第二光率禹T2、第九电阻R59到地,第二光稱T2导通,有信号输出到下一部分,微控制器;
[0037]当第一光信号强度大于第二光信号强度时,第一光信号经由第四二极管D4、第一光率禹Tl、第三电阻R53到地,第一光稱Tl导通,有信号输出到下一部分,微控制器;
[0038]其中,第一光耦TI还连接第四电阻R54、第六电阻R56,第四电阻R54、第六电阻R56为第一光耦Tl的偏置电阻;第二光耦T2还连接第七电阻R57、第八电阻R58,第七电阻R57、第八电阻R58为第二光耦T2的偏置电阻。
[0039]具体实现时,当该感光电压比较电路用在太阳能跟踪系统时,第一信号和第二信号可以为两个水平感光信号,也可以为两个仰角感光信号。即太阳能跟踪系统中包括2个感光电压比较电路,分别为仰角感光电压比较电路与水平感光电压比较电路,2个感光电压比较电路分别输出信号至微控制器,微控制根据输入的信号输出相应的控制信号驱动电机的转动,进而带动太阳能电池板的移动,实现对太阳光的精确跟踪。
[0040]本发明实施例对各器件的型号除做特殊说明的以外,其他器件的型号不做限制,只要能完成上述功能的器件均可。
[0041]本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施例的示意图,上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
[0042]以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种感光电压比较电路,包括:5V电源,其特征在于,所述5V电源连接第一二极管的阳极,所述第一二极管的阴极分别连接第一电阻、第五电阻和第十电阻; 所述第一电阻分别连接第一三极管的集电极、第二三极管的基极;所述第一三极管的基极接第一光信号;所述第一三极管的发射极通过第二电阻接地;所述第二三极管的发射极接第二二极管的阳极,所述第二二极管的阴极通过第三电阻接地; 所述第二二极管的阴极连接第三二极管的阳极,所述第三二极管的阴极连接第四二极管的阴极,所述第四二极管的阳极分别连接第五二极管的阴极和第九电阻;所述第五二极管的阳极接第三三极管的发射极;所述第三三极管的基极分别连接第四三极管的集电极和第十电阻;所述第四三极管的基极接另一第二光信号;所述第四三极管的发射极接第十一电阻; 所述第一三极管、所述第二三极管、所述第三三极管、所述第四三极管工作在甲类状态,所述第二二极管、所述第五二极管为反向截止二极管,两路光信号经由所述第二三极管、所述第三三极管二次放大后分别与第三二极管、第四二极管连接; 当第二光信号强度大于第一光信号强度时,所述第二光信号经由第三二极管、第二光耦、第九电阻到地,所述第二光耦导通; 当第一光信号强度大于第二光信号强度时,所述第一光信号经由第四二极管、第一光耦、第三电阻到地,第一光耦导通。
2.根据权利要求1所述的一种感光电压比较电路,其特征在于, 所述第一二极管为反向截止二极管;所述第一电阻、所述第二电阻为所述第一三极管的偏置电阻;所述第三电阻为所述第二三极管的发射极偏置电阻; 所述第十电阻和所述第十一电阻为所述第四三极管的偏置电阻。
3.根据权利要求1所述的一种感光电压比较电路,其特征在于, 所述第五电阻为所述第二三极管、所述第三三极管的集电极共用的偏置电阻;所述第九电阻为所述第三三极管的发射极偏置电阻; 所述第二二极管、所述第五二极管为反向截止二极管。
4.根据权利要求1所述的一种感光电压比较电路,其特征在于, 所述第一光耦还连接第四电阻、第六电阻,所述第四电阻、所述第六电阻为第一光耦的偏置电阻; 所述第二光耦还连接第七电阻、第八电阻,所述第七电阻、所述第八电阻为第二光耦的偏置电阻。
【文档编号】H03K5/22GK104320113SQ201410570684
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2014年10月23日 优先权日:2014年10月23日
【发明者】卜凤悦 申请人:天津市畅悦电子科技有限公司
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