一种移相式低噪音倍频器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种移相式低噪音倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路组成，其特征在于：在锁相环电路输出端还设置有相位处理电路；所述的相位处理电路由移相芯片U1，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R12，负极经电阻R11后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C13等组成。本发明设置有相位处理电路，其能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。
【专利说明】一种移相式低噪音倍频器
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域，具体是指一种移相式低噪音倍频器。
【背景技术】
[0002]倍频器使输出信号频率等于输入信号频率整数倍的电路。随着电子技术的不断发展，倍频器应用越来越广泛，如发射机采用倍频器后可使主振器振荡在较低频率，以提高频率稳定度；调频设备用倍频器来增大频率偏移；在相位键控通信机中，倍频器是载波恢复电路的一个重要组成单元。然而目前使用的倍频器因产生大量谐波使输出信号相位不稳定，从而使倍频器噪音过大。其倍频次数越高，倍频噪声就越大，使倍频器的应用受到限制，由其在要求倍频噪声较小的设备中则无法使用。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服目前的倍频器噪音过大的缺陷，提供一种移相式低噪音倍频器。
[0004]本发明的目的用以下技术方案实现:一种移相式低噪音倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路组成:在锁相环电路输出端还设置有相位处理电路；所述的相位处理电路由移相芯片U1，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R12，负极经电阻R11后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14,P极与移相芯片U1的0FF1管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片U1的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成；所述移相芯片U1的IN1管脚与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。
[0005]所述的缓冲电路包括极性电容C1，极性电容C2，电感L1，电感L2 ;极性电容C1的负极经电感L1和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感L1和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容C1的正极相连接。
[0006]所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻R1后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的C0NT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容C1的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。
[0007]所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成；二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管D1的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，极性电容C9的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。
[0008]所述的控制电路由三极管VT1，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VT1的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VT1的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VT1的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT1的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及锁相环电路相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。
[0009]所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C11，以及负极经电阻R10和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成；所述三极管VT5的集电极与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容C11的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容C10的负极相连接，电阻R10和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片U1的IN1管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接。
[0010]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
(1)本发明设置有相位处理电路，其能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。
[0011]( 2 )本发明噪音低，使倍频器的应用范围更广。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本发明的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面结合具体实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
[0014]如图1所示，本发明的移相式低噪音倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路组成:在锁相环电路输出端还设置有相位处理电路。
[0015]所述的相位处理电路由移相芯片U1，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R12，负极经电阻R11后与移相芯片U1的IN1管脚相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14, P极与移相芯片U1的0FF1管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片U1的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成；所述移相芯片U1的IN1管脚与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。相位处理电路，能够使倍频器的相位更加稳定，从而可以彻底的过滤掉噪音信号。为了保证实施效果，所述的移相芯片U1优选为LM741集成芯片。
[0016]所述的缓冲电路包括极性电容C1，极性电容C2，电感L1，电感L2 ;极性电容C1的负极经电感L1和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感L1和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容C1的正极相连接。
[0017]所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻R1后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的C0NT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容C1的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。振荡芯片U优选为NE555集成芯片。
[0018]所述的微波电路由二极管D1，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成；二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管D1的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，极性电容C9的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。
[0019]为了使振荡频率严格的锁定在输入频率的倍乘值上，因此设置了控制电路。所述的控制电路由三极管VT1，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、Ν极与三极管VT1的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的Ρ极相连接、另一端与三极管VT1的发射极相连接的电阻R3，以及Ρ极与三极管VT1的集电极相连接、Ν极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VT1的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的Ν极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及锁相环电路相连接，稳压二极管D4的Ρ极还与锁相环电路相连接。
[0020]所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的Ρ极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C11，以及负极经电阻R10和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成；所述三极管VT5的集电极与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容C11的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容C1的负极相连接，电阻R10和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片U1的IN1管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接。
[0021]如上所述，便可很好的实现本发明。
【权利要求】
1.一种移相式低噪音倍频器，主要由缓冲电路，与缓冲电路相连接的压控振荡电路，与压控振荡电路相连接的微波电路，与微波电路相连接的控制电路，与控制电路相连接的锁相环电路组成，其特征在于:在锁相环电路输出端还设置有相位处理电路；所述的相位处理电路由移相芯片Ul，三极管VT6，三极管VT7，一端与移相芯片Ul的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片Ul的INl管脚相连接的电阻R12，负极经电阻Rll后与移相芯片Ul的INl管脚相连接、正极与移相芯片Ul的IN2管脚相连接的极性电容C13，正极经电阻R13后与移相芯片Ul的NC管脚相连接、负极与三极管VT6的集电极相连接的极性电容C15，正极与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、负极接地的极性电容C14，一端与移相芯片Ul的OUT管脚相连接、另一端作为信号的一输出端的电位器R14，P极与移相芯片Ul的OFFl管脚相连接、N极与三极管VT6的基极相连接的二极管D6，以及P极与移相芯片Ul的0FF2管脚相连接、N极与三极管VT7的发射极相连接的二极管D7组成；所述移相芯片Ul的INl管脚与锁相环电路相连接、VCC-管脚接地、OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT6的发射极与三极管VT7的基极相连接，三极管VT7的集电极作为信号的另一输出端，极性电容C13的负极与锁相环电路相连接。
2.根据权利要求1所述的一种移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的缓冲电路包括极性电容Cl，极性电容C2，电感LI，电感L2 ;极性电容Cl的负极经电感LI和电感L2后与压控振荡电路相连接、正极与压控振荡电路相连接，极性电容C2的负极与电感LI和电感L2的连接点相连接、正极与极性电容Cl的正极相连接。
3.根据权利要求2所述的一种移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的压控振荡电路由振荡芯片U，正极经电阻R2和电阻Rl后与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C3，正极与振荡芯片U的VCC管脚相连接、负极接地的极性电容C5，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极与微波电路相连接的极性电容C6，以及正极与振荡芯片U的CONT管脚相连接、负极接地的极性电容C4组成；所述振荡芯片U的DISCH管脚与电感L2相连接、RESET管脚与VCC管脚相连接、VCC管脚与外部电源相连接、GND管脚接地、TRIG管脚与极性电容Cl的正极相连接、THRES管脚与TRIG管脚相连接。
4.根据权利要求3所述的一种移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的微波电路由二极管Dl，二极管D2，二极管D3，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9组成；二极管D2的P极与极性电容C6的负极相连接、N极与控制电路相连接，二极管Dl的P极与极性电容C5的正极相连接、N极经极性电容C8和二极管D3以及极性电容C7后与极性电容C5的正极相连接，极性电容C9的负极同时与极性电容C5的正极和控制电路相连接、正极同时与极性电容C8和二极管D3的连接点以及控制电路相连接。
5.根据权利要求4所述的一种移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述的控制电路由三极管VTl，三极管VT2，P极与极性电容C9的负极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的稳压二极管D4，一端与稳压二极管D4的P极相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R3，以及P极与三极管VTl的集电极相连接、N极与极性电容C9的正极相连接的二极管D5组成；所述三极管VTl的发射极与三极管VT2的基极相连接、基极与二极管D2的N极相连接，三极管VT2的集电极接地、发射极同时与极性电容C9的正极以及锁相环电路相连接，稳压二极管D4的P极还与锁相环电路相连接。
6.根据权利要求5所述的一种移相式低噪音倍频器，其特征在于:所述锁相环电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极与稳压二极管D4的P极相连接、负极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C10，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端经电阻R4和电阻R5后与三极管VT3的集电极相连接的电阻R6，负极经电阻R8和电阻R7后与三极管VT4的集电极相连接、正极与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C11，以及负极经电阻RlO和电阻R9后与其正极相连接的极性电容C12组成；所述三极管VT5的集电极与极性电容C12的负极相连接、发射极与三极管VT4的发射极相连接、基极与极性电容Cll的负极相连接，三极管VT4的基极与极性电容C12的正极相连接、发射极与三极管VT3的集电极相连接，三极管VT3的集电极与三极管VT2的发射极相连接，电阻R4和电阻R5的连接点与极性电容ClO的负极相连接，电阻RlO和电阻R9的连接点与电阻R8和电阻R7的连接点、以及电阻R6和电阻R4的连接点相互连接的同时与移相芯片Ul的INl管脚相连接，三极管VT5的发射极与极性电容C13的负极相连接。
【文档编号】H03D7/16GK104467684SQ201410692495
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月26日 优先权日:2014年11月26日
【发明者】刘芳, 谢静 申请人:成都创图科技有限公司