一种低噪声晶体振荡器电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种低噪声晶体振荡器电路，包括晶体谐振器Y1，与晶体谐振器Y1一端连接的主振电路，与晶体谐振器Y1另一端连接的放大电路，其中，放大电路包括基极与晶体谐振器Y1连接的三极管Q2，相互并联后一端与三极管Q2发射极连接且另一端接地的电阻R3和电容C4，一端与三极管Q2集电极连接且另一端输出振荡信号的电容C6，以及相互并联后一端与三极管Q2集电极连接且另一端接入电源的电容C5和电感L2。本实用新型与其他电路相比，信号直接从晶体谐振器引出，充分利用了谐振器的窄带滤波特性，因而能获得极低的相位噪声，同时，由于采用了共射结构的晶体三极管放大电路，可以方便地获得谐波以实现低噪声倍频。
【专利说明】一种低噪声晶体振荡器电路
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及晶体振荡器领域，特别是涉及一种低噪声晶体振荡器电路。
【背景技术】
[0002] 在传统晶体振荡器电路中，常用的电路形式主要有皮尔斯（Pierce)电路、科尔皮 兹（Colpitts)电路等，在这些类电路中晶体谐振器等效为电感。在低噪声振荡器电路设计 中常用巴特勒振荡电路及Driscoll电路等，该类电路形式中晶体谐振器工作于串联谐振 模式。目前的振荡器产品中，低频段晶振一般采用Colpitts电路及其变形，在高频段一般 采用串联谐振电路。
[0003] 在有些应用场合，需要较高频率的非常稳定的频率信号，这些信号通常由具有非 常高短稳指标和长稳指标的低频恒温晶振(如5MHz、10MHz等0CX0)经过倍频产生，倍频相 位噪声按201ogN恶化。目前的晶振通常只能产生单一的等于谐振器频率的频率，当需要倍 频时必须采用专门的倍频电路，这样的应用使得电路结构变得更加复杂。
[0004] 常用的倍频方法有锁相环、肖特基二极管倍频方式。锁相环倍频电路方案简单，但 电路中需要的元器件种类较多，并且不容易实现信号的低噪声。二极管倍频方式可以实现 低噪声倍频，但电路比较复杂，倍频损耗比较大，有比较大的谐波分量，对各级滤波放大的 要求比较高。 实用新型内容
[0005] 针对上述现有技术中的诸多问题，本实用新型提供一种设计合理、结构简单、低频 段、调试简单、使用灵活、可直接倍频的低噪声晶体振荡器电路。
[0006] 为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
[0007] -种低噪声晶体振荡器电路，包括晶体谐振器Y1，与晶体谐振器Y1 -端连接的主 振电路，与晶体谐振器Y1另一端连接的放大电路，其中，放大电路包括基极与晶体谐振器 Y1连接的三极管Q2,相互并联后一端与三极管Q2发射极连接且另一端接地的电阻R3和电 容C4, 一端与三极管Q2集电极连接且另一端输出振荡信号的电容C6,以及相互并联后一端 与三极管Q2集电极连接且另一端接入电源的电容C5和电感L2。
[0008] 进一步地，所述主振电路包括基极与晶体谐振器Y1连接的三极管Q1，两端分别与 三极管Q1的基极和发射极连接的电容C2,相互并联后一端与三极管Q1发射极连接且另一 端接地的电阻R2和电容C3, 一端与三极管Q1基极连接且另一端接地的电感L1，以及均与 三极管Q1集电极连接的电阻R1和电容C1，其中，电容C1接地，电阻R1接入电源。
[0009] 本实用新型的关键在于，振荡信号直接从晶体谐振器取出，相比传统的Colpitts 电路和Pierce电路，可以明显提高信噪比，有效的降低输出信号的相位噪声。并且与常见 的共基放大方案不同的是，本实用新型中放大级三极管采用共射连接方式，通过集电极的 LC选频网络可以方便的实现基波输出或是倍频输出，当用于倍频时只需在后级增加放大一 级滤波放大即可。
[0010] 与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
[0011] 本实用新型与其他电路相比，信号直接从晶体谐振器引出，充分利用了谐振器的 窄带滤波特性，因而能获得极低的相位噪声，同时，由于采用了共射结构的晶体三极管放大 电路，可以方便地获得谐波以实现低噪声倍频，具有实质性特点和进步，并且本实用新型结 构简单，设计合理，噪声低，调试简单，使用灵活，具有广泛的市场应用前景，适合推广应用， 尤其是在高稳定度频率信号发生领域有较高的推广应用价值。
【专利附图】
【附图说明】
[0012] 图1为现有技术中单一频率输出的电路原理图。
[0013] 图2为现有技术中可倍频输出的电路原理图。
[0014] 图3为本实用新型的电路原理图。
【具体实施方式】
[0015] 下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明，本实用新型的实施方式包括 但不限于下列实施例。 实施例
[0016] 如图1和图2分别所不的是现有技术中单一频率输出的振荡电路和可倍频输出的 振荡电路，图3所示的为本实用新型的电路，即该低噪声晶体振荡器电路，主要包括晶体谐 振器Y1，以及分别设置该晶体谐振器Y1两端的主振电路和放大电路。其中，放大电路包括 基极与晶体谐振器Y1连接的三极管Q2,相互并联后一端与三极管Q2发射极连接且另一端 接地的电阻R3和电容C4, 一端与三极管Q2集电极连接且另一端输出振荡信号的电容C6， 以及相互并联后一端与三极管Q2集电极连接且另一端接入电源的电容C5和电感L2。如此 将三极管Q2采用共射连接方式，通过集电极的LC选频网络可以方便的实现基波输出或是 倍频输出，当用于倍频时可在后级增加放大一级滤波放大。
[0017] 主振电路包括基极与晶体谐振器Y1连接的三极管Q1，两端分别与三极管Q1的基 极和发射极连接的电容C2,相互并联后一端与三极管Q1发射极连接且另一端接地的电阻 R2和电容C3, 一端与三极管Q1基极连接且另一端接地的电感L1，以及均与三极管Q1集电 极连接的电阻R1和电容C1，其中，电容C1接地，电阻R1接入电源。如此充分利用了晶体谐 振器的窄带滤波特性，因而能获得极低的相位噪声。
[0018] 以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本 实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型 的保护范围之内。
[0019] 按照上述实施例，便可很好地实现本实用新型。值得说明的是，基于上述结构设计 的前提下，为解决同样的技术问题，即使在本实用新型上做出的一些无实质性的改动或润 色，所采用的技术方案的实质仍然与本实用新型一致的，也应当在本实用新型的保护范围 内。
【权利要求】
1. 一种低噪声晶体振荡器电路，其特征在于，包括晶体谐振器Y1，与晶体谐振器Y1 - 端连接的主振电路，与晶体谐振器Y1另一端连接的放大电路，其中，放大电路包括基极与 晶体谐振器Y1连接的三极管Q2,相互并联后一端与三极管Q2发射极连接且另一端接地的 电阻R3和电容C4, 一端与三极管Q2集电极连接且另一端输出振荡信号的电容C6,以及相 互并联后一端与三极管Q2集电极连接且另一端接入电源的电容C5和电感L2。
2. 根据权利要求1所述的一种低噪声晶体振荡器电路，其特征在于，所述主振电路包 括基极与晶体谐振器Y1连接的三极管Q1，两端分别与三极管Q1的基极和发射极连接的电 容C2,相互并联后一端与三极管Q1发射极连接且另一端接地的电阻R2和电容C3, 一端与 三极管Q1基极连接且另一端接地的电感L1，以及均与三极管Q1集电极连接的电阻R1和电 容C1，其中，电容C1接地，电阻R1接入电源。
【文档编号】H03B5/04GK203896309SQ201420335909
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年6月23日 优先权日:2014年6月23日
【发明者】田培洪 申请人:成都世源频控技术有限公司