本发明涉及pcb生产技术领域，具体涉及一种酸性蚀刻的厚铜板的生产方法。
背景技术：
印制电路板（pcb）是pcb产业链的最终产品，受上游原材料价格涨跌的影响比较大。目前，板料、铜价、化工产品原材料价格不断上涨，其他原材料价格也呈现上涨趋势，pcb产品成本压力在不断增大。加上受市场经济影响，pcb价格在不断下调，利润在不断压缩，降低成本、提升品质已经势在必行。
酸性蚀刻流程生产工序少，物料成本低，已经成为各pcb企业开发的项目。然而酸性蚀刻为蚀刻面铜，厚铜板面铜达到2oz甚至3oz，蚀刻难度大，品质报废高，且容易出现补偿后间距不足问题，如何解决厚铜板酸性蚀刻问题已经成为各pcb企业重点研究项目之一。
技术实现要素：
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供了一种酸性蚀刻的厚铜板的生产方法。该方法通过有效控制镀铜均匀性、蚀刻均匀性、蚀刻因子及酸性蚀刻工艺，实现了厚铜板酸性蚀刻的稳定性，生产的酸性蚀刻的厚铜板良率高、报废少。
本发明的目的通过如下技术方案实现。
一种酸性蚀刻的厚铜板的生产方法，包括如下步骤：
（1）对半成品pcb进行镀铜，得到厚铜板；
（2）对得到的厚铜板在加热条件下进行酸性蚀刻，得到酸性蚀刻的厚铜板。
优选的，步骤（1）中，所述镀铜采用垂直连续电镀线电镀。
优选的，步骤（1）中，所述镀铜的均匀性极差≤5um。
优选的，步骤（1）中，所述厚铜板中的孔铜厚度上限最大为半成品pcb的铜厚+1um。
优选的，步骤（1）中，所述厚铜板的蚀刻因子≥4.0。
优选的，步骤（2）中，所述加热是加热至48~52℃。
优选的，步骤（2）中，所述酸性蚀刻的蚀刻液中，naclo3的含量控制在28~36当量浓度，hcl的含量控制在2.3~2.7当量浓度，cu2+的浓度控制在130~140g/l。
优选的，步骤（2）中，所述酸性蚀刻的压力控制：上压为2.7~3.1kg/cm2，下压为2.3~2.7kg/cm2。
优选的，步骤（2）中，所述酸性蚀刻的上下蚀刻均匀性均≥93%。
与现有技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：
本发明方法通过有效控制镀铜均匀性、蚀刻均匀性、蚀刻因子及酸性蚀刻工艺，实现了厚铜板酸性蚀刻的稳定性，生产的酸性蚀刻的厚铜板良率高、报废少，有效降低了pcb生产成本，节约资源。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步详细的描述，但本发明的保护范围及实施方式不限于此。
实施例1
一种酸性蚀刻的厚铜板的生产方法，具体包括如下步骤：
（1）对铜厚21um的半成品pcb采用垂直连续电镀线电镀进行镀铜，镀铜的均匀性极差为4.5um，得到孔铜厚度为21.5um、蚀刻因子4.6的厚铜板；
（2）在52℃加热条件下，对得到的厚铜板进行酸性蚀刻；其中，蚀刻液中，naclo3的含量控制为32当量浓度，hcl的含量控制为2.7当量浓度，cu2+的浓度控制为136g/l；蚀刻的压力控制：上压为3.1kg/cm2，下压为2.3kg/cm2；上下蚀刻均匀性分别93.5%、95%，得到酸性蚀刻的厚铜板。
实施例2
一种酸性蚀刻的厚铜板的生产方法，具体包括如下步骤：
（1）对铜厚20um的半成品pcb采用垂直连续电镀线电镀进行镀铜，镀铜的均匀性极差为5um，得到孔铜厚度为21um、蚀刻因子4.0的厚铜板；
（2）在50℃加热条件下，对得到的厚铜板进行酸性蚀刻；其中，蚀刻液中，naclo3的含量控制为36当量浓度，hcl的含量控制为2.3当量浓度，cu2+的浓度控制为130g/l；蚀刻的压力控制：上压为2.7kg/cm2，下压为2.5kg/cm2；上下蚀刻均匀性均为94%，得到酸性蚀刻的厚铜板。
实施例3
一种酸性蚀刻的厚铜板的生产方法，具体包括如下步骤：
（1）对铜厚21um的半成品pcb采用垂直连续电镀线电镀进行镀铜，镀铜的均匀性极差为3um，得到孔铜厚度为22um、蚀刻因子5.2的厚铜板；
（2）在48℃加热条件下，对得到的厚铜板进行酸性蚀刻；其中，蚀刻液中，naclo3的含量控制为28当量浓度，hcl的含量控制为2.5当量浓度，cu2+的浓度控制为140g/l；蚀刻的压力控制：上压为2.8kg/cm2，下压为2.7kg/cm2；上下蚀刻均匀性分别为95%、93.6%，得到酸性蚀刻的厚铜板。
按照传统厚铜板蚀刻管控会导致良率低、蚀刻不净或者直接无法生产损失订单，因传统厚铜板异常导致的报废率约为0.13%，并且因无法生产厚铜板导致损失订单每月10单。而通过采用实施例1~3的方法不仅避免了补偿后间距不足问题，且报废率为0。按照每月11000m2的产能，每月可减少报废143m2，约143m2*600元/m2=85800元，每年可为公司节省85800*12=1029600元。
以上实施例仅为本发明的较优实施例，仅在于对本发明的技术方案作进一步详细的描述，但不限制本发明的保护范围，任何未脱离本发明精神实质所做的变更、组合、删除、修改或替换等均将包含在本发明的保护范围内。