本发明属于电路板制作技术领域,涉及一种电路板,尤其涉及一种电路板的开放性电镀凸台的制作方法。
背景技术:
随着技术的不断进步,对电子产品的功能要求越来越高。电路板在制备过程中往往需要制作凸台,应用于局部凸块、散热凸块或者flipchip焊接凸点,现有的凸点制作方法包括印刷、电镀、喷射等,相比较,电镀法具有工艺简单、成本低、易于批量生产、凸点一致性好等优点,常规的工艺流程(如图1、3所示)为:在绝缘基层1上制作好线路2→做种子铜3+压膜4+凸台曝光→凸台50电镀→退膜、退铜。在制备过程中,存在以下缺陷:
一、压膜的干膜需要高解析度,厚度要在50um以上,成本较高;
二、对位精度高,一般公差需要±30um,必须借助高精密曝光对位设备;
三、线宽宽度为a,凸台的宽度b一定是小于a,针对精密线路空间不够;
四、容易偏位,且偏位制作出来的不良品较高。
因此,需要研发出一种工艺简单、成本低的开放性电镀凸台的制作方法来满足生产的需要。
技术实现要素:
本发明所要解决的技术问题是提供一种工艺简单、易操作的开放性电镀凸台的制作方法。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种开放性电镀凸台的制作方法,其特征在于包括以下步骤:
1)在绝缘基层表面制作好线路、焊盘;
2)做种子铜,压膜;
3)线路曝光、显影;
4)局部微蚀种子铜;
5)开放电镀凸台;
6)退膜、退铜。
作为改进,所述步骤2)的压膜是指厚度为25~35um的干膜。
优选,所述干膜厚度为30um。
进一步,所述步骤3)的曝光是对非电镀区域的干膜进行感光处理,显影是去掉电镀及周边种子铜区域的干膜。
进一步,所述步骤4)的局部微蚀种子铜是指对显影去掉的干膜底下的种子铜进行微蚀。
进一步,所述步骤5)的凸台的宽度大于焊盘宽度。
最后,所述步骤6)的退膜是指去掉感光后干膜,退铜是指退去种子铜。
与现有技术相比,本发明的优点在于:显影后进行微蚀刻局部去种子铜,再进行开放电镀凸台,使得对位精度>±100um,常规曝光对位设备即可满足;凸台宽度大,有利于后续组装;干膜采用常规干膜,成本低。本发明制作工艺简单、易操作,解决了传统电镀凸台对位困难、易偏位、成品率低的问题,制作凸台宽度大,成品率高,同时也降低了成本,制备的凸台可用于局部凸块、散热凸块以及flipchip焊接凸点。
附图说明
图1是常规制作方法的工艺流程图,其中(a)为制作好线路,(b)为做种子铜+凸台曝光,(c)为凸台电镀,(d)为退膜退铜;
图2.1~图2.2是本发明提供的开放性电镀凸台的制作方法的工艺流程图,其中(a)为制作好线路,(b)为做种子铜,(c)为线路曝光,(d)为显影,(e)为局部微蚀种子铜,(f)为开放电镀凸台,(g)为退膜,(h)为退铜;
图3是图1(d)的俯视图;
图4是图2.2(g)的俯视图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
如图2.1~2.2、图4所示,一种开放性电镀凸台的制作方法,包括以下步骤:
1)在绝缘基层1表面制作好线路、焊盘2,如图2.1(a);
2)做种子铜3,如图2.1(b),压膜,干膜4厚度为30um,如图2.1(c);
3)线路曝光、显影,曝光是对非电镀区域的干膜进行感光处理,显影是去掉电镀及周边种子铜区域的干膜,如图2.1(d);
4)局部微蚀种子铜2,是指对显影去掉的干膜4底下的种子铜2进行微蚀,如图2.2(e)。
5)开放电镀凸台5,凸台5的宽度大于焊盘2宽度,如图2.2(f);
6)退膜、退铜;退膜是指去掉感光后干膜4,如图2.2(g),退铜是指退去种子铜3,如图2.2(h)。
原理是这样的:显影后进行微蚀刻局部去种子铜3,再进行开放电镀凸台5,使得对位精度>±100um,常规曝光对位设备即可满足;凸台5宽度大,有利于后续组装;干膜4采用常规干膜,成本低。
结论:本发明解决了传统电镀凸台对位困难、易偏位、成品率低的问题,制作凸台宽度大,成品率高,同时也降低了成本。