接地膜和屏蔽膜接地结构的制作方法

本实用新型属于电子通信领域，具体涉及一种接地膜和屏蔽膜接地结构。

背景技术：

近年来，随着电子工业的迅速发展，电子产品进一步向小型化，轻量化，组装高密度化发展，另外，手机功能的整合也将促使手机组件急剧高频高速化。在高频及高速的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰问题将逐渐严重，因此，功能挠性电路板一项重要的指标是电磁屏蔽(emishielding)，屏蔽膜成为线路板必不可少的辅助材料。但是屏蔽膜上会累积电荷产生杂讯，为避免干扰累积的电荷需要被释放。

线路板行业内，均采用线路板上覆盖膜开窗后贴电磁屏蔽膜，将信号线产生的杂讯通过屏蔽膜导入线路板地层，实现屏蔽组件内部及外部电磁干扰。这种使用方法要求在线路板上设计接地pad，必须在覆盖膜上开窗，而且严格控制覆盖膜溢胶量。不但增加线路板加工工艺的复杂性，同时接地pad的大小会影响屏蔽效果。并且，必须设计接地pad，所以浪费线路板的空间。

技术实现要素：

基于此，本实用新型在于克服现有技术的缺陷，提供一种接地膜和屏蔽膜接地结构，能够将屏蔽膜自由灵活接地、占用空间小，结构牢固，能够保证接地稳定性。

其技术方案如下：

1、一种接地膜，包括：导体膜、凸块颗粒、以及胶膜层；所述导体膜具有相对的第一表面和第二表面，所述导体膜的第二表面设有所述胶膜层，所述导体膜具有接地导电层；所述凸块颗粒嵌于所述导体膜内，所述导体膜的第二表面与所述凸块颗粒对应的位置形成凸部，所述凸部导电，所述接地导电层与所述凸部电连接；或者，所述凸块颗粒的一部分嵌于所述导体膜内、所述凸块颗粒的另一部分从所述导体膜的第二表面伸出构成凸部，所述凸块颗粒导电，所述接地导电层与所述凸块颗粒电连接。其中，凸块颗粒导电是指凸块颗粒至少部分是导电的，只要能够实现将传导电荷即可，不限制凸块颗粒的具体结构、不限制凸块颗粒其他部分是否导电。比如，凸块颗粒导电包括但不限于：凸块颗粒整体导电；或者，凸块颗粒为自球心向外多层椭球型(类似洋葱)，其表面层导电内芯绝缘；或者凸块颗粒为自中心轴向外的多层圆柱形，表面不导电、内芯导电。其中，导体膜可以是一个整体，导体膜整体是导电的；不限于此，导体膜也可以由多层材料层叠制成，只要导体膜的凸部能够导电即可，导体膜的其他部分可以导电或不导电。

在其中一个实施例中，所述胶膜层是含有导电粒子的黏着层；或者，所述胶膜层是不含有导电粒子的黏着层。

在其中一个实施例中，所述导体膜的第一表面设有防氧化层。

在其中一个实施例中，所述胶膜层远离所述导体膜的一面设有可剥离保护层。

在其中一个实施例中，所述凸部设有至少一个导电凸起；或/和，所述第二表面在没有所述凸部的位置构成凹部，所述凹部设有至少一个导电凸起。

在其中一个实施例中，所述凸部设有至少一个导电凸起，所述凹部设有至少一个导电凸起，所述凸部的导电凸起的体积大于所述凹部的导电凸起的体积；或者，所述凸部设有至少两个导电凸起，所述凹部设有至少两个导电凸起，所述凸部的导电凸起比所述凹部的导电凸起密集。

在其中一个实施例中，所述凸块颗粒为导体颗粒、或半导体颗粒、或绝缘体颗粒、或包覆复合颗粒。

在其中一个实施例中，所述凸块颗粒的高度为0.1μm至30μm。

在其中一个实施例中，所述导体膜包括依次层叠设置的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层设于所述第一膜层与所述胶膜层之间；所述第二膜层导电，所述第二膜层远离所述第一膜层的一面形成所述凸部，所述第二膜层除去所述凸部后余下的部分即是所述接地导电层。

在其中一个实施例中，所述导体膜包括依次层叠设置的第一膜层和第二膜层，且所述第二膜层设于所述第一膜层与所述胶膜层之间；所述第一膜层导电，所述第一膜层即是所述接地导电层，所述第二膜层导电，所述第二膜层远离所述第一膜层的一面形成所述凸部，所述第一膜层与所述第二膜层电连接。

在其中一个实施例中，所述第一膜层、所述第二膜层的材料相同或不同。

在其中一个实施例中，所述第一膜层与所述第二膜层之间设有连接层，所述连接层设有连接孔，所述连接孔内设有导电材料，所述连接孔内的导电材料将所述第一膜层与所述第二膜层电连接。

在其中一个实施例中，所述第一膜层与所述第二膜层之间设有连接层，所述凸块颗粒位于所述第一膜层和所述第二膜层之间，所述凸块颗粒导电，所述凸块颗粒将所述第一膜层与所述第二膜层电连接。

在其中一个实施例中，至少部分所述凸块颗粒从所述导体膜的第二表面伸出构成凸部，所述导体膜包括依次层叠设置的第一膜层和第二膜层，且所述第二膜层设于所述第一膜层与所述胶膜层之间；所述第二膜层导电，所述第二膜层即是所述接地导电层，所述第二膜层与所述凸块颗粒电连接。

在其中一个实施例中，至少部分所述凸块颗粒从所述导体膜的第二表面伸出构成凸部，所述导体膜包括依次层叠设置的第一膜层和第二膜层，且所述第二膜层设于所述第一膜层与所述胶膜层之间；所述凸块颗粒穿过所述第二膜层附着于所述第一膜层，所述第一膜层导电，所述第一膜层即是所述接地导电层，所述凸块颗粒与所述第一膜层电连接。

一种屏蔽膜接地结构，包括屏蔽膜、以及上述任一项所述的接地膜，所述屏蔽膜包括层叠设置的绝缘层和屏蔽层；所述接地膜与所述屏蔽膜层叠，所述胶膜层和所述绝缘层位于所述导体膜与所述屏蔽膜之间，所述凸部刺穿所述胶膜层和所述绝缘层，所述凸部与所述屏蔽层电连接。

本实用新型的有益效果在于：

1、本实用新型中在导体膜第二表面形成凸部，采用凸部刺穿屏蔽膜的绝缘层将屏蔽层接地的方案，接地膜安装灵活、简单，且不需要在线路板上开窗，屏蔽膜、接地膜构成的整体轻薄。

并且，依靠凸块颗粒形成凸部的方案，凸块颗粒与导体膜分开制造，控制凸块颗粒一致性，使得凸部一致性好，提高接地的可靠性。同时，导体膜的第二表面相对于凸部构成凹部，当接地膜与屏蔽膜压合的时候，胶膜层可以进入凹部，可以更轻松的压合并防止溢胶。

2、屏蔽膜接地结构包括屏蔽膜以及接地膜，接地膜用于屏蔽膜接地，传统的屏蔽膜接地方法是在线路板上开窗接地，但是这种方式，一方面浪费空间，限制了电路板的小型化、薄化，特别是对于很薄的电路板或者柔性电路板要求更高的空间使用率来缩减整体体积和厚度；另一方面只能在特定的位置开窗、不能灵活的选择接地位置，不利于整个线路板的设计。本实用新型中，将接地膜与屏蔽膜压合，所述凸部穿刺所述绝缘层并与所述屏蔽层电连接即可实现屏蔽膜的接地，可以选择任一位置灵活地安装接地膜，并且无需开窗，节约空间。

附图说明

图1为本实用新型实施例一接地膜的结构图一；

图2为本实用新型实施例一接地膜的结构图二；

图3为本实用新型实施例一接地膜将屏蔽膜接地的结构图；

图4为本实用新型实施例二接地膜的结构图一；

图5为本实用新型实施例二接地膜的结构图二；

图6为本实用新型实施例二接地膜将屏蔽膜接地的结构图；

图7为本实用新型实施例四接地膜的结构图一；

图8为本实用新型实施例四接地膜的结构图二；

图9为本实用新型实施例五接地膜的结构图；

图10为本实用新型实施例五凸块颗粒的结构图；

图11为本实用新型实施例六接地膜的结构图；

图11-1为本实用新型实施例六的变形例结构图；

图11-2为本实用新型实施例六的变形例结构图；

图12为本实用新型实施例七接地膜的结构图；

图13为本实用新型实施例八接地膜的结构图

图14为本实用新型实施例九接地膜的结构图；

图15为本实用新型实施例九接地膜将屏蔽膜接地的结构图；

图16为本实用新型实施例十二接地膜的结构图；

图17为本实用新型实施例十二接地膜将屏蔽膜接地的结构图。

附图标记说明：

100、导体膜，101、第一表面，102、第二表面，110、第一膜层，120、连接层，130、连接孔内的导电材料，200、第二膜层，210、凸部，211、导电凸起，220、凹部，300、凸块颗粒，310、表面层，320、内芯，400、胶膜层，500、屏蔽膜，510、绝缘层，520、屏蔽层，530、胶层，600、线路板，710、防氧化层，720、可剥离保护层。

具体实施方式

下面对本实用新型作进一步详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。

实施例一

如图1、2所示，接地膜包括导体膜100、凸块颗粒300、以及胶膜层400。导体膜100是一整体膜、没有分层，凸块颗粒300直接嵌设于导体膜100内。

导体膜100具有相对的第一表面101和第二表面102，导体膜100的第二表面102设有胶膜层，凸块颗粒300全部嵌于导体膜100内(不限于本实施例，也可以是凸块颗粒只有一部分嵌于导体膜内)，导体膜100的第二表面102与凸块颗粒300对应的位置形成凸部210，其余部分构成凹部220；凸部210导电，导体膜100具有接地导电层，本实施例中，导体膜100本身导电，导体膜100除去凸部210之外的部分即是接地导电层，自然的，接地导电层与凸部210电连接。

如图3所示，屏蔽膜接地结构包括屏蔽膜500、以及接地膜，屏蔽膜接地结构用于屏蔽线路板，防止其受到干扰，从而有效保证信号传输的完整性，屏蔽膜接地结构层叠于线路板600上，屏蔽膜500位于接地膜与线路板600之间。屏蔽膜500包括层叠设置的绝缘层510和屏蔽层520，胶膜层400和绝缘层510位于导体膜100与屏蔽层520之间，凸部210刺穿胶膜层400和绝缘层510，凸部210与屏蔽层520电连接，屏蔽层520的杂波电荷经过凸部210由接地导电层(即导体膜100除去凸部的余下部分)再引出接地。从而使得聚集于屏蔽层520的干扰电荷可自凸部210、接地导电层(即导体膜100除去凸部的余下部分)而导出，进而实现屏蔽膜的接地。

凸块颗粒300与导体膜100分开制造，严格控制凸块颗粒300的均一性，进而控制凸部210的一致性，保证各个凸部210都能稳定接地，防止由于凸部210大小不一而造成部分凸部不能与屏蔽膜良好电接触。

优选的，凸块颗粒300与导体膜100采用不同的材料制成。一方面，在一些使用环境下，凸块颗粒300可以采用比导体膜100机械强度更高的材料制成，构成内刚外软的结构，从而为凸部210提供更好的支撑，避免受到压力时凸部210的弯曲或变形或断裂；另一方面，在另一些使用环境下，凸块颗粒300可以采用比导体膜100机械强度更低的材料制成，构成内软外刚的结构，避免受到压力时凸部210断裂，也可以利用软性避让一些重要零件，避免刺穿。其中，凸块颗粒300可以导电或不导电。

本实施例中，一个凸块颗粒300形成一个凸部210，但不限于此，也可以是两个以上的凸块颗粒300共同形成凸部210。

本实施例中，胶膜层400是不含有导电粒子的黏着层。但不限于此，也可以是，胶膜层400是含有导电粒子的黏着层，利于电连接。胶膜层的材料可为热塑性树脂、热固性树脂、压敏胶等，作为一种可选的实施方式，胶膜层的材料可为改性环氧树脂类、改性丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类、改性聚酯类中的一种或多种。

凸块颗粒300包括但不限于钻石粉、钛白粉、硅粉末、硅化物粉末、二氧化硅粉末、铝化物粉末、石墨烯粉体、铁粉、镍粉、铜粉、镀镍钻石粉、镀金属无机粉体等。需要说明的是，本实用新型中的凸块颗粒的形状并不受图示的限制，其材料也不受上述材料的限制，只要是具有使得所述导体膜100靠近胶膜层400的一面形成凸部210的颗粒，均在本实用新型的保护范围之内。

实施例二

实施例二与实施例一的区别在于：

如图4、5所示，导体膜100包括层叠的第一膜层110和第二膜层200。导体膜100包括第一表面101和第二表面102，第一膜层110远离第二膜层200的一面即为导体膜100的第一表面101，第二膜层200远离第一膜层110的一面即为导体膜100的第二表面102。

凸块颗粒300位于第一膜层110与第二膜层200之间，凸块颗粒300一端附着于第一膜层110，凸块颗粒300将第二膜层200顶起，第二膜层200与凸块颗粒300对应的位置形成凸部210，其余位置构成凹部220。

第一膜层110导电，第二膜层200导电，凸部210形成于第二膜层200远离第一膜层110的一面，第一膜层110与第二膜层200电连接，第一膜层110即是接地导电层。

如图6所示，屏蔽膜500通过胶层530粘贴于线路板600，使用接地膜将屏蔽膜500接地，通过胶膜层400将接地膜压合于屏蔽膜500。接地膜、屏蔽膜500、线路板600依次层叠。

屏蔽膜500包括层叠设置的绝缘层510和屏蔽层520，绝缘层510位于胶膜层400和屏蔽层520之间。凸部210刺穿绝缘层510和胶膜层400，凸部210与屏蔽层520电连接。凸部210电连接屏蔽层520，因此，聚集于屏蔽层520的干扰电荷即可自凸部210、第二膜层200而导出，从而实现屏蔽膜的接地。

压合过程中，胶膜层400可以退到凹部220内，防止溢胶。本实施例采用穿刺屏蔽膜500的方法实现屏蔽膜500的接地，可以选择任一位置灵活地安装接地膜，并且无需开窗，节约空间。

安装接地膜时，施压将接地膜压合在屏蔽膜500上，凸部210会自动刺穿胶膜层400和绝缘层510，然后凸部210与屏蔽层520电连接，安装快捷方便，安装位置可以灵活选择。在压合过程中，可以将胶膜层400挤压到凹部220，避免溢胶。

凸块颗粒300可以导电或不导电。在生产时，将凸块颗粒300附着于第一膜层110，采用化学镀方式、pvd、cvd、蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺在第一膜110层和凸块颗粒300上形成第二膜层200；不限于此方法，还可以是，第二膜层200是通过压合转移至第一膜层110和凸块颗粒300上的，具体地，第二膜层200是设置在具有可剥离层的载体膜的剥离层上，在将带载体的第二膜层200压合至第一膜层110和凸块颗粒300上后，剥离载体膜，即得依次层叠的第一膜层110、凸块颗粒300、第二膜层200。其中载体膜可为有机薄膜，也可为金属箔。

本实施例中，第一膜层110、第二膜层200的材料相同或不同。如第一膜层110、第二膜层200的材料相同，则有利于第二膜层200在第一膜层110上的生长或者有利于第二膜层200与第一膜层110的电连接。

如第一膜层110、第二膜层200的材料不同，则为屏蔽膜500接地而起到电连接作用主要是第二膜层200，第二膜层200可以选用便于接地的材料，第一膜层110是辅助电连接或者作为第二膜层200的支撑作用，可以选用合适的材料。例如，第一膜层110采用是作为支撑作用，在需要硬质接地膜时，采用机械强度高强度的材料制作第一膜层110，在需要柔性接地膜时，可采用韧性好易弯曲的材料制作第一膜层110，再在第一膜层110制作第二膜层200，第二膜层200可以很薄。

第一膜层的厚度为0.01μm-45μm，第二膜层的厚度为0.01μm-45μm。

为了保证第一膜层110和第二膜层200具有良好的导电性，第一膜层110和第二膜层200可以是金属导体层、碳纳米管导体层、铁氧体导体层和石墨烯导体层中的一种或多种的复合多层。其中，金属导体层包括单金属导体层和/或合金导体层；其中，单金属导体层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，合金导体层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。

本实施例中，凸块颗粒300位于第一膜层110和第二膜层200之间，凸块颗粒300与第一膜层110接触附着，但不限于此，也可以是，凸块颗粒300完全包裹在第二膜层200之内，凸块颗粒300不与第一膜层110接触附着。

本实施例中，接地膜上的多个凸块颗粒300可以是相同规格的，从而使得凸部210的凸起高度或凸起的形状也是相同规格的，保证凸部210的一致性。但不限于此，根据实际需要或者屏蔽膜500的结构特征，可以将导体膜100的下表面划分成第一区域、第二区域、第三区域…等等多个区域，每个区域的凸块颗粒300的规格不相同，从而不同区域的凸部210规格也是不同的，例如第一区域的凸块颗粒300采用第一规格、第二区域的凸块颗粒300采用第二规格、第三区域的凸块颗粒300采用第三规格、第一规格≠第二规格≠第三规格，这样就在导体膜100的下表面获得了具有不同规格凸部210的三个区域，方便灵活地与屏蔽膜500对接。

导体膜100是多层结构，一方面可以采用分层制造的方法，利于生产制造；另一方面，可以将多层结构的导体膜100内各层的功能设置不一样，根据功能的不同采用不同的材料，例如，当需要导电功能的层时，采用导电材料制作该层；当需要绝缘的层时，采用绝缘材料制作该层。

实施例三

实施例三与实施例二的区别在于：

参照图4-6所示，第一膜层110不导电，第二膜层200导电，第二膜层200除去凸部的部分即是接地导体层。第一膜层110可以作为第二膜层200、凸块颗粒300的的支撑、保护，无需导电。

实施例四

实施例四与实施例二的区别在于：

如图7所示，凸部210或凹部220设有至少一个导电凸起211。如图7所示，导电凸起211有多个，多个导电凸起211聚集于凸部210的下表面尖端部分。当接地膜压合于屏蔽膜500上表面时，导电凸起211可以被挤压变形贴合于屏蔽膜500上、或者导电凸211起刺入屏蔽膜500内与屏蔽层520电连接，从而增加凸部210与屏蔽膜500的屏蔽层520的电连接面积，帮助凸部210更好的与屏蔽膜500电连接，保证接地效果。并且，导电凸起211横截面小，导电凸起211较凸部210更容易刺破屏蔽膜500的绝缘层520。

导电凸起211可以是金属凸起、碳纳米管凸起、或铁氧体凸起。当导电凸起211有两个以上时，多个导电凸起211可以采用同种种材料制成，也可以采用不同材料制成。其中，金属凸起可以是单金属凸起或合金凸起；其中，单金属凸起由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、或金中的任意一种材料制成，合金凸起由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、或金中的任意两种或两种以上的材料制成。需要说明的是，导电凸起211与第一膜层110材料相同、或者导电凸起211与第二膜层200的材料相同，但不限于此，也可不相同。

不限于图7所示，也可以如图8所示，凸部210设有至少两个导电凸起211，凹部220设有至少两个导电凸211。凸部210的导电凸起211的体积大于凹部220的导电凸起211的体积，更好地帮助凸部210刺入屏蔽膜内。凸部210的导电凸211起比凹部220的导电凸起211密集，至少存在这种情况，两个相邻的凸部210的导电凸起211之间的距离小于两个相邻的凹部220的导电凸起211之间的距离。

实施例五

实施例五与实施例二的区别在于：

如图9所示，第一膜层110导电，第二膜层200导电。第一膜层110与第二膜层200之间设有连接层120。第二膜层200远离第一膜层110的表面即是导体膜100的第二表面102。

凸块颗粒300导电，连接层120不导电，凸块颗粒300贯穿连接层120，凸块颗粒300一端附着于第一膜层110、另一端伸入第二膜层200，凸块颗粒300将第一膜层110和第二膜层200电连接。第一膜层110即是接地导体层。

凸块颗粒300导电，包括但不限于凸块颗粒300整体导电、或凸块颗粒300至少在表面层导电。凸块颗粒300是包覆复合颗粒，凸块颗粒300在表面层导电，如图10所示，凸块颗粒300包括内芯320和包裹在内芯外的表面层310，凸块颗粒300表面层310导电、内芯320不导电。

实施例六

实施例六与实施例五的区别在于：

如图11所示，凸块颗粒300不导电(不限于本实施例，凸块颗粒300也可以导电)。连接层120设有连接孔(连接孔在图11中的位置是被导电材料130充满的位置)，连接孔内设有导电材料130，连接孔内的导电材料130将第一膜层110和第二膜层200电连接。

其中，图11中导电材料11充满连接孔内，但不限于此，也可以如图11-1所示，导电材料130仅填充连接孔121的一部分。

本实施例，如图11所示，连接孔121仅开设在连接层120，生产时，先生产第一膜层110，在第一膜层110上设置连接层120，在连接层120上开设连接孔121，在连接孔121内设置导电材料130，在连接层120上设置凸块颗粒300和第二膜层200，(或者反过来，先生产凸块颗粒300和第二膜层200，在第二膜层200上设置连接层120，在连接层120上开设连接孔121，在连接孔121内设置导电材料130，在连接层120上设置第一膜层110)。但不限于此，也可以如图11-2所示，连接孔(连接孔在图11-2中的位置是充满导电材料130的位置)贯穿第一膜层110、连接层120、第二膜层200。生产时，第一膜层110、连接层120、第二膜层200层叠后，再开设连接孔。

实施例七

实施例七与实施例二的区别在于：

如图12所示，接地膜还包括防氧化层710，防氧化层710设于导体膜100的第一表面101。接地膜还包括可剥离保护层720，可剥离保护层720设于胶膜层400的远离导体膜100的一面。

防氧化层710的厚度为0.01-5μm，优选为0.1-1μm；防氧化层710由金属材料、铁氧体、石墨、碳纳米管、石墨烯、银浆中的任意一种材料制成。其中，金属材料为铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼中的任意一种材料制成，或者，金属材料为铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银、金、钼中的任意两种或两种以上的材料制成的合金.防氧化层710可以通过化学镀、pvd、cvd、蒸发镀、溅射镀、电镀中的一种或多种复合工艺来形成。

或者，防氧化层710的厚度为0.1-15μm，防氧化层710由胶与导电粒子的混合物制成，且导电粒子与胶的体积比为5％到80％；防氧化层710可以通过涂布后固化的工艺来形成。

可剥离保护层720设于胶膜层400远离所述导体膜100的一面。可剥离保护层720为pps薄膜层、pen薄膜层、聚酯薄膜层、聚酰亚胺薄膜层、改性丙烯酸树脂固化后形成的膜层、聚酰亚胺树脂固化后形成的膜层当中的一种、或当中的多种复合层。

实施例八

实施例八与实施例一的区别在于：

如图13所示，凸块颗粒300的一部分嵌于导体膜内，凸块颗粒300的一部分从导体膜100的第二表面伸出构成凸部210；凸块颗粒300导电，导体膜100本身即是接地导电层，导体膜100与凸块颗粒300电连接。由于凸块颗粒300自身形成凸部210，凸块颗粒210至少在凸部210导电，本实施例中，凸块颗粒300的表面层310导电、内芯320不导电，电荷通过凸部210的后经由凸块颗粒300的表面层310导至导体膜100后引出。

其中，凸块颗粒300导电，凸块颗粒300是包覆复合颗粒，凸块颗粒300在表面层导电，参照图10所示，凸块颗粒300包括内芯320和包裹在内芯外的表面层310，凸块颗粒300表面层310导电、内芯320不导电。

实施例九

实施例九与实施例八的区别在于：

如图14、15所示，导体膜100包括层叠的第一膜层110和第二膜层200。导体膜100包括第一表面101和第二表面102，第一膜层110远离第二膜层200的一面即为导体膜100的第一表面101，第二膜层200远离第一膜层110的一面即为导体膜100的第二表面102。

凸块颗粒300位于第一膜层110与第二膜层200之间，凸块颗粒300一端附着于第一膜层110。

第一膜层110导电，第二膜层200导电，第一膜层110与第二膜层200电连接，凸块颗粒300与第一膜层110和第二膜层200均电连接。第一膜层110即是接地导电层、或者第二膜层200即是接地导电层、或者第一膜层110和第二膜层200的整体即是接地导电层。

接地膜压合于屏蔽膜500时，凸块颗粒300构成的凸部210刺穿胶膜层400和绝缘层510，凸部210与屏蔽层520电连接，实现接地。

其中，不限于图16示，不但凸块颗粒300外露于导体膜100的部分会刺穿胶膜层400和绝缘层510，第二膜层200在凸块颗粒300附近连带隆起的部分也可以刺穿胶膜层400和绝缘层510，第二膜层200在凸块颗粒300附近连带隆起的部分也可以与屏蔽层520接触并电连接，加强接地效果。

实施例十

实施例十与实施例九的区别在于：

第一膜层110不导电，第二膜层200导电，凸块颗粒300与第二膜层200电连接。第二膜层200即是接地导电层。

实施例十一

实施例十一与实施例九的区别在于：

第一膜层110导电，第二膜层200不导电，凸块颗粒300与第一膜层110电连接。第一膜层110即是接地导电层。

实施例十二

实施例十二与实施例九的区别在于：

与实施例九中导体膜100的第一表面101平整、第二表面102凹凸不平整的结构不同，本实施例如图16、17所示，导体膜100的第一表面101平整、第二表面102平整。

但不限于本实施例，也可以是，导体膜100的第一表面101凹凸不平整、第二表面102平整。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。