1.一种接地膜，其特征在于，包括：导体膜、凸块颗粒、以及胶膜层；
所述导体膜具有相对的第一表面和第二表面，所述导体膜的第二表面设有所述胶膜层，所述导体膜具有接地导电层；
所述凸块颗粒嵌于所述导体膜内，所述导体膜的第二表面与所述凸块颗粒对应的位置形成凸部，所述凸部导电，所述接地导电层与所述凸部电连接；或者，所述凸块颗粒的一部分嵌于所述导体膜内、所述凸块颗粒的另一部分从所述导体膜的第二表面伸出构成凸部，所述凸块颗粒导电，所述接地导电层与所述凸块颗粒电连接。
2.根据权利要求1所述的接地膜，其特征在于，所述胶膜层是含有导电粒子的黏着层；或者，所述胶膜层是不含有导电粒子的黏着层。
3.根据权利要求1所述的接地膜，其特征在于，所述导体膜的第一表面设有防氧化层。
4.根据权利要求1所述的接地膜，其特征在于，所述胶膜层远离所述导体膜的一面设有可剥离保护层。
5.根据权利要求1所述的接地膜，其特征在于，所述凸部设有至少一个导电凸起；或/和，所述第二表面在没有所述凸部的位置构成凹部，所述凹部设有至少一个导电凸起。
6.根据权利要求5所述的接地膜，其特征在于，所述凸部设有至少一个导电凸起，所述凹部设有至少一个导电凸起，所述凸部的导电凸起的体积大于所述凹部的导电凸起的体积；
或者，所述凸部设有至少两个导电凸起，所述凹部设有至少两个导电凸起，所述凸部的导电凸起比所述凹部的导电凸起密集。
7.根据权利要求1所述的接地膜，其特征在于，所述凸块颗粒为导体颗粒、或半导体颗粒、或绝缘体颗粒、或包覆复合颗粒。
8.根据权利要求1所述的接地膜，其特征在于，所述凸块颗粒的高度为0.1μm至30μm。
9.根据权利要求1至8任一项所述的接地膜，其特征在于，所述导体膜包括层叠的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层设于所述第一膜层与所述胶膜层之间；所述第二膜层导电，所述第二膜层远离所述第一膜层的一面形成所述凸部，所述第二膜层除去所述凸部后余下的部分即是所述接地导电层。
10.根据权利要求1至8任一项所述的接地膜，其特征在于，所述导体膜包括层叠的第一膜层和第二膜层，且所述第二膜层设于所述第一膜层与所述胶膜层之间；所述第一膜层导电，所述第一膜层即是所述接地导电层，所述第二膜层导电，所述第二膜层远离所述第一膜层的一面形成所述凸部，所述第一膜层与所述第二膜层电连接。
11.根据权利要求10所述的接地膜，其特征在于，所述第一膜层、所述第二膜层的材料相同或不同。
12.根据权利要求10所述的接地膜，其特征在于，所述第一膜层与所述第二膜层之间设有连接层，所述连接层设有连接孔，所述连接孔内设有导电材料，所述连接孔内的导电材料将所述第一膜层与所述第二膜层电连接。
13.根据权利要求10所述的接地膜，其特征在于，所述第一膜层与所述第二膜层之间设有连接层，所述凸块颗粒贯穿所述连接层，所述凸块颗粒一端附着于所述第一膜层、所述凸块颗粒另一端伸入所述第二膜层，所述凸块颗粒导电，所述凸块颗粒将所述第一膜层与所述第二膜层电连接。
14.根据权利要求1至8任一项所述的接地膜，其特征在于，至少部分所述凸块颗粒从所述导体膜的第二表面伸出构成凸部，所述导体膜包括层叠的第一膜层和第二膜层，且所述第二膜层设于所述第一膜层与所述胶膜层之间；
所述第二膜层导电，所述第二膜层即是所述接地导电层，所述第二膜层与所述凸块颗粒电连接。
15.根据权利要求1至8任一项所述的接地膜，其特征在于，至少部分所述凸块颗粒从所述导体膜的第二表面伸出构成凸部，所述导体膜包括依次层叠设置的第一膜层和第二膜层，且所述第二膜层设于所述第一膜层与所述胶膜层之间；
所述凸块颗粒穿过所述第二膜层附着于所述第一膜层，所述第一膜层导电，所述第一膜层即是所述接地导电层，所述凸块颗粒与所述第一膜层电连接。
16.一种屏蔽膜接地结构，其特征在于，包括屏蔽膜、以及权利要求1-15任一项所述的接地膜，所述屏蔽膜包括层叠设置的绝缘层和屏蔽层；
所述接地膜与所述屏蔽膜层叠，所述胶膜层和所述绝缘层位于所述导体膜与所述屏蔽层之间，所述凸部刺穿所述胶膜层和所述绝缘层，所述凸部与所述屏蔽层电连接。