一种红外接收芯片中控制可变增益放大器的方法与流程

本发明属于传感器领域，具体为一种红外接收芯片中控制可变增益放大器的方法。

背景技术：

作为现代技术三大技术之一的传感技术，近年来得到了快速的应用和发展。

红外远程遥控是一种以红外线为信号载体进行远距离控制的技术，是家电产品、玩具以及其他需要进行远程控制的产品不可或缺的组成部分。

红外遥控接收芯片具有高可靠性、低成本、低功耗、抗干扰能力强等优点，能够实现快速可靠的远程控制。

衡量红外遥控接收芯片的一个最重要的指标是接收距离，要实现比较远的接收距离，就必须要是红外接收芯片中的可变增益放大器的增益变化的斜率要比较小，这样的话可以使接收到的红外信号的幅度衰减的比较慢，以达到比较远的接收距离。

传统的控制可变增益放大器增益调节速率的方法是用电流源对电容进行充电来控制增益变化的速率，见图1所示，但是如果要实现增益变化的速率比较小，那就需要比较大的电容和比较小的电流，而对于集成电路来说，实现大电容要占比较大的芯片面积，而微弱的小电流随工艺的偏差比较大。

技术实现要素：

为了解决现有芯片面积过大，成本高，电流稳定性差的问题，本发明提供了一种外接收芯片中控制可变增益放大器的方法，其能节省大幅度的芯片面积，降低成本，改善电流值的稳定性。

其技术方案是这样的：一种红外接收芯片中控制可变增益放大器的方法，其包括电流源、电容和可变增益方法器，其特征在于，所述电流源一端连接vcc、另一端连接开关的输入端，所述开关的输出端连接所述电容的上极板和所述可变增益方法器的电压控制端，所述开关的控制端连接振荡器的输出端，设电流源的电流值为i，电容的电容值为c，振荡器的输出信号的周期为t、占空比为a，可变增益放大的增益为v*g，其中v为增益控制电压，g为增益常数，则在一个周期t内可变增益放大器的增益g表示为：

g=v*g=[(i*t*a)/c]*g---------------------(1)

通过调整振荡器的输出信号的占空比来控制可变增益放大器的增益变化速率。

采用本发明后，只是增加了开关和振荡器，无需占用较大的芯片面积，成本低，通过调整振荡器的输出信号的占空比来控制可变增益放大器的增益变化速率，变化小而且稳定，从而改善了电流值的稳定性。

附图说明

图1为传统红外接收芯片可变增益放大器增益控制方法；

图2为本发明实现的可变增益放大器的增益控制方法。

具体实施方式

见图2所示，固定电流源201连接到开关205的输入端，开关205的输出端连接电容204的上极板。同时电容204的上极板连接到可变增益放大器203的控制电压端，振荡器202的输出端连接到开关205的控制端。假设电流源201的电流值为i，电容204的电容值为c，振荡器202的输出信号的周期为t，占空比为a，可变增益放大的增益为v*g，其中v为增益控制电压，g为增益常数。则在一个周期t内可变增益放大器203的增益g表示为：

g=v*g=[(i*t*a)/c]*g---------------------(1)

由（1）可知，可以通过调整202的输出信号的占空比来控制可变增益放大器的增益变化速率。如果把振荡器202的输出信号占空比设置的比较小，那就可以实现用比较小的电容c和比较大的电流i来实现比较小的可变增益放大器的增益变化速率，另外在电流值i以及电容值c固定的情况下，可以根据实际的需要通过调整真空比a来调整可变增益放大器的增益变化速率。

技术特征：

1.一种红外接收芯片中控制可变增益放大器的方法，其包括电流源、电容和可变增益方法器，其特征在于，所述电流源一端连接vcc、另一端连接开关的输入端，所述开关的输出端连接所述电容的上极板和所述可变增益方法器的电压控制端，所述开关的控制端连接振荡器的输出端，设电流源的电流值为i，电容的电容值为c，振荡器的输出信号的周期为t、占空比为a，可变增益放大的增益为v*g，其中v为增益控制电压，g为增益常数，则在一个周期t内可变增益放大器的增益g表示为：

g=v*g=[(i*t*a)/c]*g；

通过调整振荡器的输出信号的占空比来控制可变增益放大器的增益变化速率。

技术总结
本发明属于传感器领域，具体为一种红外接收芯片中控制可变增益放大器的方法，其能节省大幅度的芯片面积，降低成本，改善电流值的稳定性，其包括电流源、电容和可变增益方法器，所述电流源一端连接VCC、另一端连接开关的输入端，所述开关的输出端连接所述电容的上极板和所述可变增益方法器的电压控制端，所述开关的控制端连接振荡器的输出端，设电流源的电流值为I，电容的电容值为C，振荡器的输出信号的周期为T、占空比为A，可变增益放大的增益为V*g，其中V为增益控制电压，g为增益常数，则在一个周期T内可变增益放大器的增益G表示为：G=V*g=[(I*T*A)/C]*g；通过调整振荡器的输出信号的占空比来控制可变增益放大器的增益变化速率。

技术研发人员：马辉;朱杰;白月
受保护的技术使用者：无锡思泰迪半导体有限公司
技术研发日：2020.04.24
技术公布日：2020.06.23