一种低插损的非可逆电路元件的制作方法

文档序号:24923948发布日期:2021-05-04 10:34阅读:74来源:国知局
一种低插损的非可逆电路元件的制作方法

本实用新型属于电路元件技术领域,具体涉及一种低插损的非可逆电路元件。



背景技术:

随着5g移动通信技术的崛起,市场对高频设备的需求越来越多,对产品性能的要求也越来越高,现有技术的非可逆电路元件已满足不了日益增长的需求,存在温度波动大,产品稳定性低的问题。

中国专利申请号为2020201041048公开了一种非可逆电路元件,包括壳体,壳体的上方连接有非可逆电路元件本体,非可逆电路元件本体的上方连接有磁铁,磁铁的上方连接有温补片。本实用新型在磁铁与上盖之间增加了温补片,弥补了现有的旋磁片温度性能波动大,从而导致产品温度波动大的问题,稳定了产品的温度性能,从而提高了产品的稳定性。

上述专利虽然解决了产品温度波动大,产品稳定性低的问题,但是仍然存在插入损耗大的问题,插入损耗是输出信号与输入信号的比值,代表的是信号的损失量。插入损耗越小说明信号在经过隔离器后损失就越小,隔离器对信号产生的影响就越小,因此,亟需一种低插损的非可逆电路元件。



技术实现要素:

为解决上述背景技术中提出的问题。本实用新型提供了一种低插损的非可逆电路元件,具有产品插入损耗低的特点。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种低插损的非可逆电路元件,包括壳体,壳体的上方连接有非可逆电路元件本体,非可逆电路元件本体的上方设有上旋磁片,上旋磁片的上方连接有磁铁,磁铁的上方连接有温补片。

作为本实用新型的优选技术方案,壳体的上方连接有上盖,且上盖位于温补片的上方。

作为本实用新型的优选技术方案,非可逆电路元件本体包括印刷电路板,印刷电路板的上方连接有旋磁片。

作为本实用新型的优选技术方案,旋磁片的上方和侧边分别设有若干个铜片,铜片与印刷电路板连接。

作为本实用新型的优选技术方案,铜片之间设有绝缘隔膜。

作为本实用新型的优选技术方案,旋磁片的侧边分别设有若干个电容,电容与印刷电路板连接。

作为本实用新型的优选技术方案,壳体的前后两侧分别连接有护板。

作为本实用新型的优选技术方案,上盖的两侧分别开设有与护板相对应的槽口。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、本实用新型在非可逆电路元件本体4的上方设置了上旋磁片,通过上旋磁片的设置可以降低0.2db的插损,从而使本结构的插损值更小,从而提高了本结构的性能;

2、本实用新型使用了印刷电路板作为载板,印刷电路板的使用可以使电容、电阻、电感等元器件通过贴片机等自动化设备放置到印刷电路板上,弥补了现有人工组装精度低,耗费时间长,产品一致性差的问题;

3、本实用新型在磁铁与上盖之间增加了温补片,弥补了现有的旋磁片温度性能波动大,从而导致产品温度波动大的问题,稳定了产品的温度性能,从而提高了产品的稳定性。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:

图1为本实用新型的结构爆炸示意图;

图2为本实用新型非可逆电路元件本体的结构爆炸示意图;

图3为本实用新型的结构示意图;

图中:1、上盖;2、温补片;3、磁铁;4、非可逆电路元件本体;41、旋磁片;42、绝缘隔膜;43、铜片;44、电容;45、印刷电路板;5、壳体;6、上旋磁片。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

实施例1

请参阅图1-3,本实用新型提供以下技术方案:一种低插损的非可逆电路元件,包括壳体5,壳体5的上方连接有非可逆电路元件本体4,非可逆电路元件本体4的上方设有上旋磁片6,上旋磁片6的上方连接有磁铁3,磁铁3的上方连接有温补片2。

温补片2的结构以及原理在中国专利申请号为2020201041048公开的一种非可逆电路元件中已经公开。

具体的,壳体5的上方连接有上盖1,且上盖1位于温补片2的上方。

通过采用上述技术方案,壳体5与上盖1组装到一起形成一闭合回路,保证电磁信号在内部传播。

具体的,非可逆电路元件本体4包括印刷电路板45,印刷电路板45的上方连接有旋磁片41。

通过采用上述技术方案,旋磁片41使产品按照同一方向进行传输,传输方向不可逆。

具体的,旋磁片41的上方和侧边分别设有若干个铜片43,铜片43与印刷电路板45连接。

通过采用上述技术方案,铜片43形成电感。

具体的,铜片43之间设有绝缘隔膜42。

通过采用上述技术方案,绝缘隔膜42在各个铜片43之间起到绝缘的效果。

具体的,旋磁片41的侧边分别设有若干个电容44,电容44与印刷电路板45连接。

通过采用上述技术方案,电容44形成容量。

实施例2

本实施例与实施例1不同之处在于:具体的,壳体5的前后两侧分别连接有护板。

通过采用上述技术方案,两侧的护板对内部的非可逆电路元件本体4进行保护。

具体的,上盖1的两侧分别开设有与护板相对应的槽口。

通过采用上述技术方案,方便上盖1与壳体5的组装。

综上所述,本实用新型在非可逆电路元件本体4的上方设置了上旋磁片6,通过上旋磁片6的设置可以降低0.2db的插损,从而使本结构的插损值更小,从而提高了本结构的性能;本实用新型使用了印刷电路板作为载板,印刷电路板的使用可以使电容、电阻、电感等元器件通过贴片机等自动化设备放置到印刷电路板上,弥补了现有人工组装精度低,耗费时间长,产品一致性差的问题;本实用新型在磁铁3与上盖1之间增加了温补片2,弥补了现有的旋磁片温度性能波动大,从而导致产品温度波动大的问题,稳定了产品的温度性能,从而提高了产品的稳定性。

最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。



技术特征:

1.一种低插损的非可逆电路元件,包括壳体(5),其特征在于:壳体(5)的上方连接有非可逆电路元件本体(4),非可逆电路元件本体(4)的上方设有上旋磁片(6),上旋磁片(6)的上方连接有磁铁(3),磁铁(3)的上方连接有温补片(2);

非可逆电路元件本体(4)包括印刷电路板(45),印刷电路板(45)的上方连接有旋磁片(41)。

2.根据权利要求1所述的一种低插损的非可逆电路元件,其特征在于:所述壳体(5)的上方连接有上盖(1),且上盖(1)位于温补片(2)的上方。

3.根据权利要求2所述的一种低插损的非可逆电路元件,其特征在于:所述旋磁片(41)的上方和侧边分别设有若干个铜片(43),铜片(43)与印刷电路板(45)连接。

4.根据权利要求3所述的一种低插损的非可逆电路元件,其特征在于:所述铜片(43)之间设有绝缘隔膜(42)。

5.根据权利要求4所述的一种低插损的非可逆电路元件,其特征在于:所述旋磁片(41)的侧边分别设有若干个电容(44),电容(44)与印刷电路板(45)连接。

6.根据权利要求5所述的一种低插损的非可逆电路元件,其特征在于:所述壳体(5)的前后两侧分别连接有护板。

7.根据权利要求6所述的一种低插损的非可逆电路元件,其特征在于:所述上盖(1)的两侧分别开设有与护板相对应的槽口。


技术总结
本实用新型公开了属于电路元件技术领域的一种低插损的非可逆电路元件,包括壳体,壳体的上方连接有非可逆电路元件本体,非可逆电路元件本体的上方设有上旋磁片,上旋磁片的上方连接有磁铁,磁铁的上方连接有温补片;本实用新型在非可逆电路元件本体4的上方设置了上旋磁片,通过上旋磁片的设置可以降低0.2dB的插损,从而使本结构的插损值更小,从而提高了本结构的性能。

技术研发人员:张娟娟;孙晓丹
受保护的技术使用者:浙江省东阳市东磁诚基电子有限公司
技术研发日:2020.08.12
技术公布日:2021.05.04
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