一种超宽带放大器有源偏置电路的制作方法

本实用新型涉及无线通信领域，具体地，涉及一种超宽带放大器有源偏置电路。

背景技术：

现代无线通信系统中，微波放大器的使用十分广泛，而偏置电路是保证该器件能够正常工作的一个重要因素，它为放大器正常工作提供必需的偏置电压和偏置电流。直流偏置电路的理想状态是在直流馈入点获得射频的开路点，但这只能在点频情况下实现。而在具体工程应用中往往都是具有一定带宽的使用要求，且在特定使用情况下需要宽带甚至超宽带的放大器偏置电路。

在微波放大器实际设计电路中，通常采用串联电感和并联电容到地的组合来实现偏置电路，且构成该串联电感和并联电容的形式也比较多样化。如典型的射频偏置电路由一段高阻线和一个低阻线构成。但这样的偏置电路很难实现宽带的应用，只能针对窄带或中等带宽(相对带宽小于50％)的应用场合。因此，设计超宽带的放大器偏置电路是本发明需要解决的工程问题。

技术实现要素：

针对现有技术中的缺陷，本实用新型的目的是提供一种超宽带放大器有源偏置电路。

根据本实用新型提供的一种超宽带放大器有源偏置电路，包括第一mosfet管、第二mosfet管、电阻以及微带传输线，其中：

第一mosfet管与第二mosfet管的漏极结电源vcc；

第一mosfet管与第二mosfet管的栅极互相连接，并同时连接到第一mosfet管的源极上；

第一mosfet管的源极通过电阻连接到地；

第二mosfet管的源极连接到放大器的微带传输线上给放大器供电。

优选地，所述微带传输线为50欧姆微带传输线。

优选地，所述第一mosfet管、第二mosfet管均为n型管。

优选地，所述第一mosfet管、第二mosfet管镜像连接构成电流源。

优选地，所述电阻的阻值为25欧姆。

优选地，电源vcc为+5.5v。

优选地，给放大器供电的电压vdd为+5v。

与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：

1、本实用新型能够解决超宽带微波放大器偏置电路设计问题，使得偏置电路能在dc-20ghz的频率范围内给微波放大器提供正常工作的电压和电路，并对射频信号进行有效阻断作用，使得信号在经过偏置电路时放大器传输方向上的损耗很小。

2、本实用新型能实现带宽dc-20ghz的射频放大器应用。使得放大器的射频通路在dc-20ghz范围内达到传输损耗小于0.5db。

3、本实用新型采用mosfet管构成电流源形式给放大电路提供工作电压和电流，并利用电流源的高阻特性有效地在超宽频段内实现扼高频的特性，从而实现超宽带偏置电路功能。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为超宽带放大器有源偏置电路示意图。

图2为超宽带放大器有源偏置电路驻波仿真结果示意图。

图3为超宽带放大器有源偏置电路插损仿真结果示意。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本实用新型，但不以任何形式限制本实用新型。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本实用新型的保护范围。

如图1至图3所示，根据本实用新型提供的一种超宽带放大器有源偏置电路，整个偏置电路包括第一mosfet管q1、第二mosfet管q2、电阻r以及50欧姆微带传输线，其中：如图1所述第一mosfet管q1与第二mosfet管q2互为镜像。第一mosfet管q1与第二mosfet管q2的漏极结电源vcc，且栅极互联同时连接到第一mosfet管q1源极上，第一mosfet管q1的源极通过电阻r连接到参考地gnd上。第二mosfet管q2的源极连接到放大器射频50欧姆传输线上给放大器供电，从而构成完整的偏置电路。

本发明所述的第一mosfet管q1与第二mosfet管均为n型管。所述的50欧姆传输线为射频传输路径，由双管构成的偏置电路对该传输路径上的射频信号具有阻断作用。

所述的电路r。本实用新型中值为25欧姆，其值可根据放大器工作电压做调整。

所述的偏置电路通过对第一mosfet管q1、第二mosfet管q2的镜像连接构成电流源，可给放大器提供工作所需的电压和电流，本例中vcc为+5.5v，给放大器提供的工作电压vdd为+5v；同时本实用新型利用电流源的高阻特性，在超宽带范围内阻断射频信号的传输，从而实现超宽带偏置电路功能。

图2是本实用新型的驻波结果仿真图。其横坐标为频率，单位ghz，其纵坐标为驻波vswr，由图可看出在0-20ghz频段内其射频通路驻波均小于1.8。图3为射频通路的插入损耗仿真图，由图可看出在0-20ghz频段内插入损耗小于0.5db。结果表明该偏置电路在0-20ghz频段内可较好阻断射频信号传输，但对射频主路信号传输的影响十分小，较好地满足了工程应用。

与现有无源偏置电路相比，本实用新型采用mosfet管构成电流源形式给放大电路提供工作电压和电流，并利用电流源的高阻特性有效地在超宽频段内实现扼高频的特性，从而实现超宽带偏置电路功能。

以上对本实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本实用新型的实质内容。在不冲突的情况下，

本技术：
的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

技术特征：

1.一种超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，包括第一mosfet管、第二mosfet管、电阻以及微带传输线，其中：

第一mosfet管与第二mosfet管的漏极结电源vcc；

第一mosfet管与第二mosfet管的栅极互相连接，并同时连接到第一mosfet管的源极上；

第一mosfet管的源极通过电阻连接到地；

第二mosfet管的源极连接到放大器的微带传输线上给放大器供电。

2.根据权利要求1所述的超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，所述微带传输线为50欧姆微带传输线。

3.根据权利要求1所述的超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，所述第一mosfet管、第二mosfet管均为n型管。

4.根据权利要求1所述的超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，所述第一mosfet管、第二mosfet管镜像连接构成电流源。

5.根据权利要求1所述的超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，所述电阻的阻值为25欧姆。

6.根据权利要求1所述的超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，电源vcc为+5.5v。

7.根据权利要求1所述的超宽带放大器有源偏置电路，其特征在于，给放大器供电的电压vdd为+5v。

技术总结
本实用新型提供了一种超宽带放大器有源偏置电路，包括第一MOSFET管、第二MOSFET管、电阻以及微带传输线，其中：第一MOSFET管与第二MOSFET管的漏极结电源VCC；第一MOSFET管与第二MOSFET管的栅极互相连接，并同时连接到第一MOSFET管的源极上；第一MOSFET管的源极通过电阻连接到地；第二MOSFET管的源极连接到放大器的微带传输线上给放大器供电。本实用新型能够解决超宽带微波放大器偏置电路设计问题，使得偏置电路能在DC‑20GHz的频率范围内给微波放大器提供正常工作的电压和电路，并对射频信号进行有效阻断作用，使得信号在经过偏置电路时放大器传输方向上的损耗很小。

技术研发人员：孙鑫;赵闯
受保护的技术使用者：上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)
技术研发日：2020.12.09
技术公布日：2021.07.30