瓷介电容保护方法

1.本发明涉及空间电子设备中电容保护领域，特别涉及一种瓷介电容抗力学保护方法。


背景技术：

2.用于航天领域的空间电子设备在随运载火箭发射、入轨时需要经历复杂的力学环境，如：严酷的周期振动、随机振动和瞬态冲击等。这些力学环境主要由发动机产生脉动噪声、地面产生输射噪声、气动噪声以及发动机点火、关机、级间分离、航天器与运载火箭分离和附件展开等工作状态组成，这些复杂的力通过结构传递后，会造成结构过应力破坏或疲劳破坏，导致结构完好性破坏以及造成空间电子设备性能降低、工作故障或设备整体失效。
3.因此，用于空间的电子设备需要在地面对装机元器件进行灌胶加固。灌入的液态复合物在常温或加热条件下固化成为性能优异的热固性高分子绝缘材料。可提高电子器件的整体力学性能，提高对外来冲击、震动的抵抗力；
4.现有常规的对元器件灌封保护工艺是将液态复合物用机械或人工的方式将胶灌入装有电子元件、线路的器件内，在固化后对元器件进行保护。但用于航天领域的空间电子设备的瓷介电容，特别是引线式高压瓷介电容，由于电容质量大、体积大，引线两处焊接支撑比较单薄，且引线两端高压的绝缘要求高，所以常规的灌封方式无法满足该器件在航天领域的空间电子设备中的力学性能要求。


技术实现要素：

5.本发明为解决上述的问题，提供一种瓷介电容保护方法。
6.为实现上述目的，本发明采用以下具体技术方案：
7.一种瓷介电容保护方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.s1、将瓷介电容的两根引线弯曲成倒圆弧直角型；
9.s2、将两根引线与电路板进行焊接；
10.s3、分层对瓷介电容与电路板之间进行注胶加固；
11.s4、将两根引线与电路板的焊接处分别进行点胶灌封。
12.优选地，在步骤s1中，两根引线在成型时需要对两根引线的根部进行防护，防止在弯曲成型过程中对两根引线的根部产生损伤。
13.优选地，在步骤s1中，两根引线在弯曲成型时，其圆弧倒角半径要求为两根引线直径的3～5倍。
14.优选地，在步骤s2中，在焊接时，瓷介电容最下端到电路板的垂直距离大于3毫米，使瓷介电容与电路板之间预留出安装空间。
15.优选地，在预留出的安装空间内排列焊接小型元器件。
16.优选地，在步骤s3中，在注胶时用注射器分层从电路板表面开始逐层注胶，直到与瓷介电容连接后，继续注胶至大于瓷介电容下端面积的1/3，形成瓷介电容加固胶结构。
17.优选地，在步骤s4中，两根引线与电路板的焊接处进行点胶灌封后，形成加固胶结构，两个加固胶结构无接触。
18.本发明能够取得以下技术效果：
19.本发明可以提高瓷介电容，特别是引线式高压瓷介电容的抗外来冲击和振动的力学特性，减少随运载火箭发射、入轨时经历复杂力学环境后的损坏风险，提高瓷介电容的可靠性。
附图说明
20.图1是根据本发明实施例的瓷介电容保护方法的情境示意图；
21.图2是根据本发明实施例的瓷介电容保护方法的流程示意图；
22.其中的附图标记包括：1为电路板，2为引线，3为瓷介电容，4为引线与电路板的加固胶结构，5为瓷介电容加固胶结构，r为电容引线圆弧倒角半径，h1为电容引线弯曲角上端到电路板的距离，h2为电容最下端到电路板的垂直距离。
具体实施方式
23.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，而不构成对本发明的限制。
24.下面结合图1和图2对本发明的具体工作方式进行详细说明：
25.s1、将瓷介电容的两根引线2弯曲成倒圆弧直角型。
26.倒圆弧直角型意为：成型后的引线两端其所在直线夹角为直角，但引线中部不可直接弯折成直角，而是要有圆弧过渡，类比于工程上对尖锐直角处倒圆角后的形状；成型时需要对引线的根部进行防护，防护的方法为弯曲时人工用手握住引线的根部，对其施加力用以抵抗弯曲时传递到引线根部的力，防止弯曲成型过程中产生的力传递到根部时，其对根部产生损伤；同时，两根引线在弯曲成型时，其圆弧倒角半径要求为两根引线直径的3～5倍，如此可以防止弯曲时引线破损或折断。
27.s2、将两根引线2与电路板1进行焊接。
28.在引线2弯曲成型后，将两根引线2与电路板1进行焊接；在焊接时，瓷介电容3最下端到电路板1的垂直距离h2要大于3毫米，在瓷介电容3与电路板1之间预留出安装空间，在预留出的安装空间内排列焊接其它所需的小型元器件。
29.s3、分层对瓷介电容3与电路板1之间进行注胶加固。
30.在焊接完其他小型元器件后，用注射器从电路板1的表面开始，分层对瓷介电容3与电路板1之间进行注胶加固，注胶时应缓慢且细致，防止胶水内部进入空气导致凝固后出现气泡，每注胶完一层后，需等待胶水完全冷却凝固，然后再次重复注胶和等待冷却的步骤；在分层注胶过程中，注胶直到与瓷介电容3连接后，还要继续缓慢注胶，直至胶水覆盖瓷介电容3的面积大于瓷介电容3下端面积的1/3后，再停止注胶，如此才可保证胶水粘固牢靠，满足实际使用要求；在胶水冷却后，形成瓷介电容加固胶结构5。
31.s4、将两根引线2与电路板1的焊接处分别进行点胶灌封。
32.在完成瓷介电容加固胶结构5后，将瓷介电容两根引线2与电路板1的焊接处分别
进行点胶灌封，点胶时应缓慢且细致，防止胶水内部进入空气导致凝固后出现气泡，点胶完成后，两根引线2与电路板1分别形成引线与电路板的加固胶结构4；在注胶时应重点注意，这两个加固胶结构不能粘连接触，否则会出现短路现象。
33.综合以上步骤所述，两处引线与电路板的加固胶结构4与瓷介电容加固胶结构5形成了对瓷介电容3的三处灌封加固结构，至此完成了对瓷介电容3的注胶保护。本发明方法可以有效保护瓷介电容，提高其抗外来冲击和振动的力学特性，减少随运载火箭发射、入轨时经历复杂力学环境后的损坏风险，提高瓷介电容的可靠性。
34.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
35.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制。本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
36.以上本发明的具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限定。任何根据本发明的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本发明权利要求的保护范围内。


技术特征：
1.一种瓷介电容保护方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、将瓷介电容的两根引线弯曲成倒圆弧直角型；s2、将所述两根引线与电路板进行焊接；s3、分层对所述瓷介电容与所述电路板之间进行注胶加固；s4、将所述两根引线与所述电路板的焊接处分别进行点胶灌封。2.如权利要求1所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述两根引线在成型时对所述两根引线的根部进行防护。3.如权利要求1所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述的两根引线在弯曲成型时，其圆弧倒角半径要求为所述的两根引线直径的3～5倍。4.如权利要求1所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，在所述步骤s2中，所述瓷介电容的最下端到所述电路板的垂直距离大于3毫米，使所述瓷介电容与所述电路板之间预留出安装空间。5.如权利要求4所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，在所述安装空间中排列焊接小型元器件。6.如权利要求1所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，所述步骤s3中，在注胶时用注射器分层从所述电路板表面开始逐层注胶，直到与所述瓷介电容连接后，继续注胶至大于所述瓷介电容下端面积的1/3，形成瓷介电容加固胶结构。7.如权利要求1所述的瓷介电容保护方法，其特征在于，在所述步骤s4中，所述两根引线与所述电路板的焊接处进行点胶灌封后，形成加固胶结构，所述两个加固胶结构无接触。

技术总结
本发明提供一种瓷介电容保护方法，包括以下步骤：S1、将瓷介电容的两根引线弯曲成倒圆弧直角型；S2、将两根引线与电路板进行焊接；S3、分层对瓷介电容与电路板之间进行注胶加固；S4、将两根引线与电路板的焊接处分别进行点胶灌封。本发明可以提高瓷介电容，特别是引线式高压瓷介电容的抗外来冲击和振动的力学特性，减少随运载火箭发射、入轨时经历复杂力学环境后的损坏风险，提高瓷介电容的可靠性。提高瓷介电容的可靠性。提高瓷介电容的可靠性。


技术研发人员：宋克非 刘世界 陈波 韩振伟
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
技术研发日：2021.05.31
技术公布日：2021/9/3