电平移位器的制作方法

文档序号:28920453发布日期:2022-02-16 12:59阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种电平移位器,包含:一缓冲电路,提供一第一信号以及与该第一信号反相的一第一反向信号;一第一移位电路,电性耦接在一第一系统高电压端以及一系统低电压端之间,并且该第一移位电路用以依据该第一信号以及该第一反向信号提供一第二信号以及与该第二信号反相的一第二反向信号,其中该第一移位电路包含:多个第一叠接晶体管;以及一第一分压电路,电性耦接一第一系统高电压端以及该系统低电压端之间,用以提供一第一内部偏压至该些第一叠接晶体管的栅极端;以及一第二移位电路,电性耦接在一第二系统高电压端以及该系统低电压端之间,其中该第二移位电路依据该第二信号以及该第二反向信号产生多个输出信号。2.如权利要求1所述的电平移位器,其中该第一移位电路还包含:两个上拉晶体管,电性耦接该第一系统高电压端,该两个上拉晶体管分别依据该第一信号以及该第一反向信号而致能;以及两个第一交叉耦合晶体管,电性耦接该系统低电压端,该两个交叉耦合晶体管分别依据该第二信号以及该第二反向信号而致能;其中该些第一叠接晶体管,电性耦接在该两个上拉晶体管以及该两个交叉耦合晶体管之间。3.如权利要求2所述的电平移位器,其中该两个第一交叉耦合晶体管是由具有深n井的n型金属氧化物半导体实施,其中该两个第一交叉耦合晶体管每一者的深n井电性耦接至该第二系统高电压端,其中该两个第一交叉耦合晶体管各自的基极端以及源极端电性耦接。4.如权利要求2所述的电平移位器,其中该第一分压电路包含:两个第一分压晶体管,电性耦接在该第一系统高电压端以及该系统低电压端之间,该两个第一分压晶体管用以提供该第一内部偏压至该些叠接晶体管的栅极端。5.如权利要求1所述的电平移位器,其中该第二移位电路包含:一第二分压电路,电性耦接在该第二系统高电压端以及一接地端之间,用以提供多个第二内部偏压。6.如权利要求5所述的电平移位器,其中该系统低电压端的电压小于该接地端的电压。7.如权利要求5所述的电平移位器,其中该第二移位电路还包含:两个第二交叉耦合晶体管,电性耦接在该第二系统高电压端以及两个第一输出端之间;多个第二叠接晶体管,电性耦接在该两个第一输出端以及两个第二输出端之间,该些第二叠接晶体管分别用以接收该些第二内部偏压中的一部分;多个第三叠接晶体管,电性耦接在该两个第二输出端以及两个第三输出端之间,该些第三叠接晶体管分别用以接收该些第二内部偏压中的另一部分;以及两个下拉晶体管,电性耦接在该两个第三输出端以及该系统低电压端之间,该两个下拉晶体管依据该第二信号以及该第二反向信号而致能,其中该两个第一输出端、该两个第二输出端以及该两个第三输出端用以输出该些输出信号。8.如权利要求7所述的电平移位器,其中该第二分压电路包含:多个第二分压晶体管,电性耦接在该第二系统高电压端以及一节点之间,该些个第二
分压晶体管用以提供该些第二内部偏压中的该部分至该些第二叠接晶体管的栅极端;以及多个第三分压晶体管,电性耦接在该节点以及该接地端之间,该些个第三分压晶体管用以提供该些第二内部偏压中的另该部分至该些第三叠接晶体管的栅极端。9.如权利要求1所述的电平移位器,其中该第二系统高电压端的电压大于该第一系统高电压端的电压。10.如权利要求1所述的电平移位器,其中该第一信号以及该第一反向信号在一正电压域操作,其中该第二信号以及该第二反向信号在一负电压域操作。

技术总结
一种电平移位器包含缓冲电路、第一移位电路以及第二移位电路。缓冲电路提供第一信号以及第一反向信号至第一移位电路,使得第一移位电路提供第二信号以及第二反向信号至第二移位电路。第二移位电路依据第二信号以及第二反向信号产生多个输出信号。并且,第一移位电路包含多个第一叠接晶体管以及第一分压电路。第一分压电路电性耦接第一系统高电压端以及系统低电压端之间,第一分压电路用以提供第一内部偏压至该些第一叠接晶体管的栅极端。部偏压至该些第一叠接晶体管的栅极端。部偏压至该些第一叠接晶体管的栅极端。


技术研发人员:卢弈臻 李旭骐 陈怡然 赵伯颕 庄锦棠 陈忠宏
受保护的技术使用者:友达光电股份有限公司
技术研发日:2021.11.11
技术公布日:2022/2/15
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