一种制作半导体元件的方法与流程

本发明涉及一种制作半导体元件，特别是涉及一种制作磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,mram)元件的方法。

背景技术：

1、已知，磁阻(magnetoresistance,mr)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(mram)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。

2、上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,gps)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,amr)感测元件、巨磁阻(gmr)感测元件、磁隧穿结(magnetic tunneling junction,mtj)感测元件等等。然而，上述现有技术的缺点通常包括：较占芯片面积、制作工艺较昂贵、较耗电、灵敏度不足，以及易受温度变化影响等等，而有必要进一步改进。

技术实现思路

1、本发明一实施例公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,mtj)于一基底上，然后形成一第一金属间介电层于该mtj上，去除部分该第一金属间介电层以形成一受损层于mtj正上方以及一凹槽暴露出受损层，对该受损层进行一紫外光固化制作工艺，之后再进行一平坦化制作工艺去除受损层及部分第一金属间介电层。

技术特征：

1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的方法，其中该基底包含磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,mram)区域以及逻辑区域，该方法包含：

3.如权利要求2所述的方法，另包含：

4.如权利要求2所述的方法，其中该逻辑区域的该第一金属间介电层顶表面低于该磁阻式随机存取存储器区域的该第一金属间介电层顶表面。

5.如权利要求1所述的方法，另包含去除部分该第一金属间介电层以形成受损层以及该凹槽暴露出该受损层。

6.如权利要求1所述的方法，另包含进行该紫外光固化制作工艺于该受损层上。

7.如权利要求1所述的方法，另包含在进行该紫外光固化制作工艺后平坦化该第一金属间介电层。

技术总结
本发明公开一种制作半导体元件的方法，其主要先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)于一基底上，然后形成一第一金属间介电层于该MTJ上，去除部分该第一金属间介电层以形成一受损层于MTJ正上方以及一凹槽暴露出受损层，对该受损层进行一紫外光固化制作工艺，之后再进行一平坦化制作工艺去除受损层及部分第一金属间介电层。

技术研发人员：侯泰成,侯朝钟,林大钧,高苇昕,蔡馥郁,蔡滨祥
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12