用于改进的聚合物-铜粘附的方法与流程

本公开的实施例总体涉及用于改进聚合物膜与金属互连件之间的粘附力的方法。具体而言，本公开的实施例涉及用于改进电子器件中聚合物膜与铜线的粘附的方法。

背景技术：

1、至少部分地由于小型化，单个印刷电路板(pcb)中电子部件的高密度群集的复杂性正在增加。多层布线结构在各个布线层之间使用绝缘膜，并且绝缘膜通过连接导线的通孔分离各个布线层。通孔的形成可通过多种具有不同准确度、精度和孔密度的工艺来完成。例如，使用激光烧蚀的光刻可用于制造通孔。

2、在形成绝缘层之后，在绝缘层中形成布线图案。可重复此工艺以形成具有多个层的器件，从而允许形成更复杂的电子迹线并增加电路部件的数量。

3、当前的电子器件封装工艺将聚合物材料粘合至金属触点上。在一些现有工艺中，聚合物材料(例如，味之素(ajinomoto)积聚膜(abf))形成在铜互连件上。通常，聚合物材料对金属触点的不良粘附导致聚合物从金属上剥脱。这导致涉及这两种材料的单元工艺的可靠性问题。

4、目前解决粘附力差的问题和改进abf与铜之间粘合的最先进方法是通过增加铜的表面粗糙度。这导致信号带宽的损失。

5、因此，在本领域中需要改进用于器件形成的铜衬垫与聚合物材料之间的粘附力的方法。

技术实现思路

1、本公开的一个或多个实施例涉及形成电路板的方法。将具有第一基板表面和第二基板表面的基板暴露于双官能有机化合物，以在第一基板表面上形成粘附层。树脂层沉积在粘附层、第一基板表面和第二基板表面上。

2、本公开的额外实施例涉及形成电路板的方法。将具有铜衬垫和介电表面的基板暴露于双官能有机化合物，以在铜衬垫上形成粘附层。粘附层包含单层或更少的双官能有机化合物。双官能有机化合物具有两个不同的官能团；官能团中的一个官能团与铜衬垫反应，并且官能团中的另一个官能团不与铜衬垫反应。树脂层沉积在粘附层、铜衬垫和介电表面上。通过激光烧蚀移除铜衬垫之上的树脂层的一部分，以穿过树脂层暴露铜衬垫，并随后使树脂层固化。

3、本公开的进一步实施例涉及包括铜衬垫表面的电路板，具有包围所述表面的介电材料。粘附层位于铜衬垫上。粘附层包括具有两个不同官能团的双官能有机化合物；官能团中的一个官能团与铜衬垫反应，并且官能团中的另一个官能团不与铜衬垫反应。树脂层位于粘附层和介电材料上。穿过树脂层形成开口，从而暴露铜衬垫的一部分。

技术特征：

1.一种形成电路板的方法，所述方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一表面包括铜衬垫。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第二表面包括电介质。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述粘附层包括单层或更少的所述双官能有机化合物。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述双官能有机化合物包含两个不同的官能团。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述官能团中的一个官能团与铜反应，并且所述官能团中的另一个官能团不与铜反应。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述官能团中的一个官能团与所述树脂层反应，并且所述官能团中的另一个官能团不与所述树脂层反应。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述双官能有机化合物包括

9.如权利要求1所述的方法，其中将所述基板暴露于所述双官能有机化合物的步骤包括将所述基板浸泡在包含所述双官能有机化合物的溶液中。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述树脂层包括填充二氧化硅的聚合物。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述树脂层包括味之素(ajinomoto)积聚膜(abf)。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述双官能有机化合物的所述官能团中的一个官能团与所述树脂层中的环氧基团反应。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：移除所述第一材料之上的所述树脂层的一部分以暴露所述第一材料。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一材料包括铜，并且穿过所述树脂层暴露铜衬垫。

15.如权利要求13所述的方法，其中移除所述树脂层的一部分的步骤包括激光烧蚀。

16.如权利要求13所述的方法，进一步包括以下步骤：使所述树脂层固化。

17.一种形成电路板的方法，所述方法包括以下步骤：

18.如权利要求17所述的方法，其中所述粘附层包括单层或更少的所述双官能有机化合物，所述双官能有机化合物包括

19.一种电路板，包括：

20.如权利要求19所述的电路板，其中所述粘附层包括单层或更少的所述双官能有机化合物，所述双官能有机化合物包括或羧酸基团(-cooh)被-cox基团取代的类似化合物中的一者或多者，其中x是卤素或nr3，其中每个r独立地为c1-c6烷基、烯基或炔基。

技术总结
描述了形成电路板的方法和使用粘附层的电路板。将具有两个表面的基板暴露于双官能有机化合物，以在第一基板表面上形成粘附层。随后在粘附层和暴露的基板表面上沉积树脂层。可移除树脂层的一部分以暴露用于接触的金属衬垫。

技术研发人员：T·查克拉博蒂,S·文哈弗贝克,陈翰文,C·布赫,P·古拉迪雅,朴起伯,K·赵
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12