复合基板、弹性表面波元件以及复合基板的制造方法与流程

本发明涉及复合基板、弹性表面波元件以及复合基板的制造方法。

背景技术：

1、移动电话等通信设备中，为了取出任意频率的电信号，例如采用利用了弹性表面波的滤波器(saw滤波器)。该saw滤波器具有如下结构，即，在具有压电层的复合基板上形成有电极等(例如参见专利文献1)。

2、然而，近年来，信息通信设备的领域中，要求应对高频带下的通信，上述saw滤波器中，有时从上述压电层发生弹性波泄漏。另一方面，对上述复合基板还要求耐久性(例如加工时的耐久性)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2020-150488号公报

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于，提供将弹性波的能量限制于压电层且耐久性优异的复合基板。

2、本发明的实施方式所涉及的复合基板具有压电层和反射层，该反射层配置于所述压电层的背面侧，且包括高阻抗层、以及包含氧化硅的低阻抗层，在所述压电层的背面侧的端部形成有改性层，所述低阻抗层的密度为2.15g/cm3以上。

3、1个实施方式中，上述改性层的厚度为0.3nm以上。

4、1个实施方式中，上述改性层的厚度为4.5nm以下。

5、1个实施方式中，上述改性层包含非晶质体。

6、1个实施方式中，上述改性层的硅原子的含量小于10atom％。

7、1个实施方式中，上述高阻抗层包含选自由氧化铪、氧化钽、氧化锆以及氧化铝构成的组中的至少1种。

8、1个实施方式中，上述高阻抗层及上述低阻抗层的厚度分别为0.01μm～1μm。

9、1个实施方式中，上述反射层中，上述高阻抗层和上述低阻抗层交替层叠。

10、1个实施方式中，上述复合基板具有在上述反射层的背面侧所配置的支撑基板。

11、1个实施方式中，上述复合基板具有在上述反射层与上述支撑基板之间所配置的接合层。

12、本发明的另一实施方式所涉及的弹性表面波元件包括上述复合基板。

13、根据本发明的另一方面，提供一种复合基板的制造方法。该复合基板的制造方法包括：在具有相互对置的第一主面及第二主面的压电基板的上述第一主面侧的端部形成改性层、在上述压电基板的第一主面侧形成包含氧化硅且密度为2.15g/cm3以上的低阻抗层、以及在形成有上述低阻抗层的上述压电基板的第一主面侧形成高阻抗层。

14、1个实施方式中，上述改性层的厚度为0.3nm以上。

15、1个实施方式中，上述改性层的厚度为4.5nm以下。

16、1个实施方式中，上述制造方法还包括：对形成有上述低阻抗层及上述高阻抗层的上述压电基板的第二主面侧的表面进行研磨。

17、发明效果

18、根据本发明的实施方式，通过具备压电层(压电基板)和包括具有规定密度的低阻抗层的反射层，且在压电层(压电基板)的端部形成有改性层，能够提供将弹性波的能量限制于压电层且耐久性优异的复合基板。

技术特征：

1.一种复合基板，其中，具有：

2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，

3.根据权利要求1或2所述的复合基板，其中，

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的复合基板，其中，

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的复合基板，其中，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的复合基板，其中，

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的复合基板，其中，

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的复合基板，其中，

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的复合基板，其中，

10.根据权利要求9所述的复合基板，其中，

11.一种弹性表面波元件，其中，包括权利要求1至10中的任一项所述的复合基板。

12.一种复合基板的制造方法，其中，包括：

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，

14.根据权利要求12或13所述的制造方法，其中，

15.根据权利要求12至14中的任一项所述的制造方法，其中，

技术总结
本发明提供将弹性波的能量限制于压电层且耐久性优异的复合基板。本发明的实施方式所涉及的复合基板具有压电层和反射层，该反射层配置于所述压电层的背面侧，且包括高阻抗层和包含氧化硅的低阻抗层，在所述压电层的背面侧的端部形成有改性层，所述低阻抗层的密度为2.15g/cm<supgt;3</supgt;以上。

技术研发人员：山本岳士,浅井圭一郎,藤田直辉
受保护的技术使用者：日本碍子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15