电子系统及芯片的制作方法

本发明涉及一种系统及芯片，且特别是有关于一种电子系统及用于耦接于氮化镓晶体管的芯片。

背景技术：

1、氮化镓(gallium nitride,gan)晶体管由于一些的优点而被广泛的使用。但另一方面，氮化镓晶体管同时又具有较低的阀值电压，往往造成电路中较大的功率消耗。

2、现有技术中提出了一些增强型(enhanced mode,e-mode)的氮化镓晶体管，试图降低氮化镓晶体管的功耗。但这些增强型的氮化镓晶体管往往需要特殊工艺来改变氮化镓晶体管的结构，又或者是通过将晶体管与氮化镓晶体管串接(cascode)，因此往往会导致较高的制造成本，或是氮化镓晶体管的电流被串接的晶体管所限制，因而影响氮化镓晶体管的电路表现。

技术实现思路

1、本发明是针对一种电子系统及芯片，其可在改善氮化镓晶体管的制造成本时，又不影响氮化镓晶体管本身的电路表现。

2、根据本发明的实施例，芯片包括第一至第五焊垫、第一及第二压控电流元件、第一及第二偏压元件。第一至第三焊垫分别耦接第一氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极，第三焊垫至第五焊垫分别耦接于第二氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极。第一压控电流元件耦接于第一及第二焊垫。第二压控电流元件耦接于第三及第四焊垫。第一偏压元件耦接于第二及第三焊垫。第二偏压元件耦接于第四及第五焊垫。第一偏压元件依第一压控电流元件的控制以调整第二焊垫的偏压，第二偏压元件依据第二压控电流元件的控制以调整第四焊垫的偏压。

3、根据本发明的实施例，电子系统包括芯片、第一及第二氮化镓晶体管。第一氮化镓晶体管的源极耦接于第二氮化镓晶体管的漏极。芯片包括第一至第五焊垫、第一及第二压控电流元件、第一及第二偏压元件。第一至第三焊垫分别耦接第一氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极，第三焊垫至第五焊垫分别耦接于第二氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极。第一压控电流元件耦接于第一及第二焊垫。第二压控电流元件耦接于第三及第四焊垫。第一偏压元件耦接于第二及第三焊垫。第二偏压元件耦接于第四及第五焊垫。第一偏压元件依第一压控电流元件的控制以调整第二焊垫的偏压，第二偏压元件依据第二压控电流元件的控制以调整第四焊垫的偏压。

4、基于上述，本发明的电子系统及芯片通过氮化镓晶体管、偏压元件及压控电流元件的耦接关系来控制氮化镓晶体管操作为导通及/或截止。

5、本发明的电子系统及芯片可在不需额外工艺来改变氮化镓晶体管本身的结构下，且保留氮化镓晶体管本身高电流及快速切换的优点下，较佳地控制氮化镓晶体管的导通及/或截止，有效避免氮化镓晶体管的漏电流，进而改善电子系统整体的功率消耗。

技术特征：

1.一种芯片，其特征在于，用于控制第一氮化镓晶体管及第二氮化镓晶体管，所述第一氮化镓晶体管的源极耦接于所述第二氮化镓晶体管的漏极，所述芯片包括：

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，更包括：

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一偏压元件包括：

4.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一压控电流元件包括n型金氧半场效晶体管，当所述第一压控电流元件接收到高逻辑电平电压时，所述第一压控电流元件提供所述第一偏压电流至所述第一偏压元件以控制所述第一氮化镓晶体管为截止，

6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一压控电流元件包括第一p型金氧半场效晶体管，当所述第一压控电流元件接收到低逻辑电平电压时，所述第一压控电流元件提供所述第一偏压电流至所述第一偏压元件以控制所述第一氮化镓晶体管为截止，

7.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，更包括：

8.一种电子系统，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的电子系统，其特征在于，所述芯片更包括：

10.根据权利要求8所述的电子系统，其特征在于，所述第一偏压元件包括：

11.根据权利要求9所述的电子系统，其特征在于，所述芯片包括：

12.根据权利要求11所述的电子系统，其特征在于，所述第一压控电流元件包括n型金氧半场效晶体管，当所述第一压控电流元件接收到高逻辑电平电压时，所述第一压控电流元件提供所述第一偏压电流至所述第一偏压元件以控制所述第一氮化镓晶体管为截止，

13.根据权利要求11所述的电子系统，其特征在于，所述第一压控电流元件包括第一p型金氧半场效晶体管，当所述第一压控电流元件接收到低逻辑电平电压时，所述第一压控电流元件提供所述第一偏压电流至所述第一偏压元件以控制所述第一氮化镓晶体管为截止，

14.根据权利要求13所述的电子系统，其特征在于，所述芯片更包括：

技术总结
本发明提供一种电子系统及芯片。芯片包括第一至第五焊垫、第一及第二压控电流元件、第一及第二偏压元件。第一至第三焊垫分别耦接第一氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极，第三焊垫至第五焊垫分别耦接于第二氮化镓晶体管的漏极、源极及栅极。第一压控电流元件耦接于第一及第二焊垫。第二压控电流元件耦接于第三及第四焊垫。第一偏压元件耦接于第二及第三焊垫。第二偏压元件耦接于第四及第五焊垫。第一偏压元件依第一压控电流元件的控制以调整第二焊垫的偏压，第二偏压元件依据第二压控电流元件的控制以调整第四焊垫的偏压。

技术研发人员：陈柏安,吴祖仪
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12