技术特征：
1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；位于所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区内的粒子注入部；位于所述压电基底表面的电极层，所述电极层包括：位于所述第一总线区表面上的第一总线、位于所述第二总线区表面上的第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区和所述叉指重合区表面上，所述第二电极条位于所述第二间隔区和所述叉指重合区表面上。2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，声波在所述叉指重合区传播的波速大于声波在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区传播的波速。3.如权利要求2所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述压电基底还包括：在所述第一方向上，位于所述第一总线区和所述第一间隔区之间的第一假指区、以及位于所述第二总线区和所述第二间隔区之间的第二假指区；所述粒子注入部还位于所述第一假指区和所述第二假指区内；所述第一电极条还位于所述第一假指区表面，所述第二电极条还位于所述第二假指区表面，且所述电极层还包括：与所述第一总线连接的若干第三电极条、以及与所述第二总线连接的若干第四电极条，所述第三电极条位于所述第一假指区表面，所述第三电极条与所述第一电极条在所述第二方向上交替排布，所述第四电极条位于所述第二假指区表面，所述第四电极条与所述第二电极条在所述第二方向上交替排布，并且，在所述第一方向上，所述第三电极条与所述第二电极条在所述第一间隔区的两侧相对，所述第四电极条与所述第一电极条在所述第二间隔区的两侧相对，所述第一电极条的长度、所述第二电极条的长度均大于所述第三电极条的长度，所述第一电极条的长度、所述第二电极条的长度均大于所述第四电极条的长度。4.如权利要求3所述的声表面波谐振装置，其特征在于，声波在所述第一间隔区和所述第二间隔区传播的波速大于声波在所述第一总线区和所述第二总线区传播的波速，声波在所述第一总线区和所述第二总线区传播的波速大于声波在所述第一假指区和所述第二假指区传播的波速。5.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述粒子注入部内掺杂氩离子、氧离子、铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子和氢氧离子中的至少一种。6.一种滤波装置，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至5中任一所述的声表面波谐振装置。7.一种射频前端装置，其特征在于，包括：功率放大装置和至少一个如权利要求6所述的滤波装置，所述功率放大装置与所述滤波装置连接。8.一种射频前端装置，其特征在于，包括：低噪声放大装置和至少一个如权利要求6所述的滤波装置，所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。
9.一种射频前端装置，其特征在于，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如权利要求6所述的滤波装置。10.一种声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；对所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区进行粒子注入，在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区内形成粒子注入部；形成所述粒子注入部后，在所述压电基底表面上形成电极层，所述电极层包括：位于所述第一总线区表面上的第一总线、位于所述第二总线区表面上的第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区和所述叉指重合区表面上，所述第二电极条位于所述第二间隔区和所述叉指重合区表面上。11.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，声波在所述叉指重合区传播的波速大于声波在所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区传播的波速。12.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述压电基底还包括：在所述第一方向上，位于所述第一总线区和所述第一间隔区之间的第一假指区、以及位于所述第二总线区和所述第二间隔区之间的第二假指区；所述声表面波谐振装置的形成方法还包括：对所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区和所述第二总线区进行粒子注入的过程中，还向所述第一假指区和所述第二假指区进行粒子注入，使形成的粒子注入部还位于所述第一假指区和所述第二假指区内。13.如权利要求12所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一电极条还位于所述第一假指区表面，所述第二电极条还位于所述第二假指区表面，且所述电极层还包括：与所述第一总线连接的若干第三电极条、以及与所述第二总线连接的若干第四电极条，所述第三电极条位于所述第一假指区表面，所述第三电极条与所述第一电极条在所述第二方向上交替排布，所述第四电极条位于所述第二假指区表面，所述第四电极条与所述第二电极条在所述第二方向上交替排布，并且，在所述第一方向上，所述第三电极条与所述第二电极条在所述第一间隔区的两侧相对，所述第四电极条与所述第一电极条在所述第二间隔区的两侧相对，所述第一电极条的长度、所述第二电极条的长度均大于所述第三电极条的长度，所述第一电极条的长度、所述第二电极条的长度均大于所述第四电极条的长度。14.如权利要求12所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述对所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区、所述第二总线区、所述第一假指区和所述第二假指区进行粒子注入的方法包括：在所述压电基底表面形成掩膜层，暴露出所述第一总线区、所述第一间隔区、所述第二间隔区、所述第二总线区、所述第一假指区和所述第二假指区；以所述掩膜层为掩膜，对所述压电基底进行粒子注入工艺。15.如权利要求14所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述粒子注入工
艺中注入的粒子包括：氩离子、氧离子、铍离子、钛离子、硅离子、铜离子、氦离子、钆离子、氢离子、氟离子、银离子、铁离子、镍离子和氢氧离子中的至少一种。
技术总结
一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中，声表面波谐振装置包括：压电基底，压电基底包括沿第一方向依次排布的第一总线区、第一间隔区、叉指重合区、第二间隔区和第二总线区；位于第一总线区、第一间隔区、第二间隔区和第二总线区内的粒子注入部；位于压电基底表面的电极层，包括：第一总线、第二总线、与第一总线连接的若干第一电极条、以及与第二总线连接的若干第二电极条，第一电极条和第二电极条在第二方向上交替排布，第一电极条位于第一间隔区和叉指重合区表面上，第二电极条位于第二间隔区和叉指重合区表面上。因此，可减少横向声波泄漏，提升声表面波谐振装置的并联Q值。提升声表面波谐振装置的并联Q值。提升声表面波谐振装置的并联Q值。
技术研发人员：邹雅丽 王斌 韩兴 周建
受保护的技术使用者：常州承芯半导体有限公司
技术研发日：2022.03.01
技术公布日：2022/4/12