一种抗单粒子效应的加固驱动电路的制作方法

1.本发明涉及半导体领域，尤其涉及的是一种抗单粒子效应的加固驱动电路。


背景技术：

2.在空间环境应用的集成电路，不可避免会受到重离子轰击，这会在电路中引起瞬间电压波动，从而因为电路中的逻辑错误，特别对于驱动电路来说，这种逻辑错误如果不能及时识别，将会引起驱动电路的两个功率管直通，同时如果直通瞬间电路没有及时纠正，会导致电路产生较大电流甚至被烧毁。
3.因此，现有技术存在缺陷，需要改进。


技术实现要素：

4.本发明所要解决的技术问题是：提供一种可以大大减小单粒子效应引起的逻辑错误，从而有效提高驱动电路的抗单粒子能力的抗单粒子效应的加固驱动电路。
5.本发明的技术方案如下：一种抗单粒子效应的加固驱动电路，包括上下两个功率管、以及用于分别驱动上下功率管的驱动电路；每一功率管设置有多个驱动电路，并且，在驱动电路与功率管之间还设置有一错误反馈逻辑电路。
6.应用于上述技术方案，所述的抗单粒子效应的加固驱动电路中，每一功率管与其驱动电路之间，还设置有一或非门，每一或非门还分别与所述错误反馈逻辑电路连接。
7.应用于上述各个技术方案，所述的抗单粒子效应的加固驱动电路中，每一功率管设置有三路相同的驱动电路，各路驱动电路并联设置。
8.应用于上述各个技术方案，所述的抗单粒子效应的加固驱动电路中，所述加固驱动电路集成设置在一驱动芯片内，用于驱动与其连接的mos管。
9.应用于上述各个技术方案，所述的抗单粒子效应的加固驱动电路中，所述驱动芯片应用于卫星里面电机的驱动。
10.本发明的有益效果为：
11.本发明通过上下两个功率管110和功率管111的驱动信号in1，in2分别连接三个相同的驱动电路；三个相同的驱动电路可以大大减小单粒子效应出现的错误信号；开启上下功率管需要三个驱动电路同时为开启信号；关闭上下功率管只需要一路关闭信号即可；同时为了防止单粒子效应引起的逻辑错误，导致上下功率管同时导通；反馈上下功率管的栅极输入信号，当栅极输入信号同时为开启信号时，通过两个或非门107和或非门108，同时关闭上下两个功率管；可以大大减小单粒子效应引起的逻辑错误，从而有效提高驱动电路的抗单粒子能力。
附图说明
12.图1为本发明的电路结构图；
13.图2为发明的应用电路图。
具体实施方式
14.以下结合附图和具体实施例，对本发明进行详细说明。
15.本实施例提供一种抗单粒子效应的加固驱动电路，如图1所示，加固驱动电路包括上下两个功率管110和功率管111，驱动电路101、驱动电路102和驱动电路103用于驱动功率管110，其中，驱动电路101、驱动电路102和驱动电路103为相同的驱动电路，并且相互并联设置；并且，驱动电路104、驱动电路105和驱动电路106用于驱动功率管111，其中，驱动电路104、驱动电路105和驱动电路106为相同的驱动电路，并且相互并联设置；如此，通过三个相同的驱动电路可以大大减小单粒子效应出现的错误信号，即在某一驱动电路受到重离子轰击时，其他驱动电路不受影响，可以保证驱动电路的正常工作；并且，通过实践证明，设置三个相同的驱动电路，可以在成本、体积和使用效果达到最佳数量。
16.并且，在驱动电路与功率管之间还设置有一错误反馈逻辑电路109，如此，通过错误反馈逻辑电路109可以实时反馈各驱动电路与功率管是否发生逻辑错误，可以及时对电路做出纠正，避免因直通瞬间电路没有及时纠正，会导致电路产生较大电流甚至被烧毁的问题。
17.并且，在每一功率管与其驱动电路之间，还设置有一或非门，其中，如图1所示，本实施例针对功率管110和功率管111，分别设置有或非门107和或非门108，或非门107和或非门108还分别与所述错误反馈逻辑电路109连接；错误反馈逻辑电路109反馈上下功率管110和功率管111的栅极输入信号，当栅极输入信号同时为开启信号时，通过或非门107和或非门108，分别同时关闭上下两个功率管110和功率管111；同样可以避免因直通瞬间电路没有及时纠正，会导致电路产生较大电流甚至被烧毁的问题。
18.并且，所述加固驱动电路集成设置在一驱动芯片内，用于驱动与其连接的mos管；如图2所示，本实施例固驱动电路集成设置在驱动芯片u1和驱动芯片u2内，驱动芯片u1用于驱动mos管q1和mos管q2；驱动芯片u2用于驱动mos管q3和mos管q4；并且，本实施例的所述加固驱动芯片应用于卫星里面，对卫星里面的电机进行驱动。
19.如此，本发明通过上下两个功率管110和功率管111的驱动信号in1，in2分别连接三个相同的驱动电路；三个相同的驱动电路可以大大减小单粒子效应出现的错误信号；开启上下功率管需要三个驱动电路同时为开启信号；关闭上下功率管只需要一路关闭信号即可；同时为了防止单粒子效应引起的逻辑错误，导致上下功率管同时导通；反馈上下功率管的栅极输入信号，当栅极输入信号同时为开启信号时，通过两个或非门107和或非门108，同时关闭上下两个功率管；可以大大减小单粒子效应引起的逻辑错误，从而有效提高驱动电路的抗单粒子能力。
20.以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种抗单粒子效应的加固驱动电路，包括上下两个功率管、以及用于分别驱动上下功率管的驱动电路；其特征在于，每一功率管设置有多个驱动电路，并且，在各驱动电路与功率管之间还设置有一错误反馈逻辑电路。2.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的加固驱动电路，其特征在于：每一功率管与其驱动电路之间，还设置有一或非门，每一或非门还分别与所述错误反馈逻辑电路连接。3.根据权利要求2所述的抗单粒子效应的加固驱动电路，其特征在于：每一功率管设置有三路相同的驱动电路，各路驱动电路并联设置。4.根据权利要求3所述的抗单粒子效应的加固驱动电路，其特征在于：所述加固驱动电路集成设置在一驱动芯片内，用于驱动与其连接的mos管。5.根据权利要求4所述的抗单粒子效应的加固驱动电路，其特征在于：所述驱动芯片应用于卫星里面电机的驱动。

技术总结
本发明公开了一种抗单粒子效应的加固驱动电路，包括上下两个功率管、用于分别驱动上下功率管的驱动电路；每一功率管设置有多个驱动电路，在驱动电路与功率管之间还设置有一错误反馈逻辑电路。本发明通过上下两个功率管的驱动信号IN1，IN2分别连接三个相同的驱动电路；大大减小单粒子效应出现的错误信号；开启上下功率管需要三个驱动电路同时为开启信号；关闭上下功率管只需要一路关闭信号即可；为了防止单粒子效应引起的逻辑错误，导致上下功率管同时导通；反馈上下功率管的栅极输入信号，当栅极输入信号同时为开启信号时，通过两个或非门，同时关闭上下两个功率管；大大减小单粒子效应引起的逻辑错误，有效提高驱动电路的抗单粒子能力。单粒子能力。单粒子能力。


技术研发人员：万宇航 王莉 宋吉昌 王志敏 耿献亮
受保护的技术使用者：深圳吉华微特电子有限公司
技术研发日：2022.03.22
技术公布日：2022/6/14