薄膜以及制备方法、发光器件及其制备方法与流程

文档序号:35865829发布日期:2023-10-27 00:57阅读:47来源:国知局
薄膜以及制备方法、发光器件及其制备方法与流程

本申请涉及显示,具体涉及一种薄膜以及制备方法、发光器件及其制备方法。


背景技术:

1、量子点电致发光显示技术,由于其波长可调,色彩饱和度高,材料稳定性高,和制备成本低廉等优点,成为了下一代显示技术的最佳候选者。经过了将近二十几年的发展,量子点发光二极管的外量子效率已经由0.01%提升至超过20%,从器件效率方面,量子点发光二极管(qled)已经相当接近有机发光二极管(oled)。然而,尽管量子点器件拥有上述的优势,目前器件的性能仍未完全达到产业化的要求,特别是对于蓝色qled器件来说。

2、目前qled的器件结构与oled相似,通过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构,通过平衡电子和空穴的注入,达到高效发光的效果。器件中电子传输层的材料的稳定性较差,电子传导能力波动明显,且外界环境对性能的影响很大,导致器件的性能波动也较大。

3、因此,亟需提供一种具有优异的电子传输稳定性和电子传导能力的薄膜,以大幅度地提升器件的性能及稳定性。


技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种薄膜的制备方法,可以有效提高薄膜的电子传输效率和稳定性。

2、本申请提供一种薄膜的制备方法,包括如下步骤:

3、采用电子传输材料形成初始薄膜,后置于含有氧气的第一惰性气体环境中,并进行紫外光照射,得到第一预制薄膜;

4、置于含有氧气的第二惰性气体环境中,在所述第一预制薄膜的表面添加配体溶液,得到第二预制薄膜;

5、在第三惰性气体环境中,将所述第二预制薄膜进行退火处理,即得到薄膜。

6、可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一惰性气体环境中的氧气含量为10~100ppm。

7、可选的,在本申请的一些实施例中,所述第二惰性气体环境中的氧气含量小于10ppm。

8、可选的,在本申请的一些实施例中,所述紫外光照射的时间为5~30min,照射功率为50~300w/cm2。

9、可选的,在本申请的一些实施例中,所述配体溶液中含有胺类、羧酸类、硫醇类、卤素中的一种或多种。

10、可选的,在本申请的一些实施例中,所述胺类选自乙醇胺、丙醇胺、已醇胺、已胺、丁胺中的一种或多种。

11、可选的,在本申请的一些实施例中,所述羧酸类选自醋酸锌、乙酸、丙酸中的一种或多种。

12、可选的,在本申请的一些实施例中,所述巯基类选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇、巯基丁醇中的一种或多种。

13、可选的,在本申请的一些实施例中,所述卤素选自氯离子、溴离子、碘离子中的一种或多种。

14、可选的,在本申请的一些实施例中,所述初始薄膜的形成过程包括:沉积电子传输材料,后在50~70℃下加热8~15min,以形成所述薄膜。

15、可选的,在本申请的一些实施例中,在所述第一预制薄膜的表面添加配体溶液后进行静置,所述静置的时间为5~20min。

16、可选的,在本申请的一些实施例中,所述退火处理的时间为30~60min。所述退火处理的温度为100~300℃。

17、可选的,在本申请的一些实施例中,所述紫外光照射的功率为200~300w/cm2,照射的时间为10~30min。

18、可选的,在本申请的一些实施例中,所述电子传输材料包括氧化锌纳米颗粒、氧化钛纳米颗粒、氧化锡纳米颗粒、氧化铟纳米颗粒中的一种或多种。

19、可选的,在本申请的一些实施例中,所述薄膜的厚度为40~60nm。

20、相应的,本申请还提供一种薄膜,由如上所述的方法制备而成。

21、此外,本申请还提供一种发光器件,包括阴极层、阳极层、设置在所述阴极层与所述阳极层之间的发光层,以及设置在所述发光层与所述阴极层之间的电子传输层;其中,所述电子传输层包括如上所述的方法制备得到的薄膜,或者,所述电子传输层包括如上所述的薄膜。

22、此外,本申请还提供一种发光器件的制备方法,包括如下步骤:

23、提供一具有电子传输层的初始薄膜的预制基板;其中所述电子传输层的初始薄膜的材料为电子传输材料;

24、将所述预制基板置于含有氧气的第一惰性气体环境中,对所述电子传输层的初始薄膜进行紫外光照射,得到具有第一预制薄膜的第一基板;

25、将所述第一基板置于含有氧气的第二惰性气体环境中,在所述第一预制薄膜的表面添加配体溶液,得到具有第二预制薄膜的第二基板;在第三惰性气体环境中进行退火处理,即形成电子传输层。

26、可选的,在本申请的一些实施例中,所述预制基板上依次形成有阳极层、发光层、电子传输层的初始薄膜,或所述预制基板上依次形成有阴极层、电子传输层的初始薄膜。

27、可选的,在本申请的一些实施例中,在形成所述电子传输层后形成阴极层,或在形成所述电子传输层后依次形成发光层和阳极层。

28、可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一惰性气体环境中的氧气含量为10~100ppm。所述第二惰性气体环境中的氧气含量小于10ppm。所述紫外光照射的功率为50~300w/cm2,照射的时间为5~30min。所述配体溶液中含有胺类、羧酸类、硫醇类、卤素中的一种或多种。所述在所述第一预制薄膜的表面添加配体溶液后进行静置,所述静置的时间为5~20min。所述退火处理的时间为30~60min。所述退火处理的温度为100~300℃。所述紫外光照射的功率为200~300w/cm2,照射的时间为10~30min。所述电子传输材料包括氧化锌纳米颗粒、氧化钛纳米颗粒、氧化锡纳米颗粒、氧化铟纳米颗粒中的一种或多种。所述电子传输层的厚度为40~60nm。

29、可选的,在本申请的一些实施例中,所述胺类选自乙醇胺、丙醇胺、已醇胺、已胺、丁胺中的一种或多种。所述羧酸类选自醋酸锌、乙酸、丙酸中的一种或多种。所述巯基类选自乙硫醇、丙硫醇、巯基乙醇、巯基丁醇中的一种或多种。所述卤素选自氯离子、溴离子、碘离子中的一种或多种。

30、可选的,在本申请的一些实施例中,所述电子传输层的初始薄膜的形成过程包括:沉积电子传输材料,在50~70℃下加热8~15min。

31、此外,本申请还提供一种显示装置,包括如上述的发光器件。

32、本申请的有益效果在于:

33、本申请在含有氧气的环境中,用高能的紫外线对纳米颗粒堆积而成的薄膜进行处理,氧化氧化物表面的配体以将其去除,使氧化物纳米颗粒彼此聚集成团、氧化锌薄膜更加致密,降低电子在氧化锌纳米颗粒间的传输势垒,提高薄膜的电子传输效率;在表面滴加配体溶液,可以钝化薄膜表面的缺陷,提高薄膜的稳定性,使其不易受外界环境的影响;高温退火处理,可以彻底地去除溶剂和进一步提高薄膜中的氧化物的结晶性。



技术特征:

1.一种薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述第一惰性气体环境中的氧气含量为10~100ppm;和/或

3.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述配体溶液中含有胺类、羧酸类、硫醇类、卤素中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述胺类选自乙醇胺、丙醇胺、已醇胺、已胺、丁胺中的一种或多种;

5.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述初始薄膜的形成过程包括:沉积电子传输材料,后在50~70℃下加热8~15min,以形成所述初始薄膜。

6.根据权利要求1或5所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述在所述第一预制薄膜的表面添加配体溶液后进行静置,所述静置的时间为5~20min;和/或

7.根据权利要求1所述的薄膜的制备方法,其特征在于,所述电子传输材料包括氧化锌纳米颗粒、氧化钛纳米颗粒、氧化锡纳米颗粒、氧化铟纳米颗粒中的一种或多种;和/或

8.一种薄膜,其特征在于,由如权利要求1~7任一项所述的方法制备而成。

9.一种发光器件,其特征在于,包括阴极层、阳极层、设置在所述阴极层与所述阳极层之间的发光层,以及设置在所述发光层与所述阴极层之间的电子传输层;其中,所述电子传输层包括如权利要求1~7任一项所述的方法制备得到的薄膜,或所述电子传输层包括权利要求8所述的薄膜。

10.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

11.根据权利要求10所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述预制基板上依次形成有阳极层、发光层、电子传输层的初始薄膜,或所述预制基板上依次形成有阴极层、电子传输层的初始薄膜。

12.根据权利要求11所述的发光器件的制备方法,其特征在于,在形成所述电子传输层后形成阴极层,或在形成所述电子传输层后依次形成发光层和阳极层。

13.根据权利要求10所述的发光器件的制备方法,其特征在于,

14.根据权利要求10所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述电子传输层的初始薄膜的形成过程包括:沉积电子传输材料,在50~70℃下加热8~15min。

15.根据权利要求13所述的发光器件的制备方法,其特征在于,所述胺类选自乙醇胺、丙醇胺、已醇胺、已胺、丁胺中的一种或多种;


技术总结
本申请公开了一种薄膜以及制备方法、发光器件及其制备方法。所述薄膜的制备方法包括如下步骤:采用电子传输材料形成初始薄膜,后置于含有氧气的第一惰性气体环境中,并进行紫外光照射,得到第一预制薄膜;置于含有氧气的第二惰性气体环境中,在所述第一预制薄膜的表面添加配体溶液,得到第二预制薄膜;在第三惰性气体环境中,将所述第二预制薄膜进行退火处理,即得到薄膜。本申请的制备方法中,在含有氧气的环境中,用高能的紫外线对纳米颗粒堆积而成的氧化物薄膜进行处理,可以氧化氧化物表面的配体将其去除,使氧化物纳米颗粒彼此聚集成团、薄膜更加致密,降低电子在纳米颗粒间的传输势垒,提高氧化锌电子传输层的电子传输效率。

技术研发人员:马兴远
受保护的技术使用者:TCL科技集团股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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