声表面波器件、多工器、射频前端模组及制备方法与流程

本发明属于射频滤波，涉及一种声表面波器件、多工器、射频前端模组及制备方法。

背景技术：

1、声表面波器件(即saw器件)是通信设备的关键器件，其中，saw器件主要包括压电基底和idt电极，但是，idt电极通常设置在压电基底的上表面，这种设置方式会降低saw器件的q值。

技术实现思路

1、本发明提供一种声表面波器件、多工器、射频前端模组及制备方法，旨在解决现有技术中因idt电极通常设置在压电基底的上表面，而导致声表面波器件的q值降低的问题。

2、本发明实施例提供一种声表面波器件，包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及idt电极；所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面；所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；其中，所述压电基底的上表面设有凹槽，所述idt电极形成在所述凹槽内；所述idt电极的厚度小于或等于所述凹槽的深度。

3、可选的，所述idt电极的厚度为h，所述idt电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为l，其中，l/h的范围为0.5-2.167。

4、可选的，所述idt电极的厚度h为0.06λ-0.12λ，λ为idt电极的电极周期。

5、可选的，所述idt电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距l为0.06λ-0.13λ，λ为idt电极的电极周期。

6、可选的，所述压电基底的材质为钽酸锂；所述压电基底的yx切角为40°-55°。

7、可选的，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的yx切角为22°-38°。

8、可选的，所述idt电极的密度小于或等于铜的密度。

9、可选的，所述压电基底的厚度为0.2λ-0.7λ，λ为idt电极的电极周期。

10、可选的，所述布拉格反射层的厚度为0.2λ-1λ；其中，λ为idt电极的电极周期。

11、本发明实施例还提供一种声表面波器件，其特征在于，包括压电基底以及idt电极；其中，所述压电基底的上表面设有凹槽；所述idt电极形成在所述凹槽内；所述idt电极的厚度小于所述凹槽的深度。

12、可选的，所述idt电极的厚度为h，所述idt电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为l，其中，l/h的范围为0.2-1.2。

13、可选的，所述idt电极的厚度为h，所述idt电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为l，其中，l/h的范围为0.7-1.1。

14、可选的，所述idt电极的厚度h为0.06λ-0.11λ，λ为idt电极的电极周期。

15、可选的，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的yx切角为22°-38°。

16、可选的，所述idt电极的密度小于或等于铜的密度。

17、可选的，所述idt电极指的宽度与λ/2的比值在0.35-0.7之间，λ为idt电极的电极周期。

18、可选的，所述压电基底的厚度为0.2λ-0.7λ，λ为idt电极的电极周期。

19、本发明实施例还提供一种多工器，包括上述任意一项所述的声表面波器件。

20、本发明实施例还提供一种射频前端模组，包括上述任意一项所述的声表面波器件。

21、本发明实施例还提供一种声表面波器件的制备方法，包括在衬底的上表面制备布拉格反射层；在所述布拉格反射层的上表面制备压电基底；对所述压电基底进行处理，以在所述压电基底的上表面形成凹槽；在所述凹槽内形成idt电极，其中，所述idt电极的厚度小于或等于所述凹槽的深度。

22、可选的，所述在所述凹槽内形成idt电极，包括：通过溅射法使所述凹槽内填充厚度小于或等于所述凹槽深度的导电材料，以形成idt电极。

23、在本发明实施例提供的声表面波器件、多工器、射频前端模组及制备方法中，将idt电极形成在凹槽内(即idt电极下沉)，可以减少声波在传播过程中的反射途径，进而减少声波间的模态耦合(即减小杂波)，提高声表面波器件的q值。

技术特征：

1.一种声表面波器件，其特征在于，包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及idt电极；所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面；所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；其中，

2.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极的厚度为h，所述idt电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为l，其中，l/h的范围为0.5-2.167。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极的厚度h为0.06λ-0.12λ，λ为idt电极的电极周期。

4.根据权利要求1或2所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距l为0.06λ-0.13λ，λ为idt电极的电极周期。

5.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的材质为钽酸锂；所述压电基底的yx切角为40°-55°。

6.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的yx切角为22°-38°。

7.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极的密度小于或等于铜的密度。

8.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的厚度为0.2λ-0.7λ，λ为idt电极的电极周期。

9.根据权利要求1所述的声表面波器件，其特征在于，所述布拉格反射层的厚度为0.2λ-1λ；其中，λ为idt电极的电极周期。

10.一种声表面波器件，其特征在于，包括压电基底以及idt电极；其中，

11.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极的厚度为h，所述idt电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为l，其中，l/h的范围为0.2-1.2。

12.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极的厚度为h，所述idt电极的上表面与所述压电基底的上表面之间的间距为l，其中，l/h的范围为0.7-1.1。

13.根据权利要求10-12任一项所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极的厚度h为0.06λ-0.11λ，λ为idt电极的电极周期。

14.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的材质为铌酸锂；所述压电基底的yx切角为22°-38°。

15.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极的密度小于或等于铜的密度。

16.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述idt电极指的宽度与λ/2的比值在0.35-0.7之间，λ为idt电极的电极周期。

17.根据权利要求10所述的声表面波器件，其特征在于，所述压电基底的厚度为0.2λ-0.7λ，λ为idt电极的电极周期。

18.一种多工器，其特征在于，包括权利要求1-17任意一项所述的声表面波器件。

19.一种射频前端模组，其特征在于，包括权利要求1-17任意一项所述的声表面波器件。

20.一种声表面波器件的制备方法，其特征在于，包括：

21.根据权利要求20所述的声表面波器件的制备方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成idt电极，包括：

技术总结
本发明涉及一种声表面波器件、多工器、射频前端模组及制备方法，该声表面波器件包括衬底、布拉格反射层、压电基底以及IDT电极；其中，所述布拉格反射层设置在所述衬底的上表面，所述压电基底设置在所述布拉格反射层的上表面；所述压电基底的上表面设有凹槽，所述IDT电极形成在所述凹槽内。在本发明中，将IDT电极形成在凹槽内(即IDT电极下沉)，可以减少声波在传播过程中的反射途径，进而减少声波间的模态耦合(也即减小杂波)，提高声表面波器件的Q值。

技术研发人员：王华磊,刘旻俊,杜波,倪建兴
受保护的技术使用者：锐石创芯（重庆）科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16