存储器结构的制作方法

本发明有关于半导体结构，且特别有关于存储器结构。

背景技术：

1、动态随机存取存储器(dynamic random access memories；drams)为目前常见的一种半导体存储器。传统的dram的结构相当简单，每一个位元的数据都需一个晶体管(1t)跟一个电容(1c)来处理，即1t1c dram。然而，为了适应市场需求，存储器结构的尺寸需要越来越小，因此，传统dram的结构需要进一步的改良。

技术实现思路

1、本发明有关于一种存储器结构。本发明的存储器结构有利于缩小尺寸的存储器，且亦可维持存储器结构的性能表现。

2、根据本发明的一实施例，提出一种存储器结构。存储器结构包括一基板、一第一栅极结构、一第二栅极结构及一第三栅极结构、多个通道本体、多个介电膜以及第一侧插塞。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构设置于基板上，沿着一第一方向彼此分开且分别沿着一第二方向与一第三方向延伸，其中第二栅极结构设置于第一栅极结构与第三栅极结构之间，第一方向、第二方向与第三方向彼此交错。通道本体彼此分开且沿着第一方向穿过第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构。介电膜设置于第一栅极结构与通道本体之间、第二栅极结构与通道本体之间及第三栅极结构与通道本体之间。第一侧插塞电性连接于基板及通道本体。其中，第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构环绕各个介电膜与各个通道本体，且介电膜不包括电荷存储结构。

3、为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附图式详细说明如下：

技术特征：

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，这些通道本体的材料包括单晶硅。

3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，该基板具有一上表面，该上表面平行于该第二方向与该第三方向，且该上表面的法线方向平行于该第一方向。

4.根据权利要求3所述的存储器结构，其特征在于，该基板中邻近于该上表面的区域具有一第一导电类型，这些通道本体具有电性接触于该上表面的一第一端以及远离于该上表面的一第二端，该第二端相对于该第一端，这些通道本体中邻近于该第二端的区域具有该第一导电类型。

5.根据权利要求3所述的存储器结构，其特征在于，该基板中邻近于该上表面的区域具有一第一导电类型，这些通道本体具有电性接触于该上表面的一第一端以及远离于该上表面的一第二端，该第二端相对于该第一端，这些通道本体中邻近于该第二端的区域具有一第二导电类型。

6.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，该基板具有一上表面，该上表面平行于该第一方向与该第二方向，且该上表面的法线方向平行于该第三方向。

7.根据权利要求6所述的存储器结构，其特征在于，该第三栅极结构包括一第一岛状结构、一第二岛状结构及一第三岛状结构，该第一岛状结构、该第二岛状结构及该第三岛状结构分别沿着该第三方向延伸，且沿着该第二方向彼此分开。

8.根据权利要求6所述的存储器结构，其特征在于，各该通道本体具有一第一端及一第二端，该第一端邻近于该第一栅极结构，该第二端邻近于该第三栅极结构，且该第二端相对于该第一端，该存储器结构还包括：

9.根据权利要求8所述的存储器结构，其特征在于，还包括多个第二侧插塞，这些第二侧插塞沿着该第二方向彼此分开，分别沿着该第三方向延伸以电性接触于这些第二侧接垫上的多个着陆区。

10.根据权利要求9所述的存储器结构，其特征在于，这些第二侧插塞在该第三方向上的高度沿着该第二方向递增，这些着陆区形成一阶梯状结构。

技术总结
本发明提供一种存储器结构，包括基板、第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构、通道本体、介电膜以及第一侧插塞。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构设置于基板上，沿着第一方向彼此分开且分别沿着第二方向与第三方向延伸。通道本体彼此分开且沿着第一方向穿过第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构。介电膜设置于第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构与通道本体之间。第一侧插塞电性连接于基板及通道本体。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构环绕各个介电膜与各个通道本体，且介电膜不包括电荷存储结构。

技术研发人员：樊圣亭,陈威臣,吕函庭
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14