图案化半导体层的方法与流程

本揭示内容是关于一种图案化半导体层的方法。

背景技术：

1、具有主动式矩阵可驱动或读取信号的元件具有诸多应用，例如主动矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode，amoled)与影像感测器(photodiode based image sensor)。随着光二极管在半导体产业逐渐微型化，良好的光二极管需通过移除电极与外接导线之间连接处的材料，才能避免电极与外接导线之间形成过高电阻，进而影响电流生成。而且光二极管周围的材料也需移除，以形成良好的封装，维持功能元件的稳定性。因此，光二极管的制程中材料的移除是否干净以及是否位于适当位置移除就显得至关重要。

2、除此之外，光二极管的材料选择也从以往基于硅的材料发展至有机半导体材料、量子点材料或是钙钛矿材料等。相应于材料的转变，光二极管的结构亦改变为由下而上层层堆叠的结构。此种结构在制造过程所使用的光阻类化学品可能与新兴的有机半导体材料、量子点材料或是钙钛矿材料等不相容，例如微影制程中使用的化学物质可能分解有机半导体材料、量子点、钙钛矿材料，使得基于钙钛矿材料的光二极管图案化困难，难以得到良好、不因材料残留而造成过高电阻的电极与外接导线的连接，或是良好、不因材料残留而造成功能元件受损的封装。

技术实现思路

1、本揭示内容是关于一种图案化半导体层的方法，在一些实施方式中方法包括以下操作：形成第一电极及第二电极于基板上；形成具有第一部份位于第二电极的部份上及第二部份位于基板的边缘部份上的图案化高分子层于基板上；沉积半导体层于图案化高分子层、基板及第一电极上；移除图案化高分子层的第一部份及位于第一部份上的半导体层，以在半导体层中形成通孔暴露出第二电极的部份；以及沉积导电块于半导体层上及通孔中。

2、在一些实施方式中，方法更包括在移除图案化高分子层的第一部份及位于第一部份上的半导体层时，同时移除图案化高分子层的第二部份及位于第二部份上的半导体层，以暴露出基板的边缘部份。

3、在一些实施方式中，方法更包括在沉积导电块于半导体层上及通孔中之后，移除图案化高分子层的第二部份及位于第二部份上的半导体层，以暴露出基板的边缘部份。

4、在一些实施方式中，半导体层包括光活性层、载子传递层及其组合，光活性层的材料包括有机半导体、量子点、钙钛矿或其组合。

5、在一些实施方式中，图案化高分子层包括环氧树酯、聚酰亚胺、压克力或其组合。

6、在一些实施方式中，图案化高分子层的第二部份在俯视下具有位于基板的边缘部份上的连续形状。

7、在一些实施方式中，方法更包括在形成图案化高分子层于基板上之前，形成离型层于基板上，以及在移除图案化高分子层的第一部份及位于第一部份上的半导体层时，同时移除第一部份下的离型层。

8、在一些实施方式中，方法更包括移除图案化高分子层的第二部份、第二部份上的半导体层及第二部份下的离型层，以暴露出基板的边缘部份。

9、在一些实施方式中，方法更包括沉积导电块于半导体层上及通孔中之后，移除图案化高分子层的第二部份、第二部份上的半导体层及第二部份下的离型层，以暴露出基板的边缘部份。

10、在一些实施方式中，离型层包括包括水溶性高分子、含氟有机分子或其组合。

技术特征：

1.一种图案化半导体层的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该半导体层包括光活性层、载子传递层或其组合，该光活性层的材料包括有机半导体、量子点、钙钛矿或其组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化高分子层包括环氧树酯、聚酰亚胺、压克力或其组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该图案化高分子层的该第二部份在俯视下具有位于该基板的该边缘部份上的连续形状。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，更包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，更包括：

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，更包括：

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，该离型层包括水溶性高分子、含氟有机分子或其组合。

技术总结
一种图案化半导体层的方法包括以下操作：形成第一电极及第二电极于基板上；形成具有第一部份位于第二电极的部份上及第二部份位于基板的边缘部份上的图案化高分子层于基板上；沉积半导体层于图案化高分子层、基板及第一电极上；移除图案化高分子层的第一部份及位于第一部份上的半导体层，以在半导体层中形成通孔暴露出第二电极的部份；以及沉积导电块于半导体层上及通孔中。本揭示内容解决半导体层因其本身特性而难以与微影制程使用的化学品相容的问题。

技术研发人员：张怡鸣
受保护的技术使用者：天光材料科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16