技术特征：
1.一种滤波器封装结构，其特征在于：包括：滤波器芯片，所述滤波器芯片具有谐振区、位于所述谐振区以外的非谐振区，形成所述滤波器芯片的器件晶圆为减薄后的器件晶圆；盖帽层，位于所述滤波器芯片的正面；第一键合层，所述第一键合层连接于所述滤波器芯片与所述盖帽层之间，且所述第一键合层在所述非谐振区形成闭合环形，所述第一键合层与所述盖帽层围设形成位于所述谐振区的第一空腔；支撑晶圆，支承于所述滤波器芯片的背面。2.如权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述滤波器芯片的厚度区间是[40μm，50μm]。3.如权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述滤波器封装结构还包括连接于所述滤波器芯片的背面与所述支撑晶圆之间的第二键合层；所述第二键合层与所述支撑晶圆围设形成位于所述第一空腔下侧的第二空腔；所述滤波器芯片上具有连通所述第一空腔与所述第二空腔的通孔。4.如权利要求3所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述谐振区具有芯片功能区，位于所述芯片功能区的一侧的所述非谐振区具有芯片焊盘；所述芯片功能区除与芯片焊盘相对应的一侧以外的其他侧具有分隔槽，所述滤波器芯片内部具有与所述分隔槽相连通的预设腔体；所述通孔连通所述预设腔体与所述第二空腔。5.如权利要求4所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述通孔位于所述分隔槽的正下方。6.如权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述第一键合层的高度区间是[7μm，35μm]。7.如权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述盖帽层为盖晶圆。8.一种滤波器封装结构的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：在器件晶圆的正面或者盖帽层的键合面上与器件晶圆中的非谐振区对应的区域成型呈闭合环形的第一键合层，所述器件晶圆具有多个滤波器芯片，每一滤波器芯片包括谐振区以及位于所述谐振区以外的非谐振区；通过第一键合层将所述器件晶圆与所述盖帽层相键合，所述第一键合层与所述盖帽层围设形成位于所述谐振的第一空腔；自所述器件晶圆的背面减薄所述器件晶圆至预设厚度；自所述器件晶圆的背面将支撑晶圆与所述器件晶圆相键合；沿所述器件晶圆的切割区切割，形成单颗的滤波器封装结构。9.如权利要求8所述的滤波器封装结构的制备方法，其特征在于：自所述器件晶圆的背面将支撑晶圆与所述器件晶圆相键合后，在所述支撑晶圆与器件晶圆之间形成位于所述第一空腔下侧的第二空腔；在“自所述器件晶圆的背面将支撑晶圆与所述器件晶圆相键合”之前，所述滤波器封装结构的制备方法还包括如下步骤：在所述器件晶圆上形成用以连通所述第一空腔与第二空腔的通孔。10.如权利要求9所述的滤波器封装结构的制备方法，其特征在于：所述通孔位于所述谐振区除芯片功能区以外的区域。
11.如权利要求9所述的滤波器封装结构的制备方法，其特征在于：“在所述器件晶圆上形成用以连通所述第一空腔与第二空腔的通孔”具体包括如下步骤：在所述器件晶圆与所述盖帽层相键合之前，自所述器件晶圆的正面形成凹槽；在自所述器件晶圆的背面减薄所述器件晶圆至预设厚度之后，自所述器件晶圆的背面刻蚀至与所述凹槽相连通形成所述通孔。12.如权利要求9所述的滤波器封装结构的制备方法，其特征在于：所述谐振区具有芯片功能区，位于所述芯片功能区的一侧的所述非谐振区具有芯片焊盘；所述芯片功能区除与芯片焊盘相对应的一侧以外的其他侧具有分隔槽，所述滤波器芯片内部具有与所述分隔槽相连通的预设腔体；“在所述滤波器芯片上形成用以连通所述第一空腔与第二空腔的通孔”具体为：在自所述器件晶圆的背面减薄所述器件晶圆至预设厚度之后，自所述器件晶圆的背面刻蚀至与所述预设腔体相连通形成所述通孔。13.如权利要求12所述的滤波器封装结构的制备方法，其特征在于：“自所述器件晶圆的背面刻蚀至与所述预设腔体相连通形成所述通孔”具体为：自所述器件晶圆的背面与所述分隔槽相对应的位置处蚀刻至与所述预设腔体相连通形成所述通孔。14.如权利要求11所述的滤波器封装结构的制备方法，其特征在于：“自所述器件晶圆的背面将支撑晶圆与所述器件晶圆相键合”后，所述滤波器封装结构得制备方法还包括如下步骤：减薄所述支撑晶圆以及所述盖帽层。
技术总结
本发明提供一种滤波器封装结构及制备方法，滤波器封装结构包括：滤波器芯片，所述滤波器芯片具有谐振区、位于所述谐振区以外的非谐振区，形成所述滤波器芯片的器件晶圆为减薄后的器件晶圆；盖帽层，位于所述滤波器芯片的正面；第一键合层，所述第一键合层连接于所述滤波器芯片与所述盖帽层之间，且所述第一键合层在所述非谐振区形成闭合环形，所述第一键合层与所述盖帽层围设形成位于所述谐振区的第一空腔；支撑晶圆，支承于所述滤波器芯片的背面；能够有效改善超薄的所述滤波器芯片的稳定性，从而，可以将所述滤波器芯片的厚度减薄至性能最好的尺寸厚度，提高所述滤波器封装结构的性能。能。能。
技术研发人员：胡震 刘昊宇 陈海杰
受保护的技术使用者：江阴长电先进封装有限公司
技术研发日：2022.06.29
技术公布日：2022/11/3