半导体存储器装置的制作方法

本文中描述的实施例大体上涉及一种半导体存储器装置。

背景技术：

1、在例如三维非易失性存储器的半导体存储器装置中，存储器单元三维布置成其中叠多个导电层及多个绝缘层交替堆叠的堆叠体。然而，堆叠体在堆叠方向上部分下沉，因此堆叠体可具有不均匀上表面。

技术实现思路

1、一般来说，根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：第一堆叠体，其包含逐一交替堆叠的多个导电层及多个第一绝缘层且包含在与所述多个导电层的堆叠方向相交的第一方向上布置的存储器区、台阶区及连接区；接触部分，其安置于所述连接区中且使安置于所述第一堆叠体上方及下方的结构彼此电连接；多个第一支柱，其安置于存储器区中，在所述堆叠方向上延伸于所述第一堆叠体中，且在与所述多个导电层的至少一部分的每一相交点处形成存储器单元；多个第二支柱，其包含第二绝缘层，具有不同于所述第一支柱的层结构的层结构，且在所述堆叠方向上延伸于与安置于所述台阶区中的台阶部分重叠的位置中，在所述堆叠方向上，所述多个导电层经处理为在所述台阶部分中呈台阶形状；及多个第三支柱，其在所述堆叠方向上延伸于所述第一堆叠体中且具有相同于所述第一支柱的所述层结构的层结构，所述多个第三支柱的至少一部分安置于所述连接区中。

2、根据实施例，可抑制所述半导体存储器装置的所述堆叠体的下沉。

技术特征：

1.一种半导体存储器装置，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其进一步包括

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中

7.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其进一步包括

11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中

12.一种半导体存储器装置，其包括：

13.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中

14.根据权利要求13所述的半导体存储器装置，其中

15.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其进一步包括

16.根据权利要求15所述的半导体存储器装置，其中

17.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其进一步包括

18.根据权利要求12所述的半导体存储器装置，其中

19.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，其进一步包括

20.根据权利要求18所述的半导体存储器装置，其进一步包括

技术总结
根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含：第一堆叠体，其包含在第一方向上布置的存储器区、台阶区及连接区；多个第一支柱，其安置于所述存储器区中，在堆叠方向上延伸于所述第一堆叠体中；多个第二支柱，其包含第二绝缘层，具有不同于所述第一支柱的层结构的层结构，且在所述堆叠方向上延伸于与在所述堆叠方向上安置于所述台阶区中的台阶部分重叠的位置中；及多个第三支柱，其在所述堆叠方向上延伸于所述第一堆叠体中且具有相同于所述第一支柱的所述层结构的层结构，所述多个第三支柱的至少一部分安置于所述连接区中。

技术研发人员：西村贵仁,西川拓也
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13