半导体存储器件的制作方法

本公开涉及半导体存储器件和/或制造其的方法，具体地，涉及2t-1c(两个晶体管-一个电容器)结构的半导体存储器件和/或制造其的方法。

背景技术：

1、由于其小尺寸、多功能和/或低成本特性，半导体器件被认为是电子工业中的基本元件。随着电子工业的进步，对具有更高集成密度的半导体器件的需求不断增长。为了提高半导体器件的集成密度，可能有必要减小构成半导体器件的图案的线宽。然而，可能需要新颖且昂贵的曝光技术来减小图案的线宽，因此，提高半导体器件的集成密度变得困难。因此，正在积极地进行对用于提高半导体器件的集成密度的创新技术的各种研究。

技术实现思路

1、发明构思的一实施方式提供了一种具有提高的可靠性的半导体存储器件。

2、发明构思的一实施方式提供了一种简化制造半导体存储器件的工艺的方法。

3、根据发明构思的一实施方式，一种半导体存储器件可以包括：第一位线和第二位线，在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；覆盖第一位线和第二位线的层间绝缘层，层间绝缘层包括凹槽，凹槽在第二方向上延伸并与第一位线和第二位线两者交叉；连接到第一位线的第一沟道图案，第一沟道图案与凹槽的第一内侧表面接触，并且第一沟道图案覆盖层间绝缘层的顶表面的一部分；连接到第二位线的第二沟道图案，第二沟道图案与凹槽的第二内侧表面接触，第二内侧表面与第一内侧表面相对，并且第二沟道图案覆盖层间绝缘层的顶表面的另一部分；在凹槽中的字线；第一电极，在层间绝缘层上并与第一沟道图案接触；第二电极，在层间绝缘层上并与第二沟道图案接触；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。

4、根据发明构思的一实施方式，一种半导体存储器件可以包括：第一位线和第二位线，在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；字线，在第一位线和第二位线上沿第二方向延伸；在字线上的电容器，电容器包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的电介质层；将第一位线连接到第一电极的第一沟道图案，第一沟道图案与字线的第一侧表面相邻设置；以及将第二位线连接到第二电极的第二沟道图案，第二沟道图案与字线的第二侧表面相邻设置，第二侧表面与第一侧表面相反。第一沟道图案和第二沟道图案每个可以包括在字线下方与字线重叠的第一图案部分、与字线的第一侧表面和字线的第二侧表面之一相邻的第二图案部分、以及从第二图案部分延伸的第三图案部分。第三图案部分可以从第一图案部分水平地偏移。

5、根据发明构思的一实施方式，一种半导体存储器件可以包括：第一位线和第二位线，在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；覆盖第一位线和第二位线的层间绝缘层，层间绝缘层包括凹槽，凹槽在第二方向上延伸并与第一位线和第二位线两者交叉；连接到第一位线的第一沟道图案，第一沟道图案与凹槽的第一内侧表面接触并覆盖层间绝缘层的顶表面的一部分；连接到第二位线的第二沟道图案，第二沟道图案与凹槽的第二内侧表面接触，并且第二沟道图案覆盖层间绝缘层的顶表面的另一部分；第一位线接触，在第一沟道图案和第一位线之间并将第一沟道图案和第一位线彼此连接；第二位线接触，在第二沟道图案和第二位线之间并将第二沟道图案和第二位线彼此连接；在凹槽中的字线；栅极绝缘层，在字线和第一沟道图案之间以及在字线和第二沟道图案之间；覆盖字线的字线盖层；第一电极，在层间绝缘层上并与第一沟道图案接触；第二电极，在层间绝缘层上并与第二沟道图案接触；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。第一沟道图案和第二沟道图案可以分别与第一位线和第二位线重叠。

6、根据发明构思的一实施方式，一种制造半导体存储器件的方法可以包括：在衬底上形成第一位线和第二位线，第一位线和第二位线在第一方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；形成覆盖第一位线和第二位线的第一层间绝缘层；蚀刻第一层间绝缘层，蚀刻第一层间绝缘层在第一层间绝缘层中形成沟槽；形成第一沟道图案和第二沟道图案，该第一沟道图案和第二沟道图案部分地覆盖沟槽的内侧表面和第一层间绝缘层的顶表面，第一沟道图案和第二沟道图案彼此间隔开；在第一层间绝缘层中形成凹槽，形成凹槽包括蚀刻第一层间绝缘层在沟槽附近的部分；在凹槽和沟槽中形成栅极绝缘层、字线和字线盖层；以及形成分别与第一沟道图案和第二沟道图案接触的第一电极和第二电极。

技术特征：

1.一种半导体存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述第一图案部分和所述第三图案部分彼此水平地偏移。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述字线的底表面具有不平坦的结构。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一电极的底表面具有弯曲形状。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一沟道图案和所述第二沟道图案分别与所述第一位线和所述第二位线重叠。

10.一种半导体存储器件，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，还包括：

12.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中所述第一沟道图案和所述第二沟道图案相对于所述字线具有镜像对称的形状。

13.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中所述字线的底表面具有不平坦的结构。

14.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中

15.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中所述第一电极的底表面具有弯曲形状。

16.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中

17.一种半导体存储器件，包括：

18.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中所述字线的底表面具有不平坦的结构。

19.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中

20.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中

技术总结
一种半导体存储器件可以包括：彼此间隔开的第一位线和第二位线；层间绝缘层，覆盖第一位线和第二位线并包括凹槽，凹槽延伸以与第一位线和第二位线两者交叉；第一沟道图案，连接到第一位线并与凹槽的内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；第二沟道图案，连接到第二位线并与凹槽的另一内侧表面接触并且覆盖层间绝缘层的顶表面；在凹槽中的字线；第一电极和第二电极，在层间绝缘层上并分别与第一沟道图案和第二沟道图案接触；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。

技术研发人员：李炅奂,金容锡,金炫哲,朴种万,禹东秀,李玟浚
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12