防静电线路板的制备方法与流程

本发明涉及电子，尤其涉及一种防静电线路板的制备方法。

背景技术：

1、在电子领域中，电路板是非常重要的元器件，因其连接导通运动的元器件，其表面常常带有电荷，这种电荷的释放往往会击穿电子元器件，传统的办法是将电路板内部加入esd(electro-static discharge，静电释放)导线，然而此种方法导电作用有限，同时，由于电路板越来越细小，其内部的空间往往不够再加入更多的线路，因而就迫切需要有一种新的办法可以解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明实施例提供一种防静电线路板的制备方法，能够制造出具有良好防静电性能和物理机械性能的防静电线路板。

2、本发明一实施例提供一种防静电线路板的制备方法，包括：

3、提供一线路板；

4、在所述线路板的表面上沉积si层；

5、在所述si层上沉积dlc层，得到防静电线路板。

6、作为上述方案的改进，在所述在所述线路板的表面上沉积si层之前，还包括步骤：

7、对所述线路板的表面进行清洗。

8、作为上述方案的改进，所述在所述线路板的表面上沉积si层，具体包括：

9、将所述线路板放置在真空镀膜室中；

10、对所述真空镀膜室进行抽真空，使得所述真空镀膜内的真空度至少为0.8×10-3pa；

11、用带正电的氩气轰击所述真空镀膜室中的si靶，使得轰击出的si离子沉积于所述线路板的表面上。

12、作为上述方案的改进，所述用带正电的氩气轰击所述真空镀膜室中的si靶，使得轰击出的si离子沉积于所述线路板的表面上，具体包括：

13、向所述真空镀膜室内通入氩气，使得所述真空镀膜室内的气压控制在0.3-0.8pa；

14、开启所述真空镀膜室中的si靶，并在所述线路板上施加负偏压，使得氩气进行辉光放电形成带正电的氩气；其中，所述si靶的靶电流为1.0-1.5a，负偏压为100-150v，偏压频率为150-200khz；

15、用带正电的氩气轰击所述si靶，使得轰击出的si离子沉积于所述线路板的表面上；其中，沉积时间为5-15分钟。

16、作为上述方案的改进，所述si层的厚度为150-200纳米。

17、作为上述方案的改进，所述在所述si层上沉积dlc层，得到防静电线路板，具体包括：

18、向所述真空镀膜室内通入碳氢气体，使得所述真空镀膜室内的真空度达到2.5-4pa；

19、用离子枪对所述碳氢气体进行电离，产生碳等离子体；

20、通过所述碳等离子体在所述si层上沉积dlc层，得到防静电线路板。

21、作为上述方案的改进，所述离子枪所接通的电源为2000-2500v，电流为0.05-0.15a。

22、作为上述方案的改进，在所述通过所述碳等离子体在所述si层上沉积dlc层的步骤中，所述线路板上施加频率为130-170khz、电压为-120至-150v的偏压，沉积时间为20-30分钟。

23、作为上述方案的改进，所述碳氢气体为ch4、c2h2、c6h6和c4h10中的任意一种。

24、作为上述方案的改进，所述dlc层的厚度为1-500纳米。

25、与现有技术相比，本发明实施例公开的防静电线路板的制备方法，通过在线路板的表面上沉积si层，再在所述si层上沉积dlc层，其中，si层起到粘合作用，同时能够减少动能的冲击，dlc(diamond-like carbon，类金刚石)层起到防静电作用，同时还能提高线路板的耐磨和耐蚀性，由此，能够制造出具有良好防静电性能和物理机械性能的防静电线路板。

技术特征：

1.一种防静电线路板的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，在所述在所述线路板的表面上沉积si层之前，还包括步骤：

3.如权利要求1所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，所述在所述线路板的表面上沉积si层，具体包括：

4.如权利要求3所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，所述用带正电的氩气轰击所述真空镀膜室中的si靶，使得轰击出的si离子沉积于所述线路板的表面上，具体包括：

5.如权利要求1所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，所述si层的厚度为150-200纳米。

6.如权利要求3所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，所述在所述si层上沉积dlc层，得到防静电线路板，具体包括：

7.如权利要求6所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，所述离子枪所接通的电源为2000-2500v，电流为0.05-0.15a。

8.如权利要求6所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，在所述通过所述碳等离子体在所述si层上沉积dlc层的步骤中，所述线路板上施加频率为130-170khz、电压为-120至-150v的偏压，沉积时间为20-30分钟。

9.如权利要求6所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，所述碳氢气体为ch4、c2h2、c6h6和c4h10中的任意一种。

10.如权利要求1所述的防静电线路板的制备方法，其特征在于，所述dlc层的厚度为1-500纳米。

技术总结
本发明公开了一种防静电线路板的制备方法，包括：提供一线路板；在所述线路板的表面上沉积Si层；在所述Si层上沉积DLC层，得到防静电线路板。采用本发明实施例，能够制造出具有良好防静电性能和物理机械性能的防静电线路板。

技术研发人员：冯明章
受保护的技术使用者：东莞新科技术研究开发有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/11