高压开关的制作方法

背景技术：

1、在过去的几十年中，半导体制造技术已经发展到不断减小半导体器件的尺寸。在1971年，10微米半导体工艺技术盛行(10微米测量是指使用该工艺技术生产的存储器单元的平均半间距)。到1990年，实现了600纳米工艺技术，并且到2020年，已经实现了5纳米工艺技术。

技术实现思路

1、在一些示例中，一种开关包括第一类型的第一和第二漏极扩展晶体管、第二类型的第三和第四漏极扩展晶体管、耦合在第一和第三漏极扩展晶体管的漏极之间的开关输入端、耦合在第二和第四漏极扩展晶体管的漏极之间的开关输出端，以及控制输入端。该控制输入端耦合到第一和第二漏极扩展晶体管的栅极、第一开关、第二开关和第三开关，第一开关耦合到第一和第二漏极扩展晶体管的源极，第二开关耦合在电压源与第三和第四漏极扩展晶体管的栅极之间，并且第三开关耦合在电压源与第三和第四漏极扩展晶体管的源极之间。该控制输入端包括耦合在第三和第四漏极扩展晶体管的源极与第三和第四漏极扩展晶体管的栅极之间的第五漏极扩展晶体管。

技术特征：

1.一种开关，其包括：

2.根据权利要求1所述的开关，其中所述第一类型包括n型场效应晶体管即fet。

3.根据权利要求1所述的开关，其中所述第二类型包括p型fet。

4.根据权利要求1所述的开关，其中所述第五漏极扩展晶体管是n型fet。

5.根据权利要求1所述的开关，其进一步包括耦合到所述第五漏极扩展晶体管的源极并耦合到所述第三漏极扩展晶体管和所述第四漏极扩展晶体管的所述栅极的晶体管。

6.根据权利要求5所述的开关，其进一步包括耦合到所述第五漏极扩展晶体管的源极并耦合到所述晶体管的源极的偏置电流源。

7.根据权利要求5所述的开关，其进一步包括耦合到所述晶体管的漏极并耦合到所述第三漏极扩展晶体管和所述第四漏极扩展晶体管的所述栅极的偏置电流源。

8.根据权利要求1所述的开关，其中所述第一开关包括第一对p型fet，并且所述第二开关包括第二对p型fet。

9.根据权利要求1所述的开关，其中所述第五漏极扩展晶体管包括耦合到所述第三漏极扩展晶体管和所述第四漏极扩展晶体管的所述源极的栅极、耦合到所述电压源的漏极以及耦合到偏置电流源的源极。

10.一种开关，其包括：

11.根据权利要求10所述的开关，其中所述第一对漏极扩展晶体管包括第一n型场效应晶体管即fet和第二n型fet，所述第一n型fet的漏极耦合到所述开关输入端并且所述第二n型fet的漏极耦合到所述开关输出端。

12.根据权利要求10所述的开关，其中所述第二对漏极扩展晶体管包括第一p型fet和第二p型fet，所述第一p型fet的漏极耦合到所述开关输入端并且所述第二p型fet的漏极耦合到所述开关输出端。

13.根据权利要求10所述的开关，其中所述晶体管的栅极耦合到所述第二对漏极扩展晶体管的所述源极，所述晶体管的漏极耦合到电压源，并且所述晶体管的源极耦合到偏置电流源。

14.根据权利要求10所述的开关，其中所述晶体管是第一晶体管，并且所述开关进一步包括耦合在所述第一晶体管与所述第二对漏极扩展晶体管的所述栅极之间的第二晶体管。

15.根据权利要求14所述的开关，其进一步包括耦合到所述第二晶体管的偏置电流源。

16.根据权利要求10所述的开关，其中所述晶体管是漏极扩展n型fet。

17.一种片上系统即soc，其包括：

18.根据权利要求17所述的soc，其中所述晶体管是p型漏极扩展场效应晶体管即fet，其具有耦合到所述第二对漏极扩展晶体管的所述源极的栅极、耦合到电压源的漏极和耦合到偏置电流源的源极。

19.根据权利要求17所述的soc，其中所述第二开关和所述第三开关中的每一个包括不同的一对fet，每一对fet包括不同的漏极扩展fet。

20.根据权利要求17所述的soc，其中所述第一开关是漏极扩展fet。

技术总结
本申请题为“高压开关”。在一些示例中，一种开关(100)包括第一类型的第一和第二漏极扩展晶体管(104、106)、第二类型的第三和第四漏极扩展晶体管(108、110)、耦合在第一和第三漏极扩展晶体管的漏极之间的开关输入端(112)、耦合在第二和第四漏极扩展晶体管的漏极之间的开关输出端(114)，以及控制输入端(111)。控制输入端耦合到第一和第二漏极扩展晶体管的栅极、第一开关(118)、第二开关(122)和第三开关(120)，第一开关(118)耦合到第一和第二漏极扩展晶体管的源极，第二开关(122)耦合在电压源与第三和第四漏极扩展晶体管的栅极之间，并且第三开关(120)耦合在电压源与第三和第四漏极扩展晶体管的源极之间。控制输入端包括耦合在第三和第四漏极扩展晶体管的源极与第三和第四漏极扩展晶体管的栅极之间的第五漏极扩展晶体管(200)。

技术研发人员：A·K·达斯,B·R·艾丽斯
受保护的技术使用者：德克萨斯仪器股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13