集成电路装置的制作方法

发明构思的实施例涉及一种集成电路装置，更具体地，涉及一种包括电容器的集成电路装置。

背景技术：

1、用户电子装置最近已经变得无处不在。半导体装置用于处理数字信息的若干用户电子装置中。例如，移动电话、手表、个人计算机等都使用半导体装置。例如，半导体装置用于实现显示器、处理器、存储器等。

2、随着这些电子器件的不断发展，半导体装置已经迅速缩小，因此装置内的图案已经变得更小。诸如更精细节距的布线、更薄的绝缘件和连接层等的图案都已经被开发，以增加空间的利用。然而，图案和连接件的尺寸的减小也可能导致不期望的电特性(诸如电荷损失)以及相邻组件中的电荷和数据的变化。因此，需要开发允许精细尺寸电容器具有减小的漏电流并保持期望的电特性的结构。

技术实现思路

1、发明构思提供了一种集成电路装置，该集成电路装置具有通过防止作为存储节点的下电极之间的桥接而允许电容器具有减小的漏电流并允许电容器保持期望的电特性的结构。

2、根据发明构思的一方面的集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，其中，高k界面层布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，并且其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。

3、根据发明构思的另一方面的集成电路装置包括：基底，包括有源区域；导电区域，设置在有源区域上；电容器，设置在导电区域上；以及绝缘支撑图案，支撑电容器的一部分，其中，电容器包括：下电极，包括接触绝缘支撑图案的部分；介电膜，至少部分地围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，并且其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。

4、根据发明构思的另一方面的集成电路装置包括：基底，包括有源区域；多个导电区域，设置在有源区域上；绝缘图案，设置在所述多个导电区域上并且在与基底平行的水平方向上延伸，绝缘图案包括与所述多个导电区域竖直叠置的多个开口；多个下电极，通过所述多个开口穿透绝缘图案并且连接到所述多个导电区域，其中，所述多个下电极中的每个包括第一金属；绝缘支撑图案，在竖直方向上与绝缘图案分开设置以在水平方向上延伸，绝缘支撑图案接触所述多个下电极中的每个的一部分以支撑所述多个下电极；介电膜，覆盖所述多个下电极、绝缘图案和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在所述多个下电极与介电膜之间、绝缘支撑图案与介电膜之间以及绝缘图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与所述多个下电极中的每个相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与所述多个下电极中的每个之间，并且其中，上电极包括第二金属。

技术特征：

1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，高k界面层接触下电极和绝缘支撑图案两者。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，高k界面层包括设置在绝缘支撑图案与介电膜之间的第一界面部分，并且还包括设置在下电极与介电膜之间的第二界面部分，

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，高k界面层包括：

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，高k界面层包括设置在绝缘支撑图案与介电膜之间的第一界面部分和设置在下电极与介电膜之间的第二界面部分，并且

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，高k界面层还包括至少一种掺杂剂元素，所述至少一种掺杂剂元素包括不同于锆的金属元素，并且

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，高k界面层还包括掺杂剂元素，其中所述掺杂剂元素是铝、铌、钼、钌、铟、锡、锑、钪、钛、钒、锰、铁、钴、镍、砷、钽、钨、铱、钇和铋中的一种。

8.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括：

9.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，高k界面层还包括至少一种掺杂剂元素，所述至少一种掺杂剂元素包括典型金属、过渡金属或后过渡金属。

11.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，高k界面层包括第一界面部分和第二界面部分，其中，第一界面部分布置在绝缘支撑图案与介电膜之间并接触绝缘支撑图案，并且其中，第二界面部分布置在下电极与介电膜之间并接触下电极，

12.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，高k界面层包括：

13.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，绝缘支撑图案包括氮化硅膜、碳氮化硅膜、硼氮化硅膜或它们的组合。

14.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，下电极包括第一金属元素，

15.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，下电极包括第一金属元素，

16.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中，高k界面层还包括掺杂剂元素，其中，所述掺杂剂元素是铝、铌、钼、钌、铟、锡、锑、钪、钛、钒、锰、铁、钴、镍、砷、钽、钨、铱、钇或铋。

17.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

18.根据权利要求17所述的集成电路装置，其中，高k界面层包括多个界面簇，所述多个界面簇具有彼此间隔开的多个岛形状，并且

19.根据权利要求17所述的集成电路装置，其中，高k界面层包括设置在绝缘支撑图案与介电膜之间的第一界面部分、设置在所述多个下电极与介电膜之间的第二界面部分以及接触绝缘图案的第三界面部分，并且

20.根据权利要求17所述的集成电路装置，其中所述多个下电极和上电极中的每个包括tin、nbn、con、sno2和它们的组合中的至少一者，

技术总结
提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。

技术研发人员：全寅铎,林汉镇,丁炯硕,崔在亨
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13