具有低晶界密度的电路板和其形成方法与流程

本
技术实现要素：
是关于电路板和其形成方法，且特别是关于具有低晶界密度的线路层的线路板。

背景技术：

1、电路板工艺通常包括在种子层(seed layer)上形成线路层之后蚀刻移除多余的种子层，从而形成具有特定图案的线路。然而，在蚀刻种子层的过程中，线路层可能也受到蚀刻剂的咬蚀而造成线路层的厚度或宽度损失，使得电路板中的线路宽度与密度受到限制而影响电路板的功能表现。因此，如何克服上述问题以提升现有电路板的表现是本领域重要的课题。

技术实现思路

1、根据本发明一些实施方式，一种电路板包括第一线路层、位于第一线路层上的介电层、位于介电层上且接触第一线路层的种子层，其中种子层的顶表面包括整平部分。电路板还包括位于种子层的整平部分上的第二线路层，其中第二线路层的晶界密度小于接触第一线路层的部分的种子层的晶界密度。

2、在一些实施方式中，第二线路层的晶界密度介于每10微米长度1至2个晶界间。

3、在一些实施方式中，种子层的整平部分的厚度介于1埃至2埃间。

4、在一些实施方式中，第二线路层的走线宽度介于7微米至9微米间。

5、在一些实施方式中，种子层和第二线路层包括相同的金属材料。

6、根据本发明一些实施方式，一种形成电路板的方法包括提供基板、基板上的第一线路层和覆盖第一线路层的介电层、在介电层中形成暴露部分的第一线路层的开口、在介电层上和开口中形成接触第一线路层的种子层、使用金属整平剂处理种子层以使种子层的顶表面形成整平部分、在种子层的整平部分上形成晶界密度介于每10微米长度1至2个晶界间的第二线路层，及移除第二线路层所暴露的部分的种子层。

7、在一些实施方式中，金属整平剂选自于过氧化氢、有机酸以及无机酸所组成的族群。

8、在一些实施方式中，方法进一步包括在使用金属整平剂之前在种子层上形成遮罩层，其中遮罩层包括暴露部分的种子层的开口，及在形成第二线路层之后移除遮罩层。

9、在一些实施方式中，金属整平剂蚀刻遮罩层所暴露的部分的种子层的顶表面。

10、在一些实施方式中，移除第二线路层所暴露的部分的种子层包括使用蚀刻剂蚀刻种子层，蚀刻剂对种子层的蚀刻速率大于蚀刻剂对第二线路层的蚀刻速率。

11、根据上述实施方式，本发明的电路板的线路层具有比种子层低的晶界密度，因此可以在种子层的移除工艺中维持线路层的线路宽度，从而提供线路层的细线宽走线与高线路密度，使得电路板的功率得以提升。

技术特征：

1.一种电路板，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，该第二线路层的该晶界密度介于每10微米长度1至2个晶界间。

3.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，该种子层的该整平部分的厚度介于1埃至2埃间。

4.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，该第二线路层的走线宽度介于7微米至9微米间。

5.如权利要求1所述的电路板，其特征在于，该种子层和该第二线路层包括相同的金属材料。

6.一种形成电路板的方法，其特征在于，包括：

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该金属整平剂选自于过氧化氢、有机酸以及无机酸所组成的族群。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括：

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该金属整平剂蚀刻该遮罩层所暴露的部分的该种子层的该顶表面。

10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，移除该第二线路层所暴露的部分的该种子层包括使用蚀刻剂蚀刻该种子层，该蚀刻剂对该种子层的蚀刻速率大于该蚀刻剂对该第二线路层的蚀刻速率。

技术总结
本发明提供一种电路板，包括第一线路层、位于第一线路层上的介电层、位于介电层上且接触第一线路层的种子层，其中种子层的顶表面包括整平部分。电路板还包括位于种子层的整平部分上的第二线路层，其中第二线路层的晶界密度小于接触第一线路层的部分的种子层的晶界密度。由于第二线路层相比种子层具有低晶界密度，因此在移除种子层的工艺中得以维持第二线路层的线宽，从而可以降低第二线路层的线路宽度、增加其线路密度，并且提升电路板的功率表现。

技术研发人员：陈建融,梁家豪,林青谷
受保护的技术使用者：欣兴电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/22