本公开的技术大体上涉及表面声波和减少杂散在谐振频率周围的横模的方式。
背景技术:
1、表面声波(saw)装置,例如saw谐振器和saw滤波器,用于例如射频(rf)滤波器等许多应用。例如,saw滤波器通常用于第二代(2g)、第三代(3g)和第四代(4g)无线收发器前端、双工器和接收滤波器中。saw滤波器的广泛使用至少部分是由于saw滤波器表现出低插入损耗和良好的抑制,可实现宽带宽,并且大小是传统腔体和陶瓷滤波器大小的一小部分。与任何电子装置一样,saw装置的性能是可能影响系统整体性能的重要参数。在这点上,需要高性能saw装置。一种此类解决方案是引导式saw装置。
2、引导式saw装置(即,具有引导式saw结构的saw装置)具有分层衬底,其中这里称为压电层的压电材料层接合或沉积在(例如,直接在)支撑或载体衬底的表面上。与常规saw装置相比,引导式saw装置具有改进的品质因数(q)、改进的机电耦合因数(k2)和改进的频率温度系数(tcf)。然而,在引导式saw结构中通常生成不合需要的杂散模,这阻碍了引导式saw装置的实际使用。具体地说,在引导式saw装置中,生成高于引导式saw装置的谐振频率的杂散模,由此可能无法满足带外抑制规范。因此,仍需要改进saw装置的性能。
技术实现思路
1、在详细描述中公开的各方面包含具有横模抑制的表面声波(saw)结构。具体地说,本公开的示例性方面提供了具有宽的内部末端形状的指件或指形件。通过提供此类形状,抑制了高于saw结构谐振频率的杂散模,由此提供了所要的带外抑制,这有助于满足设计准则,例如保持较高的品质因数(q)值、较高的机电耦合因数(k2)值和更好的频率温度系数(tcf)。
2、在这点上,在一个方面,公开一种saw滤波器。saw滤波器包括第一叉指形电极,所述第一叉指形电极包括第一指形件。第一指形件沿第一指形件的纵向轴线对于第一长度具有第一宽度,并且在第一指形件的末端部分沿第一指形件的纵向轴线对于第二长度具有第二宽度。所述saw滤波器还包括第二叉指形电极。
1.一种表面声波saw滤波器,包括:
2.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,其中所述第一叉指形电极在所述saw滤波器的长度方向上变迹。
3.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,其中所述第一叉指形电极在所述saw滤波器的长度方向上以波图案变迹。
4.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,其中所述第二宽度大于所述第一宽度但小于所述第一宽度的三倍。
5.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,其中所述第二宽度大于所述第一宽度,小于所述第一宽度的2.5倍。
6.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,其中所述第一指形件的所述末端部分具有对应于所述第二宽度乘以所述第二长度的面积,并且此面积小于大约0.7λ2,其中λ是所述saw滤波器的叉指换能器idt周期。
7.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,其中所述第一指形件的所述末端部分具有对应于所述第二宽度乘以所述第二长度的面积,并且此面积小于大约0.3λ2,其中λ是所述saw滤波器的叉指换能器idt周期。
8.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,其中所述第二叉指形电极包括第二指形件,所述第二指形件对于第三长度具有第三宽度并且在所述第二指形件的第二末端部分对于第四长度具有第四宽度。
9.根据权利要求8所述的表面声波saw滤波器,还包括所述第一指形件与所述第二指形件之间的间隙。
10.根据权利要求9所述的表面声波saw滤波器,其中所述间隙在大约0.1微米与0.24λ之间,其中λ是所述saw滤波器的叉指换能器idt周期。
11.根据权利要求9所述的表面声波saw滤波器,其中所述间隙在大约0.1微米与0.14λ之间,其中λ是所述saw滤波器的叉指换能器idt周期。
12.根据权利要求8所述的表面声波saw滤波器,其中存在由所述第一指形件和所述第二指形件限定的交叉宽度。
13.根据权利要求12所述的表面声波saw滤波器,其中所述交叉宽度大于5λ,其中λ是所述saw滤波器的叉指换能器idt周期。
14.根据权利要求12所述的表面声波saw滤波器,其中所述交叉宽度大于λ,其中λ是所述saw滤波器的叉指换能器idt周期。
15.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,其中所述末端部分包括圆角部分。
16.根据权利要求1所述的表面声波saw滤波器,还包括压电层,所述第一叉指形电极和所述第二叉指形电极定位在所述压电层上。
17.根据权利要求16所述的表面声波saw滤波器,其中所述压电层包括钽酸锂或铌酸锂中的一者。
18.根据权利要求16所述的表面声波saw滤波器,还包括支撑衬底,其中所述压电层接合在所述支撑衬底上。
19.根据权利要求16所述的表面声波saw滤波器,其中所述压电层具有小于5λ的厚度,其中λ是所述saw滤波器的叉指换能器idt周期。
20.根据权利要求18所述的表面声波saw滤波器,还包括在所述压电层与所述支撑衬底之间的二氧化硅层。