一种石英晶体谐振器基座的制作方法与流程

1.本发明涉及电子元器件制造技术领域，尤其涉及一种石英晶体谐振器基座的制作方法。


背景技术：

2.石英晶体谐振器基座工作原理是利用石英晶体（二氧化硅，单结晶结构α石英）的逆压电效应制成的一种谐振器件。目前石英晶体谐振器基座已成为今后数码信息社会的重要部件，其主要市场领域为通信领域、产业用、民生用电子设备领域；石英晶体元件具有高精密、高稳定性的特点，广泛应用与需要稳频和选频的各类设备、仪器、电子产品中，为当今电子产品中不可缺少的关键元件。由于电子产品的发展趋势是多功能化；internet、e-mail、gps、照相、摄像、大尺寸彩色液晶屏等功能被大量采用，电路板焊接由波峰焊发展到回流焊，所以表面贴装且高度低的小型化产品成为石英晶体谐振器基座的发展方向。
3.但是现有的石英晶体谐振器的基座结构有两种，一是金属封装结构：多层陶瓷板上烧结可伐材料金属环，然后平行封焊盖板,缺点是价格高；二是玻璃胶封装结构：单层陶瓷板与金属外壳或陶瓷上盖用玻璃胶密封，缺点是玻璃胶有微量气体挥发，影响产品老化率。


技术实现要素：

4.1.要解决的技术问题本发明的目的是为了解决现有技术中石英晶体谐振器的基座加工成本高和密封性差的问题，而提出的一种石英晶体谐振器基座的制作方法。
5.2.技术方案为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种石英晶体谐振器基座，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板的一侧设有安装槽，所述陶瓷基板靠近安装槽的一侧设有环形槽，所述安装槽内设有对称设置的多个第一导电电极，所述第一导电电极的上方设有支撑台，所述陶瓷基板远离安装槽的一侧设有与第一导电电极对应的第二导电电极，所述第一导电电极和第二导电电极之间通过连接电极连接，所述陶瓷基板上设有与连接电极对应的通口。
6.优选地，所述安装槽呈圆形状或矩形状。
7.优选地，所述支撑台的表面设有电极金属涂层。
8.优选地，相邻两个所述连接电极之间设有凸台。
9.优选地，所述第二导电电极呈梯形状。
10.优选地，所述陶瓷基板的背部设有隔离槽，所述隔离槽位于相邻两个第二导电电极中间。
11.本发明中还提出了一种石英晶体谐振器基座的制作方法，包括以下步骤：步骤1：采用陶瓷基板，在陶瓷基板的一侧加工出安装槽，在安装槽的四周切削出
环形槽，并在单层陶瓷基板上打出通口；步骤2：然后安装槽和通口内均灌注导电金属材料，进行干燥，形成第一导电电极、第二导电电极和连接电极；步骤3：干燥后将陶瓷基板的支撑台、第一导电电极、第二导电电极和连接电极处再印刷一层金属钨，并进行烧结；步骤4：再对烧结后陶瓷基板进行化学镀镍，然后对镀镍后的陶瓷基板进行化学镀金，形成镀金层，最后制得产品。
12.优选地，多个所述支撑台的保持一致。
13.优选地，所述陶瓷基板的材质为氧化铝或氮化铝。
14.3.有益效果相比于现有技术，本发明的优点在于：本发明中，通过凸台结构的设置，可以有效的隔离相邻两个连接电极，同时隔离槽的设置，可以对相邻的两个第二导电电极进行隔离，通过环形槽和隔离结构的设置，可以有效的起到密封隔离作用，从而有效提升了石英晶体谐振器基座的密封性。
附图说明
15.图1为本发明提出的一种石英晶体谐振器基座的正视结构示意图；图2为本发明提出的一种石英晶体谐振器基座的后视结构示意图；图3为本发明实施例2中提出的一种石英晶体谐振器基座的正视结构示意图。
16.图中：1陶瓷基板、2安装槽、3环形槽、4第一导电电极、5支撑台、6第二导电电极、7连接电极、8凸台、9隔离槽。
具体实施方式
17.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
18.实施例1：参照图1-2，一种石英晶体谐振器基座，包括陶瓷基板1，陶瓷基板1的一侧设有安装槽2，安装槽2呈圆形状，陶瓷基板1靠近安装槽2的一侧设有环形槽3，用于提升谐振器基座的密封性，安装槽2内设有对称设置的多个第一导电电极4，第一导电电极4的上方设有支撑台5，用于设置石英晶片；本发明中，支撑台5的表面设有电极金属涂层，陶瓷基板1的背部设有隔离槽9，起到对第二导电电极6隔离绝缘作用，隔离槽9位于相邻两个第二导电电极6中间，陶瓷基板1远离安装槽2的一侧设有与第一导电电极4对应的第二导电电极6；本发明中，第一导电电极4和第二导电电极6之间通过连接电极7连接，用于连接第一导电电极4和第二导电电极6，相邻两个连接电极7之间设有凸台8，用于对连接电极7进行隔离，第二导电电极6呈梯形状，提升第二导电电极6导电面积，陶瓷基板1上设有与连接电极7对应的通口。
19.本发明中，通过凸台8结构的设置，可以有效的隔离相邻两个连接电极7，同时隔离槽9的设置，可以对相邻的两个第二导电电极6进行隔离，通过环形槽3和隔离结构的设置，
可以有效的起到密封隔离作用，从而有效提升了石英晶体谐振器基座的密封性。
20.实施例2：参照图3，一种石英晶体谐振器基座，包括陶瓷基板1，陶瓷基板1的一侧设有安装槽2，安装槽2呈圆形状，陶瓷基板1靠近安装槽2的一侧设有环形槽3，用于提升谐振器基座的密封性，安装槽2内设有对称设置的多个第一导电电极4，第一导电电极4的上方设有支撑台5，用于设置石英晶片；本发明中，支撑台5的表面设有电极金属涂层，陶瓷基板1的背部设有隔离槽9，起到对第二导电电极6隔离绝缘作用，隔离槽9位于相邻两个第二导电电极6中间，陶瓷基板1远离安装槽2的一侧设有与第一导电电极4对应的第二导电电极6；本发明中，第一导电电极4和第二导电电极6之间通过连接电极7连接，用于连接第一导电电极4和第二导电电极6，相邻两个连接电极7之间设有凸台8，第二导电电极6呈梯形状，提升第二导电电极6导电面积，陶瓷基板1上设有与连接电极7对应的通口。
21.本发明中还提出了一种石英晶体谐振器基座的制作方法，包括以下步骤：步骤1：采用陶瓷基板1，陶瓷基板1的材质为氧化铝或氮化铝，在陶瓷基板1的一侧加工出安装槽2，在安装槽2的四周切削出环形槽3，并在单层陶瓷基板1上打出通口；步骤2：然后安装槽2和通口内均灌注导电金属材料，进行干燥，形成第一导电电极4、第二导电电极6和连接电极7；步骤3：干燥后将陶瓷基板1的支撑台5、第一导电电极4、第二导电电极6和连接电极7处再印刷一层金属钨，并进行烧结，多个支撑台5的保持一致；步骤4：再对烧结后陶瓷基板1进行化学镀镍，然后对镀镍后的陶瓷基板1进行化学镀金，形成镀金层，最后制得产品。
22.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。


技术特征：
1.一种石英晶体谐振器基座，包括陶瓷基板（1），其特征在于，所述陶瓷基板（1）的一侧设有安装槽（2），所述陶瓷基板（1）靠近安装槽（2）的一侧设有环形槽（3），所述安装槽（2）内设有对称设置的多个第一导电电极（4），所述第一导电电极（4）的上方设有支撑台（5），所述陶瓷基板（1）远离安装槽（2）的一侧设有与第一导电电极（4）对应的第二导电电极（6），所述第一导电电极（4）和第二导电电极（6）之间通过连接电极（7）连接，所述陶瓷基板（1）上设有与连接电极（7）对应的通口。2.根据权利要求1所述的一种石英晶体谐振器基座，其特征在于，所述安装槽（2）呈圆形状或矩形状。3.根据权利要求1所述的一种石英晶体谐振器基座，其特征在于，所述支撑台（5）的表面设有电极金属涂层。4.根据权利要求1所述的一种石英晶体谐振器基座，其特征在于，相邻两个所述连接电极（7）之间设有凸台（8）。5.根据权利要求1所述的一种石英晶体谐振器基座，其特征在于，所述第二导电电极（6）呈梯形状。6.根据权利要求1所述的一种石英晶体谐振器基座，其特征在于，所述陶瓷基板（1）的背部设有隔离槽（9），所述隔离槽（9）位于相邻两个第二导电电极（6）中间。7.根据权利要求1-6所述的一种石英晶体谐振器基座的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：采用陶瓷基板（1），在陶瓷基板（1）的一侧加工出安装槽（2），在安装槽（2）的四周切削出环形槽（3），并在单层陶瓷基板（1）上打出通口；步骤2：然后安装槽（2）和通口内均灌注导电金属材料，进行干燥，形成第一导电电极（4）、第二导电电极（6）和连接电极（7）；步骤3：干燥后将陶瓷基板（1）的支撑台（5）、第一导电电极（4）、第二导电电极（6）和连接电极（7）处再印刷一层金属钨，并进行烧结；步骤4：再对烧结后陶瓷基板（1）进行化学镀镍，然后对镀镍后的陶瓷基板（1）进行化学镀金，形成镀金层，最后制得产品。8.根据权利要求7所述的一种石英晶体谐振器基座的制作方法，其特征在于，多个所述支撑台（5）的保持一致。9.根据权利要求7所述的一种石英晶体谐振器基座的制作方法，其特征在于，所述陶瓷基板（1）的材质为氧化铝或氮化铝。

技术总结
本发明公开了一种石英晶体谐振器基座的制作方法，包括以下步骤：步骤1：采用陶瓷基板，在陶瓷基板的一侧加工出安装槽，在安装槽的四周切削出环形槽，并在单层陶瓷基板上打出通口；步骤2：然后安装槽和通口内均灌注导电金属材料，进行干燥，形成第一导电电极、第二导电电极和连接电极；步骤3：干燥后将陶瓷基板的支撑台、第一导电电极、第二导电电极和连接电极处再印刷一层金属钨，并进行烧结；步骤4：再对烧结后陶瓷基板进行化学镀镍，然后对镀镍后的陶瓷基板进行化学镀金，形成镀金层，最后制得产品。本发明通过环形槽和隔离结构的设置，可以有效的起到密封隔离作用，从而有效提升了石英晶体谐振器基座的密封性。晶体谐振器基座的密封性。晶体谐振器基座的密封性。


技术研发人员：刘永良
受保护的技术使用者：瓷金科技（深圳）有限公司
技术研发日：2022.10.25
技术公布日：2022/12/30